H01L 23/36 — выбор материалов или специальной формы для облегчения охлаждения или нагрева, например устройства для отвода тепла

Номер патента: 1698918

Опубликовано: 15.12.1991

Авторы: Куровский, Павленко, Пельтек

МПК: H01L 23/36

Метки: полупроводникового, прибора, прокладка

...резины на основе синтетического каучука и высокодисцерсного порошканитрида алюминия с размером частиц50-80 мкм, при слецуюцтем соотношении компонентов, маг.Е: высокодисперсный нитрид алюмтеия 55-60, крупнозернистый нитрид.алюминия 20-25;резина на основе синтетического каучукаостальное. 1 цл,Высокодисперсньтй тттцнцалюминия 55-60КРУПНОЗЕРНЕтСтЬЕтнитр."д алюеештя 20-25Резина на основе синтетического каучука ОстальноеПрокладка работает следующим образом.Прокладку устанавливают на металлический теплоотвод, а ета нее устаеавливают,полуттравоцттквый прибор. Тепло ог полупроиоцннкоцого прибора через прокладку еред;.тся теплоотводу, а электроизоляццтттные свойства прокладки обеспечивюг изоляцию корпу са полупроводнцковог:;рттбора от меЕСКОГО...

Номер патента: 1699022

Опубликовано: 15.12.1991

Автор: Чижиков

МПК: H01L 23/36, H05K 7/20

Метки: охлаждения, радиатор, радиоэлектронных, элементов

...охлаждения), а также для уменьшения дличы теплопроводных участков расположены по треугольной решетке с шагом й. Тепловое сопротивле ние радиатора представлено большим количеством параллельно соединенных участков (стенок), общих для соседних каналов на протяжении всей длины. Это резко умень, шает тепловое сопротивление радиатора по 20 ,теплопроводности, а в сочетании с развитой поверхностью охлаждения - и всего , радиатора в целом, Каналы 4 охлакдениявыполнены с переменным сечением, рас- ширяющимися кверху и книзу. Это расши,ряет технологические возможностиизготовления массовыми способами (литье под давлением, штамповка), кроме того, уменьшает массу радиатора и снижает потери на краевой эффект, особенно для набе , гающего потока...

Номер патента: 1699023

Опубликовано: 15.12.1991

Авторы: Дождев, Миненко

МПК: H01L 23/36, H05K 7/20

Метки: между, монтажной, навесными, платой, прокладки, размещения, теплоотводом, теплоотводящей, электрорадиоэлементами

...стенками оболочки 3 ее внутреннюю поверхность покрывают тонким слоем разделительной смазки, например, силиконовым вазелином КВпо ГОСТ 15975-70. В оболочку 3 заливают дозированную массу теплопроводного компаунда 4, например, К 5, К 12, КТЭили КТЭпо ОСТ 4 Г 0.029.026 в жидком состоянии и выдерживают узел в режиме отверждения теплопроводного компаунда 4. После=едактор и,Пчол:;иска аллй ректор За 1:аз 440 1 ирах Подписно31,-1 Р 11 ПИОсД.",Гственного к)и)ета ГО изобре Генияч и Открь13035, 1.1 )сква. )1:.-35, Раув 1 ска 5 Наб 4/5 ням при ГЕ 1-П СС прГОго его отверждения узел демо 1 ГГг)уют и удал 51 от Оболочку 3, Полученный Оттиск поНостьо Г 1 овтор 51 ет конфигураци 1 о зоздуиных зазоров узла между обрашен 11 ь 1 ми одна к доугой...

Номер патента: 1709567

Опубликовано: 30.01.1992

Авторы: Авербах, Гинзбург, Зуев, Сергиенко

МПК: H01L 23/36, H05K 7/20

Метки: радиатор

...к корпусу; установлены выше своих радиальных ребер 1.Радиатор работает следующим образом,Тепловой режим радиоэлектронного блока, не подверженного солнечной радиации, обеспечивается радиатором. При воз-, действии солнечной радиации ребро 1 и термобиметаллическая планка 2 нагреваются и происходит прогиб планки 2, Вместе с планкой 2 отклоняется от корпуса 3 и ребро 1. В результате этого нагретое до высокой температуры ребро 1 не контактирует с теплопроводным корпусом 3, образуя воздушную прослойку между подошвой ребра 1 и корпусом 3, исключая тем самым передачу тепла от нагретых ребра 1 и планки 2 корпусу 3, При этом, поскольку высокий уровень солнечной радиации обусловлен положени ем солнца, близким к зениту, ребро 1 одновременно...

Номер патента: 1739522

Опубликовано: 07.06.1992

Авторы: Бучок, Горечко, Нечепаев

МПК: H01L 23/34, H01L 23/36, H05K 7/20 ...

Метки: блок, радиоэлектронный

...спиралей Архимеда, ширина которых равна ширине модулей 2.Отвод тепла от верхней поверхности модулей 2 осуществляется следующим образом.Под воздействием давления теплоотводящего экрана 3 прижимные контактные пружинные элементы 4 прижимаются сверху к корпусам модулей 2 своими свернутыми в спираль Архимеда частями, деформируясь таким образом, что внутренние соседние витки спирали контактируют между собой. образуя параллельные проводники тепла между корпусами модулей 2 и теплоотводящим экраном 3, что существенно улучшает теплопередачу от верхней поверхности корпусов модулей 2 к экрану 3. Теплопроводная смазка, нанесенная на поверхность указанных элементов 4, снижает контактное тепловое сопротивление между контактирующими поверхностями,...

Номер патента: 1746436

Опубликовано: 07.07.1992

Автор: Тепман

МПК: H01L 23/36

Метки: охладитель, полупроводникового, прибора

...для установки на нем полупроводникового прибора. В конденсатор 25 ной части рабочей трубы в плотномтепловом контакте с ее внешней поверхностью расположены ребра 6, предназначенные.для отвода тепла во внешнюю среду.На фиг.З изображен охладитель полу 30 проводникового прибора. конструкция которого аналогична охладителю,изображенному на фиг.1. Отличие заключается в том, что в средней рабочей трубе 1замерзающий теплоноситель 2 заменен на35 незамерзающий теплоноситель 4,Работа охладителя, изображенного нафиг.1, заключается в том, что выделяемое.полупроводниковым прибором тепло черезего основание (изображенное пунктиром)40, передается основанию 5 охладителя и черезкорпус тепловых труб 1 и 3 отдается теплоносителям 2 и 4, Незамерзающий...

Номер патента: 1751828

Опубликовано: 30.07.1992

Авторы: Дудник, Соловьев

МПК: H01L 23/36

Метки: полупроводниковых, приборов, радиатор, формы, цилиндрической

...ленты, имеющее по периметру цилиндрические посадочные гнезда, в которых установлены радиальные лепестки.Известный радиатор имеет уобразный 15 профиль гофров кольца и, следовательно, низкую эффективность охлаждения из-за малой площади контакта между прибором и радиатором, Кроме того, радиатор конструктивно сложен и нетехнологичен. так как 20 имеет сложный профиль гофров и сборную конструкцию.Цель изобретения - повышение эффективноети охлаждения, упрощение конструкции и повышение технологичности 25 изгОтовления радиатора. На фиг.1 изображен радиатор, вид сверху; на фиг.2 - радиатор с прибором, вид сбоку; на Фиг,3 - развертка заготовки ради атора (пунктиром отмечены линии сгиба).Радиатор содержит обжимное кольцо 1, выполненное в виде...

Номер патента: 1751829

Опубликовано: 30.07.1992

Автор: Пилюгин

МПК: H01L 23/36

Метки: охлаждения, полупроводникового, прибора

...прибора, а элемент крепления расположен на продольной геометрической оси верхней полки корпуса,На фиг,1 представлена конструкция устройства; на фиг.2 - то же, вид сбоку: на фиг.3 - то же, вид сверху: на фиг 4 - Г -образный корпус, поперечное сечение; на фиг.5 - вариант использования устройства для охлаждения группы приборов; на фиг,б - устройство для охлаждения с буквенными обозначениями,устройство для охлаждения содержит оребренный корпус 1, выполненный Г-образным в поперечном сечении, между полками 2 и 3 которого размещены теплоотводящая пластина 4 и элемент крепления 5,расположенный на продольной геометрической оси верхней полки 2 корпуса 1, Тепло- проводящая пластина 4 имеет ребра б и вырез 7 и служит для фиксации охлаждаемого...

Номер патента: 1751868

Опубликовано: 30.07.1992

Авторы: Ким, Рожевецкий

МПК: H01L 23/36, H05K 7/20

Метки: высокотемпературных, термостатирования, электрорадиоэлементов

...хладагента, необходимое для охлаждения термостатируемого элементадо его рабочей температуры - стационарный режим работы устройства. Максимальные по амплитуде колебания хладагента в корпусе образуются при положении радиатора на высоте 1/4 длины корпуса от основания, Таким образом, термочувствительные элементы изменяют свои линейные размеры в соответствии с температурой термостатируемого элемента и соответственно перемещают его относительно 1/4 длины корпуса, что соответственно приводит к увеличению или уменьшению амплитуды колебания хладагента в корпусе устройства, т,е. к уменьшению или увеличению дозы хладагента на термостатируемый элемент. Частота колебаний хладагента в полости корпуса устройства равна или кратна собственной...

Номер патента: 1764092

Опубликовано: 23.09.1992

Авторы: Детинов, Златковская, Зусмановский

МПК: H01L 23/36, H05K 7/20

Метки: охлаждения, полупроводниковых, приборов, радиатор

...пружины выполнены из ленты прямоугольного поперечнога сечения с шагом витков, равным ширине поперечного сечения ленты, и что противолежащие цилиндрические поверхности стержня выполнены с равными между собой радиусами кривизны, а цилиндрические пружины выполнены с равнымивнутренними радиусами кривизны.Проведенные патентные исследования не выявили подобных технических решений, чта позволяет считать его соответствующим критерию "существенные отличия" и подтверждает новизну заявленного технического решения,На фиг. 1 представлен общий вид радиатора с установленным полупроводниковым прибором; на фиг, 2 - вид по стрелке А фиг. 1 без шайбы и гайки; на фиг, 3 - конструкция основания. Радиатор состоит из основания 1, оключающего в себя...

Номер патента: 1786697

Опубликовано: 07.01.1993

Автор: Наконечный

МПК: H01L 23/34, H01L 23/36, H05K 7/20 ...

Метки: мощных, охладитель, полупроводниковых, приборов

...поверхностью.Охладител ь Яиг. 1) содержит установочную площадку 1 под полупроводниковый прибор 2, радиально расположенйые плоские ребра 3 и установленные на ребрах турбулизирующие насадки 4, прижатые к торцам ребер с помощью прижимного элемента 5. Насадки 4 (см,фиг. 2) выполнены П-образной формы из теплопроводящего материала с клиновидными просечками по всей длине продольных торцовых кромок, образуя лепестки 6, При этом максимальный зазор амарас между стенками продольных торцовых кромок каждой насадки не должен превышать толщины ребер, а наружный размер и между боковыми стенками турбулизирующих насадок 4 должен быть не менее шага расположения ребер. Выполненные таким образом насадки 4 при установке на ребра 3 своими лепестками 6...

Номер патента: 1786698

Опубликовано: 07.01.1993

Авторы: Детинов, Златковская

МПК: H01L 23/34, H01L 23/36, H05K 7/20 ...

Метки: микросборка

...цилиндрической формы, прижим- ное устройство, состоящее из цилиндрической втулки 2 с упругой прокладкой 3 на торце, взаимодействующей с полупроводниковым прибором 5, и упругого разрезного кольца 4 с симметрично с равным шагом расположенными двумя парами радиально- направленных гофрообразных выступов 6 с чередующимся направлением вершин наружу и внутрь кольца. На наружной поверхности цилиндрической втулки выполнена круговая проточка 7, на поверхности гнездакладки 3, упругое разрезное кольцо 4 сжимают и устанавливают в гнездо так, чтобы гофрообразные выступы, направленные наружу кольца, попали в проточку 8 на поверхности цилиндрического гнезда, а гофрообразные выступы, направленные внутрь кольца, попали в проточку 7 на цилиндрической...

Номер патента: 1811044

Опубликовано: 23.04.1993

Авторы: Заславский, Фирцак, Шахайда

МПК: H01L 23/36, H05K 7/20

Метки: охлаждения, полупроводниковых, приборов, радиатор

...Переменный шаг гофр 7 обоснован соображениями переменной интенсивности теплового поля, уменьшающейся внаправлении от источника тепла. Наличиедополнительных воздушных каналов 5 обосновано соображениями усиления активности воздушных потоков, Для радиаторов, 45работающих без принудительного обдува, вусловиях естественной конвекции, данныевоздушные потоки могут без дополнительных затрат усилить эффект охлаждения тепловыделяющих полупроводниковых 50приборов,Технико-экономическая целесообразность применения заявляемого способаобусловлена простотой и технологичностьюизготовления радиаторов из штампованных 55 гофрированных элементов, имеющих низкую металлоемкость, а также возможность получения компактных радиаторов для работы с приборами...

Номер патента: 1823037

Опубликовано: 23.06.1993

Авторы: Воронин, Коган, Комаленков, Никитин, Тепман, Феоктистов, Чибиркин

МПК: H01L 23/36, H05K 7/20

Метки: охладитель, полупроводникового, прибора

...свинца или пластичного материала. Работа охладителя фиг.5 аналогична работе охладителя, изображенного на фиг, 2 и 3. Применение таких конструкций упрощает решение проблемы коррозионной стойкости и совместимости материалов внутри охладителя при одновременном снижении материалоемкости и трудоемкости его изготовления. Изображенный нэ фиг. 6 охладитель полуп роводникового прибора содержит корпус 1, связанные с ним гибкие теплопередающие диафрагмы 2 с возможностью контакта их внутренних поверхностей с теплоносителем 3, а на их внешних поверхностях размещены полупроводниковые приборы 4. Между внутренними поверхностями гибких тепло- передающих диафрагм 2, примыкая к ним, размещена составная эластичная опора 11, состоящая из 2-х дисков...

Номер патента: 1415986

Опубликовано: 20.02.2000

Авторы: Ласкин, Левашов, Сенчуков, Толкунов

МПК: H01L 23/36

Метки: полупроводниковый, прибор

Полупроводниковый прибор, содержащий по крайней мере одну полупроводниковую структуру, соединенную с основанием через промежуточные слои, по крайней мере одним из которых является компенсатор из пучка металлических стержней, отличающийся тем, что, с целью повышения его надежности за счет снижения величины механических напряжений в элементах конструкции, стержни компенсатора изогнуты с величиной прогиба, выбираемой из условия сохранения изгиба стержней на краю полупроводниковой структуры при сборке и эксплуатации полупроводникового прибора, причем плотность упаковки стержней на плоской поверхности компенсатора 0,2 - 0,91, а толщина стержней меньше толщины полупроводниковой структуры.

Номер патента: 1233735

Опубликовано: 10.06.2006

Авторы: Клебанов, Кожевников, Малеев, Филин, Шаров

МПК: H01L 23/36

Метки: полупроводниковых, приборов, теплоотвода

Способ получения теплоотвода для полупроводниковых приборов, включающий введение между тепловыделяющей и теплоотводящей поверхностями легкодеформируемой теплопроводящей прослойки, отличающийся тем, что, с целью снижения стоимости теплоотвода и повышения коррозионной стойкости контактирующих микронеровностями поверхностей при обеспечении высокой эффективности теплопередачи, теплоотводящую поверхность изготавливают из алюминиевых сплавов и подвергают ее анодному оксидированию до получения разрыхленного слоя толщиной 15 - 20 мкм.