Сплав на основе алюминия

ИЕ ИЗОБРЕТЕ и) 0 СВИДЮХЮЛЬСТВ Р И 980454, кл.48 - 11.5 А, 1973. основе ания в штырей остно- уменьЮЗ СОВЕТСКИХциАлистических РесттуБликСУДАРСТВЕННОЕ ПАТЕНТНОЕЩОМСТВО СССР (ГОСПАТЕНТ СССР)(93) Авторское свидетельство СССС 22 С 21/16, 1982,Патент США й 3770516, кп. 1(И) СПЛАВ НА ОСНОВЕ АЛЮМИНИЯ(57) Изобретение относится к сплавам наатвоминия, предназначенным для испопьзовмикроэлектронике в качестве материаловпреобразователей устройств на поверхнакустических волнах Цепь изобретения -шение коэффициента затухания поверхностной волны и удельного поверхностного сопротивления при сохранении требуемой величины адгезии штырей преобразователей к подложке, достигается дополнительным содержанием кислорода. Сплав на основе алюминия содержит, мас%: медь 1,1 - 3,0; магний 0,11 - 0,15; кислород 0001 - 00015; алюминий остальное. Штыри преобразователей уст - ройств на поверхностно - акустических волнах вы - полненные из данного сплава, имеют коэффициент затухания поверхностной волны 8 - 10 дБ и удепь - ное поверхностное сопротивление 0,4 - 0,5 Ом/кВ при адгезии штырей к подложке, равной 200-300 кг/см .Изобретение относится к металлургии сплавов на основе алюминия, предназначенных для использования в микроэлектронике в качестве материала штырей преобразователей устройств на поверхностно-акустических волнах,Цель изобретения - уменьшение коэффициента затухания поверхностной волны и удельного поверхностного сопротивления при сохранении требуемой адгезии штырей преобразователей к подложке.В табл. 1 указан химический состав опробованных композиций предложенного и известного сплавов.Количественное содержание компонен тов в предложенном сплаве выбрано исходя из следующих соображений.Медь в количестве 1,1-3,0 мас. существенно уменьшает величину зерна и шероховатость алюминиевой пленки, 20 приводящей к уменьшению коэффициента затухания поверхностной волны.Магний в количестве 0,11 - 0,15 мас, позволяет получать пленки с требуемой величиной адгеэии к подложке, так как при 25 термическом испарении навески сплава в вакууме приповерхностная зона пленки обогащается слоем алюминия, обеспечивающим химическое соединение с подложкой.Кислород в количестве 0,001 - 0,0015 30 мас. обеспечивает значительное снижение удельного поверхностного сопротивления штырей преобразователей устройств на поверхностно-акустических волнах, При содержании магния, меди и кислорода соот ветственно более 0,15 мас З,О мас. и 0,0015 мас. ф получаются пленки с высоким удельным сопротивлением, что приводит к снижению эффективности преобразования штырей преобразователей устройств на по верхностно-акустических волнах. При содержании магния, меди и кислорода соответственно менее 0,11 мас 1,1 мас. и 0,0011 мас.ф, получаются пленки с недостаточной адгезией к подложке, значитель ной шероховатостью, что приводит к формированию штырей преобразователей с неудовлетворительными электрофизическими характеристиками и существенному возрастанию коэффициента затухания по верхностной волны в устройствах на поверхностно-акустических волнах. Из опробованных композиций предложенного и известного сплавов изготовлены элементы устройств на поверхностно-акустических волнах в виде встречно-штыревых преобразователей (ВШП), последние содержали 50 пар нерасщепленных электродов шириной 2 мкм,Для получения ВШП устройств на ПАВ пленки иэ опробованных композиций предложенного и известного сплавов толщинойо1000 А наносились из электронного испарителя на подложки из ниобата лития сооскоростью конденсации 100 А /с на вакуумной установке УВНП-З.Конфигурация элементов В ШП создавалась методом фотолитографии вс применением плазмохимического травления.Толщина напыленной пленки измерялась микроинтереферометром МИИ - П, удельное поверхностное сопротивление ВШП - потенциометром Р в 263 в, Адгезия пленки к подложке определялась методом прямого отрыва на разрывной машине МР 05-1. Шероховатость пленочных элементов ВШП измерялась на электронном микроскопе ЭМВБР. Коэффициент затухания поверхностной волны определялся на измерителе Х - 43,Результаты испытаний приведены в табл, 2,Как видно из табл. 2, штыри преобразователей устройств на ПАВ, изготовленные иэ предложенного сплава, обладают более низким коэффициентом затухания поверхностной волны и удельным поверхностным сопротивлением по сравнению с известным сплавом, при этом адгезия штырей преобразователей к подложке практически не изменяется.Технология выплавки предложенного сплава не изменяется по сравнению с используемой для известного сплава.Таким образом, введение кислорода в известный сплав на основе алюминия, содержащий медь и магний, и выбор оптимального процентного соотношения компонентов в сплаве позволяет в 2 - 3 раза уменьшить коэффициент затухания поверхностной волны и удельное поверхностное сопротивление штырей преобразователей устройств на ПАВ.Таблица 11625036 Продолжение табл, . Таблица 2 Формула изобретения Составитель Л,ШевелеваТехред М.Моргентал Корректор Н.Милюкова Редактор З.Ходакова Тираж Подписное НПО "Поиск" Роспатента113035, Москва, Ж, Раушская наб., 4/5 Заказ 654 Производственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул,Гагарина, 101 СПЛАВ НА ОСНОВЕ АЛЮМИНИЯ преимущественно для устройств на поверхностно-акустических волнах, содержащий медь и магний, отличающийся тем, что, с целью уменьшения коэффициента затухания поверхностной волны и удельного поверхностного сопротивления при сохранении требуемой величины адгеэии штырей 5 преобразователей к подложке, он дополнительно содержит кислород при следующем соотношении компонентов, масМедь 1,1-3,0 Магний 0 11-015 10 Кислород 0.001 - 0,0015Алюминий Остальное