Способ измерения параметров плоскопараллельных диэлектриков

Номер патента: 1166012

Авторы: Иванов, Хаханин

ZIP архив

Текст

9) (1) 4(5 С 01 В. 27/26 ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯК АВТОРССКОМ,Ф СВИДЕТЕЛЬСТВУ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ СССРПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТНРЫТИЙ(71) Ульяновский политехнический институт(56)Ковалев В.П, Измерение электрических параметров веществ методом свободного пространства на малых участках образца.-"Вопросы радиоэлектроники", 1963, сер, 1, В 6, с. 66-80.Парватов Г,Н., Попов А.А.,Семенов В,С. Сверхвысокочастотныйметод контактного измерения диэлектрической проницаемости и проводимости материалов. - "Метрология",1976, В 9, с. 56-62,(54)(57) СПОСОБ ИЗМЕРЕНИЯ ПАРАМЕТРОВПЛОСКОПАРАЛЛЕЛЬНЫХ ДИЭЛЕКТРИКОВ,включающий облучение испытуемого плоскопараллельного диэлектрика электромагнитным полем посредством первоговолноводного излучателя, находящегося в контакте с поверхностью этогодиэлектрика, и измерение амплитудыотраженной волны, о т л и ч а ю щ и йс я тем, что, с целью повышения точности измерений, испытуемый плоскопараллельный диэлектрик облучают допол- нительно электромагнитным полем второго волноводного излучателя, который совместно с первым волноводным излучателем образует двухэлементиую антенную решетку, первый и второй волноводный излучатели возбуждают сигналами одинаковой амплитуды, изменяют разность фаз между сигналами, фиксируют значение разности фаз сигналов в момент наибольшей амплитуды отраженной волны, измеряют ширину резонансной кривой зависимости амплитуды отраженной волны от частоты, а по измеренной разности фаз с учетом толщины указанного диэлектрика и расстояния между излучателями рассчитывают диэлектрическую проницаемость диэлектрика при помощи характеристического уравнения возбуждения поверхностных волн в диэлектрике, а по ширине резонансной кривой зависимости амплитуды отраженной волны от частоты определяют тангенс угла диэлектрических потерь.1166012 Х, -К2 2 :-1 Х.-ГК Составитель В. ВасильевТехред И.Асталош Корректор А. Тяско Редактор П. Коссей Заказ 4305/39 Тираж 748ВНИИПИ Государственного комитета СССРпо делам изобретений и открытий113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5 Подписное филиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул, Проектная, 4 Изобретение относится к технике радиотехнических измерений в диапазоне СВЧ и может быть использовано для измерений диэлектрической проницаемости плоскопараллельных диэлек триковЦелью изобретения является повышение точности измерения.На чертеже показано устройство, реализующее предлагаемый способ.Устройство содержит СВЧ-генератор 1, делитель 2 мощности, первый и второй волноводные излучатели 3, металлический фланец 4, плоскопараллельный диэлектрик 5, фазовращатель 6, циркулятор 7, детектор 8, измерительный прибор 9.РПредлагаемый. способ реализуется следующим образом.Первый и второй волноводные иэлу чатели 3 вводят в непосредственный контакт с плоскопараллельным диэлектриком 5 и возбуждают их сигналами одинаковой амплитуды, полученными делением поровну сигнала СВЧ-генера тора 1 в делителе 2 мощности, меняют разность фаз сигналов с помощью фаэовращателя.6 и фиксируют значение разнбсти Фаз сигналов в моменты наибольшей амплитуды отраженной ЗО волны, регистрируемой измерительным прибором 9. Затем измеряют ширину резонансной кривой зависимости амплитуды отраженной волны от частоты,По измеренной разности фаз,. с учетом толщины исследуемого плоскопараллельного диэлектрика и расстояниямежду первым и вторым волноводнымиизлучателями рассчитывают диэлектрическую проницаемость исследуемогоплоскопараллельного диэлектрика спомощью характеристических уравнений возбуждения поверхностных вдлн,которые имеют вид: для случая электрических поверхностных волн1 Рс 1=Ф "ИИ юдля случая магнитных поверхностныхволнрй=с 1 с 188 с 1,где (рс) +(8 с) = К к: ф11 со=2 Ю"о Н = 1 сос 1 1Е и с 1 - диэлектрическая проницаемость и толщина плоскопараллельного диэлектрика, У, - разность фаз сигналов в момент наибольшей амплитуды отраженной волны; с - расстояние между излу- чателями.0 тангенсе угла диэлектрических потерь судят по ширине резонансной кривой зависимости амплитуды отраженной волны от частоты.

Смотреть

Заявка

3644156, 15.09.1983

УЛЬЯНОВСКИЙ ПОЛИТЕХНИЧЕСКИЙ ИНСТИТУТ

ИВАНОВ БОРИС ПЕТРОВИЧ, ХАХАНИН ВЛАДИМИР НИКОЛАЕВИЧ

МПК / Метки

МПК: G01R 27/26

Метки: диэлектриков, параметров, плоскопараллельных

Опубликовано: 07.07.1985

Код ссылки

<a href="https://patents.su/2-1166012-sposob-izmereniya-parametrov-ploskoparallelnykh-diehlektrikov.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ измерения параметров плоскопараллельных диэлектриков</a>

Похожие патенты