Фоторезист

Номер патента: 127324

Опубликовано: 01.01.1960

Авторы: Горбачев, Уваров, Усенко

МПК: G01R 13/20

Метки: воспроизведения, двухлучевого, изображений, осциллографа, помощи, процессов, электрических

...действие обоих лучей обеспечивает практически непрерывную запись процесса при постоянном направлении записи (при обратном ходе лучи должны гаситься).В качестве задающего генератора ЗГ горизонтальной развертки используется симметричный мультпвибратор, вырабатывающий прямоугольные импульсы. Импульсы с анодов каждой из ламп мультивибратора подаются на соответствующие формирующие каскады ФК, и ФК, строчных разверток, которые создают пилообразные импульсы.2 -Ло 127324Сигпал формирующего каскада ФК подается на усилитель У, го. ризонтального отклонения первого луча, а сигнал формирующего каскада ФК - на усилитель У горизонтального отклонения второго луча. Если лучи совмещены, а на время обратного хода каждый, из лучей погашен, то лучи...

Номер патента: 1530905

Опубликовано: 23.12.1989

Автор: Горшенин

МПК: G01D 9/42

Метки: изображения, колебательного, процесса, регистрации

...путем сообщения носителю непрерывного однонаправленного перемещения и периодических увеличений количества света, поступающего на носитель от регистрируемого изображенияНа фиг,1 изображена запись колебательного процесса в фазовой форме; на фиг2 - совмещенная запись в амплитудной и фазовой формах,Изображение регистрируемого колебательного процесса с экрана дисплея через маску с изменяемой прозрачностью со щелью, выполненную для этого из двух поляроидных слоев,постоянно проецируется на непрерывно(фиг,2).Преимущества предлагаемого способа состоят в упрощении регистрирующей аппаратуры и повышении точности дешифрирования регистрируемой информации,формула и э о б р е т е н и я 10 15 20 25 Составитель А.ВидякинТехред М.Ходанич Корректор...

Номер патента: 1580169

Опубликовано: 23.07.1990

Автор: Горшенин

МПК: G01D 9/42

Метки: изображения, колебательных, процессов, регистрации

...и прозрачности маски, Работой регуляторовуправляет трехканальный коммутирующий блок 13, Исполнительными эле. ментами регуляторов могут служитьсоответственно баластный резисторв цепи питания лентопротяжного механизма, баластный резистор в цепиуправления яркостью изображения надисплее и электромагнит 11.Устройство работает следующим образом.Изображение колебательного процесса с экрана дисплея 1 через слои 6и 7 и щель 8 маски непрерывно проецируется постоянно открытым объективом3 на непрерывно движущийся носитель40 Формула изобретения 1, Устройство для регистрации изображения колебательных процессов, содержащее закрепленный на лицевой панели экрана дисплея, светозащитный тубус, на котором установлены объектив и лентопротяжный механизм...

Номер патента: 866793

Опубликовано: 23.09.1981

Авторы: Грачева, Гусев

МПК: H05K 3/26

Метки: каучуковой, основе, состав, удаления, фоторезиста

...приведены в табл, 1,,Таблица 1 Состав 2 3 4 5 40 45 40 30 45 40 35 30 Пропилбенэол 1 1 О 20 40 Укаэанными составми снималась пленка,фотореэиста ф=-11, задубленная при 120 С в течение 1 ч. Процесс проводился при комнатной температуре в ультразвуковом поле мощностью 230 Вт Время снятия Состояние поверхносзадубленной пленки ти подложки послеФотореэиста , мин фоторезиста Составоб,Следов Фотореэиста,не обнаружено 20 То же 10 15 20 Толуол Ксилол Толуол 45Ксилол 45Пропилбензол 10 Толуол 40Ксилол 40Проаилбензол 20 Толуол 40Ксилол 35Пропилбензол 25 Толуол 30Ксилол 30Пропилбензол 40 Толуол 25Ксилол 25Пропилбенэол Пример, В1 1 1 при частоте 8,5 кГц в фарфоровом стакане емкосввю 100 мл. Полученные результаты испытанийсведены в табл....

Номер патента: 930206

Опубликовано: 23.05.1982

Авторы: Богданова, Дозорцев, Кабанова

МПК: G03C 5/02

Метки: нафтохинондиазидов, основе, позитивных, сенситометрического, фоторезисторов

...красителя протекает на фоне избытка продуктов разложения) .Экстремальное значение оптической плотности соответствует экспозиции пленки фоторезиста, оптимальной с точки зрения максимального разрешения.Спектрофотометрирование растворов осуществляют с использованием светофильтра с максимумом пропускания при длине волны 540 10 нм и полушириной спектра пропускания 25 г 10 нм.Для растворения пленок фоторезиста используют водощелочные растворы со значением рН 12,6-12,9. В частности, могут быть использованы .растноры гидроокисей щелочных металлов, фосфатов или силикатов щелочных металлов и их смеси.При проведении одной серии экспериментон формируют пленки фоторезиста одинаковой толщины при постоянных,наперед заданных условиях (нязкость...