Калюжная

Страница 2

Тензорезисторный силоизмерительный датчик

Загрузка...

Номер патента: 678349

Опубликовано: 05.08.1979

Авторы: Калюжная, Кривцова, Сафронов, Штайгер

МПК: G01L 1/22

Метки: датчик, силоизмерительный, тензорезисторный

...одна из которых раложена перпендикулярно к оси еговращения, а две другиено относительно первойк ней, причем тензорезиу краев участков,проточками.На чертвке показаный силоизмерительныриант выполнения,с е н Ыенбоглу спо- симметрич и под углом стары укреп заключенных лены между н тензорезис й датчик, ва из корпуса 1, упрУгос тензорезисторами4 и сжатия 5 и 6,краев участков, заду глухими проточками сиальная полость дат 25 Он состоитго элемента 2 растяжения 3 укр епл ен ными ключенных мвк 30 7, 8 и 9. Коа 72) Авт,оры иэобретеНИЯ Е.В. Штайгер, Э.Н. Кривцова, В,Е, Калюж678349 формула изобретения Составитель И. ПанинПЦРР Ц,У -Р ИЛ.Щ удяЕИ,щ 4546/31 Тираж 1090 Подписное ЦНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий...

Устройство для зондирования грунта

Загрузка...

Номер патента: 658217

Опубликовано: 25.04.1979

Авторы: Калюжная, Каплюк, Кривцова, Сафронов, Штайгер

Метки: грунта, зондирования

...между ними цилиндр 22 с кольцевыми выступами 24 и 25 является преобразователем, на боковой поверхности которого навиты тензорезисторы 26 - 29.Устройство работает следующим образом.РОсевое усилие Р, воспринятое наконец ником 14, сообщается через силопередающее звено 15 упругому чувствительному элементу 16, который опирается на трубчатый выступ 2 основания 1. Сила трения грунта о воспринимающую часть 3 кожуха сообшается через гайку 12 упругому чувствительному элементу 13, опираюшемуся на основание 1. Упругие .чувствительные элементы преобразуют приложенные к ним усилия в пропорциональные по амплитуде электрические сигналы, которые передаются по кабелю на соответствующие регистрируюгцие приборы.В работе упругого чувствительного...

Негативный фоторезист

Загрузка...

Номер патента: 651298

Опубликовано: 05.03.1979

Авторы: Боков, Калюжная, Корсаков, Лаврищев, Наумов

МПК: G03C 1/68

Метки: негативный, фоторезист

...мл смеси топуопа и Л -хсипопа.0,0375 г 2,6-бис-(, ц -азидобенэаль)- -4-метилциклогексанона (ДОГ раствоЗаказ 802/43 Тираж 547 П одписное ЦНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская набд, 4/5Филиал Г 1 ПП "Патент, г, Ужгород, ул. Гроектиая, 4 ряют в 1 мл толуопа. 0,344 г красите ля жирового айтрахинонового зеленого растворяют в 100 м топуопа и из этого копичества 0,5 мп добавляют в смесь растворов ПБГД и ДБГ. Раствор фильтруют и наносятцентрифугированием на6 подножку. Спой сушат 15 мин при 20 С и 30 мин при 8 дС. Дпя фоторезиста ЬФ щ 124 смф /дж,- 2,0.П р и м е р 2. 0,75 ГШГД растворяют в 3,7 5 мп смеси топуопа и ц -ксипода 2:1 по объему 0,0375 г 1 ШГ растворяют в 1 мц топуопа и...

Вяжущее

Загрузка...

Номер патента: 642411

Опубликовано: 15.01.1979

Авторы: Аксенов, Зезин, Кабанов, Калюжная, Кузнецов, Логинова, Паписов, Ткачев

МПК: C09K 17/40

Метки: вяжущее

...и 1,8частей массы на одну, часть массыполиакрилбвой кислоты. Содержаниевсех ингредиентов дано н расчете на 55100-ную концентрацию веществ,Для сравнительной оценки заявляемого состава испытания проводилитакже с известным составом-прототипом (без добавки аммиака), приэтом в приготавливаемой смеси содержание комплексообразующих полимерных веществ было принято оптимальным: 65 114на 1 часть массы полиакриловой кислоты приходилось 2 части массы полиэтиленимина,Свойства различных смесей оцейивают временем замедления начала образования поликомплекса после смешения растворов полимерных веществ, количеством образующегося поликомплексаи толщиной закрепляемого слоя грунта при обработке его методом пропитки вНачало образования поликомплекса...

Способ выращивания пленок

Загрузка...

Номер патента: 466816

Опубликовано: 05.08.1978

Авторы: Горина, Калюжная, Кузнецов, Максимовский, Никифоров

МПК: H01L 21/36

Метки: выращивания, пленок

...в замкнутом объеме с независимо контродируемыми источниками паров компонентов иди примесей.2На чертеже изображена принциниадь ная схема установки, работающей по предлагаемому способу.П р и м е р . Изгоговдение р=,Ф м, +аэО р - р- Ь- у 1 а переходов в , соединении СОТеВ кварцевую обезгаженную ампулу 1 помещают 3-5 Г чистого иди дегированного теддурида кадмия, на щдаждаелую подэз ставку 2 кладут механически подированную подложку 3 размером 1 х 1 см и годшиной 1,5 мм, а в боковой отросток 4 амйуды вводят летучий компонент Сд иди Те . После этого ампулу вакуумируют, оф 40 заполняют чистым водородом, герметизируют и помещают в печь 5 сопротивления, На боковой отросток ампулы надевают печь 6 соцротивдения. Кроме того, в ампуду...

Способ создания контакта

Загрузка...

Номер патента: 447108

Опубликовано: 05.08.1978

Авторы: Вул, Денис, Иванникова, Калюжная, Репшис, Ярмалис

МПК: H01L 21/26, H01L 21/28

Метки: контакта, создания

...камеру, 15 не прерывая нагрева подложки концентрированным световым потоком, подают дозированную смесь очищенного водорода с тетрахпоридом кремния, легированным хпо ристым фосфором. Прн этом пластину крем ния располагают таким образом, что пэ верхность, на которую осуществпяется на:ращивание слоя, нагревается до более вы. сокой температуры, чем толща подложки. Найдено, что необходимым усповием рос та зеркально гладких слоев толщиной 150-200 мкм явпяется бопее высокий на 40-70 оС) нагрев поверхности растущей пленки по сравнению с обратной стороной пластины. Рост ппенки кремния ЗО толщиной 150-200 мкм происходит в спедующем режиме: температурный градиент по топщине ппасгины составляет 250- ЗООоС/см, температура роста ппенки 1000-1200...

Пьезоэлектрический акселерометр

Загрузка...

Номер патента: 562775

Опубликовано: 25.06.1977

Авторы: Дунаевский, Калюжная, Мухин, Субботин

МПК: G01P 15/08

Метки: акселерометр, пьезоэлектрический

...закрепления которого на чувствительном элементе могут бьть самыми различными 11,Наиболее близким по технической сущности к предлагаемому является пьезоэлектрический акселерометр, состоящий из упругого (подкрепляющего) элемента, выполненного заодно с основанием и приклеенного кнему кольцевого преобразователя 121. На контуры торцов подкрепляющего элемента устанавливается инерционный груз, состоящий пздвух колец или полуколец, по внутреннемудиаметру которых выполнена коническая зыточка. Этот акселерометр имеет высокую ЗО ые недостатки ограничивают при езоакселерометров для точных из562775 Формула изобретения 7 Т Ф Составитель Н. ГраниковаТехред А. Камышникова Корректор В. Гутман Редактор Т. Иванова Заказ 540/1408 Изд. М 86 Тираж...

Светочувствительный негативный материал

Загрузка...

Номер патента: 533902

Опубликовано: 30.10.1976

Авторы: Боков, Калюжная, Корсаков, Наумова, Юрина

МПК: G03C 1/00

Метки: материал, негативный, светочувствительный

...светочувствительности и проч:Ости сзеточувствитель:ого слоя. О Для этого предлагают использовать в кае:т .е плецкообразующей компоненты трой.ного сополимера ииклогексалиеиа,3 лигил":онафтглица и дизцццла при следующем соотношении, зес. ",с.5Ц.:,клогексалцен3 0,1 - 40Дигидроафталин 15 - 40Дивич ил ОстальноеСзеточувстз.тельны слой фоторезиста 2 рогозую сзеточувстзительцость2Р 1джи коэффициент контрастностиу 2,2. Фоторезист позволяет получать элементы размером 2 .цк.ц. Введение третьей компоненты в сополимер (дигилронафталица) по.вышает еканическую прочность слоя, что умеьшает возможность проколов,при обработке слоев. Фоторезист обладает корошеи адгезией к гидрофильной позеркности и щс- ЗО - о,;естойкостью.Корректор И. Симкииа Редактор Т,...

Способ обеззараживания почв

Загрузка...

Номер патента: 528917

Опубликовано: 25.09.1976

Авторы: Березкина, Брянская, Калюжная, Касавченко, Коротич, Погребняк

МПК: A01N 7/04

Метки: обеззараживания, почв

...(сибирская528917 3 Составитель В. СтаниславскаяТехред М, Левицкая Корректор С, Болдижар Ренектор Д. Пинчук Заказ 5299/127 Тираж 723 Подписное ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5филиал ППП "Патент", г, Ужгород, ул. Проектная, 4 ке рост различной интенсивности, некоторые виды инвертируют. Нитраты большинства видов восстанавливают до нитридов.А н т а г о н и с т и ч е с к а я а к т и в н о с т ь, Все изученные штам мы при росте на твердой среде подавляют рост. Вас,цйОгасць (зона отсутствия роста - 10-25 мм), Вас, ьцЬ 111 ь Вас,сегець, Вас.тпсо 1 йеь, Я.ацгецье Наиболее активные штаммы подавляютрост Е.сой 1, Рг чцСдаг часто угнетают Сапд 1 йа...

Пьезоэлектрический акселерометр

Загрузка...

Номер патента: 508742

Опубликовано: 30.03.1976

Авторы: Дунаевский, Калюжная, Мухин

МПК: G01P 15/08

Метки: акселерометр, пьезоэлектрический

...фиг, 3 изображен корпусв изометрии.Пьезоэлектрический акселерометр содержит корпус 1, выполненный в виде параллелепипеда, по периметру верхнего торца которого на равном удалении от центра установлены четыре кольцевых пьезоэлемента 2, инерционную массу 3 с жестко прикрепленным к нижней плоскости согласующим усилителем 4, расположенным в углублении корпуса, электровыводы 5, прижимные винты 6, пружины 7, кожух 8, контактную пластину 9 и изоляционные прокладки 10. В корпусе выполнены отверстия 11 и окна 12.При сборке настраивают пьезоэлектрический акселерометр на минимальную поперечную чувствительность. В отверстия 11 корпуса 1 устанавливают технологические цилиндрические штыри, на которых фиксируются контактная пластина 9, пьезоэлементы 2...

Фоторезист

Загрузка...

Номер патента: 504171

Опубликовано: 25.02.1976

Авторы: Боков, Горон, Егорова, Калюжная, Корсаков, Романова, Федоренко

МПК: G03C 1/06

Метки: фоторезист

...против оптимальной снижают качество и точность воспроизведе.ния элементов изображения. Особенно критичен ковремени процесс зкспон. рования известных фотореэистов на подложках с высоким коэффициентом отражения в области чувствительности фсторезистов(например, на алюминии), а также процесс экспоииро.ваиия через полупрозрачные фотошаблоны (например,фотошаблоны на основе поверхностно-окрашенгэгостекла), когда в процессе экспонирования появляют.ся в виде проявленных учзстков фоторезиста в экспо 2 б нируемой фотошаблонной зоне. Диапазон пропорцио. нальной передачи размеров изображения для подпоже с высокои отражательнон способностью настолькоузок, что в промышленных условиях приводит к значительному количеству брака. Цель изобретения...

Способ изготовления катушек индуктивности

Загрузка...

Номер патента: 118050

Опубликовано: 01.01.1958

Авторы: Калюжная, Матвеев, Порто

МПК: H01F 41/04

Метки: индуктивности, катушек

...каждый ряд обмотки опудривается порошком стеклоэмали, Затем катушка помещается в печь, в которой она нагревается до температуры плавления стеклоэмали (600 - 700).Расплавляясь, стеклоэмаль расплывается по поверхности каркаса и пропитывает стеклянную изоляцию провода. Затем катушку охлаждают до комнатной температуры. При этом вся поверхность катушки оказывается покрытой пленкой стеклоэмали, которая надежно прикрепляет провод к каркасу катушки.Предлагаемый способ позволяет изготовлять как однослойные, так н многослойные стабильные катушки на керамических каркасах.Преимущества предлагаемого способа, по сравнению с обычно при. меняемым способом вжигания, заключаются в возможности изготовления катушек большой индуктивности малых габаритов,...

Алюминирование железных изделий погружением в расплавленный алюминий или его сплавы

Загрузка...

Номер патента: 94408

Опубликовано: 01.01.1952

Авторы: Грацианский, Калюжная

МПК: C23C 2/02, C23C 2/12, C23C 2/30 ...

Метки: алюминий, алюминирование, железных, погружением, расплавленный, сплавы

...1,И ;1 Р,ГО И ПЛС.КО 1, ПОС;1(. 00 с 00 КИ ф; ОСОМ, СОСТОЯ ЦИ М Из ВОД Н Ы. Ос 1 СТБОРОБГ 10 РИДОВ с)с 0115 НИЯ, ЦИП,Я, ОЛОс) И фТОРИДОБ ГС 1НЫ.С Мт:,1 ГО В И Г 0 СЛ С;.1 10 Ц; (С М и К И 13.С,С П О Г р Ж с 1 С Т С 5 Б р с " П Л 1 В 51 С - П, ЛОМ 1 И ИЛП СП1 ВП 01 ИЯ С )П)ГЛп(. Кр(.11.1, СМ Оп, ),с Си.)1,ИТс ПОЗ.Грп Тс)пс)стурс сНПЬ 7Г) -70) И Вр( МСНИ ПОКРЫТИЯ 1 - , СГК. 10,1 ЧЯСТСЯ НЯ ПОБЕРКНОСТП Г;ОТНЬ;И И ЗЛсСТИНЫ 1 СЛООтлтстис прс)екетоиого слоя ГГА:. Ооъяснястся тем, что нл- ЛИИЕ ОКИСНОИ И;И Др,Го и, СК 1, . ТсКС И 1, ПЧ 1 С .(П 1, Я 1, 5.П ЧО(ИК М( ТЯ;1;Ов Б СПЛс 1 БС Прси 5 ТСТВМ 0Г)И 1 )СП, сЗЛ(;О, л 10 М 1 чя В келсзо и кс,сЗя в ялюмип 11. А.10 мпп.1 и. 30. Ясв 1 иВЯЯ оксгп, железа, ооразует пзомсрфнос с Г-с)0, сосдиСпис...