Способ измерения параметров плоскопараллельных диэлектриков

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ СССРГ 1 О ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТНРЬГГИЙ Н АВТОРСКОМУ 0,06,835.06.85. Бюл. У 22Б.П. Иванов и В,Н. Хаханинльяновский политехнический 621.317.335 (088.8)1. Стариков В.Д. Методы изния на СВЧ с применением измер ельных линий. М., "Советское радио", 1972, с. 110.2. КорреЬаап С., Койо 1 Ь Н. Яцаз 1- орг.1 са 1 ппЫдшегег-даче шеазигешепСз: КеГгасй 1 че 1 пдех оЙ Опп РХагез - АррХ. роуз ч. 23, 1980, с. 403-406.(54)(57) СПОСОБ ИЗМЕРЕНИЯ ПАРАМЕТРОВ ПЛОСКОПАРАЛЛЕЛЬНЫХ ДИЭЛЕКТРИКОВ, заключающийся в возбуждении в исследуемом плоскопараллельном ди электрике низшего типа электрической поверхностной волны и измерении ее на выходе, о т л и ч а ю щ и й-с я тем, что, с целью упрощения процесса измерений и повышения точности, исследуемыйплоскопарал-. лельный диэлектрик располагают .на металлической ребристой структуре типа замедляющей системы, модулируют частоту возбуждающих.СВЧ-колебаний, измеряют на выходе резонансную частоту 1 и ширину о линии поглощения поверхностной во ны, повторяют те же измерения при отсутствии исследуемого плоскопар лельного диэлектрика и расчитывают искомые диэлектрическую проницаемость Г и тангенс угла потерь г 8 8 исследуемого плоскопараллел ного диэлектрика из следующих соотношенийаИ ооо (гр- добротность гребенчатойструктуры (при отсутствии исследуемого плоскопараллельного диэлектрика);- толщина плоскопараллельного диэлектрика; б - шаг металлической ребристой структуры;6 - ширина и высота зубцаметаллической ребристойструктуры;Яо- длина волны.Изобретение относится к техникерадиоизмерений СВЧ диапазона и может. быть использовано для измерения электрофизических параметров диэлектриков. 5Известен способ измерения параметров плоскопараллельных диэлектриков, включающий облучение исследуемого плоскопараллельного диэлектрика СВЧ-волной и измерение коэффи О циентов отражения и преломления 11Однако данный способ не обеспечивает достаточной точности.Наиболее близким техническим ре шением к предлагаемому является способ измерения параметров плоско- параллельных диэлектриков, заключающийся в возбуждении в исследуемом плоскопараллельном диэлектрике двух 20 типов колебаний и измерении их на выходе 2.Однако известный способ сложный и требует значительного времени на проведение измерений. 25Цепь изобретения - упрощение процесса измерений и повышение точности.Поставленная цель достигается тем, что согласно способу измерения параметров плоскопараллельных диэлектриков, заключающемуся в возбуждении в исследуемом плоскопараллельном диэлектрике низшего типа электрической поверхностной волны35 и измерении ее на выходе, исследуемый п.поскопараллельный диэлектрик располагают на металлической ребристой структуре типа замедляющей системы, модулируют частоту возбуждающих СВЧ-колебаний, измеряют на выходе резонансную частоту 1 и ширину 610 линии поглощения поверхностной волны, повторяют те же измерения при отсутствии исследуемого плоскопараллельного диэлектрика и рассчитывают искомые диэлектрическую проницае,мость Е и тангенс угла потерь 1 0 исследуемого плоскопараллельного диэлектрика из следующих соотношений: 2 в "ГС(о- ЙЯ1 оо26 о Огргде Я гр - добротность гребенчатойструктуры (при отсутствииисследуемого плоскопараллельного диэлектрика),- толщина плоскопараллельного диэлектрика;о - шаг металлической ребрнс;той структуры,1 и 1 - ширина и высота зубцаметаллической ребристойструктурыЯд - длина волны.На фиг. 1 показано устройство, реализующее предлагаемый способ; на фиг.2 - частотная зависимость коэффициента передачи.Устройство состоит из СВЧ-генератора 1, передающей антенны 2, исследуемого плоскопараллельного диэлектрика 3, металлической гребенчатой структуры 4, приемной антенны 5, индикатора 6.Предлагаемый способ реализуется следующим образом.Частотно-модулированный сигнал, прошедший через систему,состоящую из исследуемого плоскопараллельного диэлектрика 3 и металлической гребенчатой структуры 4, индицируется на индикаторе 6,на котором наблюдается кривая, показанная на фиг,2. Определив по этой кривой 1 и 6 0 и повторив те же измерения при отсутствии исследуемого плоскопараллельного диэлектрика, далее рассчитывают искомые Я и й 8 3 из вышеприведенных соотношений.Таким образом укаэанная совокупность действий с.исследуемым .диэлектриком и металлической гребенчатой структурой упрощают процесс измерений и повышают их точ- ность1161899 фт ьевКорректор В. Бутяга ставитель В. В хредМ.Гергель едактор М, Бандура Подписно комитета СССР открытий кая наб., д. 4Тираж 748 ВНИИПИ Государственног по делам изобретений 13035, Москва, Ж, Раушс