Антенная решетка (ее варианты)

СОЮЗ СОВЕТСКИХСОЦИАЛИСТИЧЕСКИХРЕСПУБЛИК 128224 1 21/00 ОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССРПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИ ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕН А ВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ(71) Ульяновский политехн институт(56) Амитей Н. и др. Теория и анализ фазированных антенных решеток. М.: Мир,1974, с. 250 - 252, 400. (54) АНТЕННАЯ РЕШЕТКА (ЕЕ ВАНТЫ) (57) Изобретение относится к антенной технике СВЧ-диапазона. Цель изобретения -упрошение конструкции и сохранение согласования в плоскости вектора Н (п. ф-лы. 1)и в плоскости вектора Е(п.ф-лы 2). Устр.-восодержит волноводные излучатели 1, заское покрытие нное в плоско и варианту (с ктора Н) д = Р толти их анироАйп+ е диэлектричс размеш ва. По 1в плоскости в шитн шина раскр ванне1 - РоЭоЛ 19 и+агсйдЕ 8 рд 1 3 45 Составитель Ю. Волков Редактор Е. Папп Техред И. Верес Корректор И. Эрдейи Заказ 7 80/53 Тираж 625 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий13035, Москва, Ж - 35, Раугпская наб., д. 45 Производственно. полиграфическое предприятие, г. Ужгород, ул. Проектная, 4Изобретение относится к антенной технике СВЧ-диапазона.Цель изобретения - упрощение конструкции и сохранение согласования при сканировании в плоскости вектора Н и плоскости вектора Е.На чертеже представлена структурная схема антенной решетки.Антенная решетка содержит волноводные излучатели 1, защитное диэлектрическое покрытие 2, толщиной д размегценное в плоскости их раскрыва. Антенная решетка работает следующимобразом. При работе в режиме сканирования в защитном диэлектрическом покрытии 2 возбуждаются поверхностные волны, приводящие к потерям мощности. Для уменьшения амплитуды поверхностных волн в защитном диэлектрическом покрытии антенной решетки на параметры защитного диэлектрического покрытия накладываются следующие условия: толщина защитного диэлектрического покрытия для достижения минимума амплитуды магнитной поверхностной волны (сканирование в плоскости вектора Н) должна быть равной где с - относительная диэлектрическаякая проницаемость;Л - рабочая длина волны; Ро=0/Л,Э - попеРечный РазмеР РаскРываволноводного излучателя 1 вплоскости сканирования;и - номер типа (магнитной) поверхностной волны, возбуждаемой взащитном диэлектрическом покрытии 2,а для достижения минимума электрической поверхностной волны (сканирование в плоскости вектора Е) толщина защитного диэлектрического покрытия 2 должна быть равной где о - относительная диэлектричеспроницаемость;.Л - рабочая длина волны;Ро=Р/л,):1 поперечный размер раскрыва5 волноводного излучателя 1 вплоскости сканирования;п - номер типа (электрической) поверхностной волны, возбуждаемой в защитном диэлектрическом покрытии 2,Формула изобретения1. Антенная решетка, содержащая волноводные излучатели и защитное диэлектрическое покрытие, размещенное в плоскостиих раскрыва, отличающаяся тем, что, с целью упрощения конструкции и сохранениясогласования при сканировании в плоскостивектора Н, толщина защитного диэлектрического покрытия равна4 Лоо ЭоЛ Е 5/ Гп+ 1) - агсф 9-4 оот лтзГГ.где 6 -относительная диэлектрическаяпроницаемость;Л - рабочая длина волны;Эо=ЧЛ,Р - поперечный размер раскрываволноводного излучателя в плоскости сканирования,л - номер типа поверхностной волнывозбуждаемой в защитном диэлектрическом покрытии.ЗО 2, Антенная решетка, содержащая волноводные излучатели и защитное диэлектрическое покрытие, размещенное в плоскостиих раскрыва, отличающаяся тем, что, с целью упрощения конструкции и сохранениясогласования при сканировании в плоскости35 вектора Е, толщина защитного диэлектрического покрытия равна1- ВоРоЛЮп+аГсЕЪ ЕЭ; - 1- относительная диэлектрическая проницаемость;- рабочая длина волны;- поперечный размер раскрыва волноводного излучателя в плоскости сканирования;- номер типа поверхностной волны, возбуждаемой в защитном диэлектрическом покрытии,