Чужиков

Номер патента: 855787

Опубликовано: 15.08.1981

Авторы: Степанов, Фомина, Чужиков

МПК: H01J 29/45

Метки: видеосигнала, датчик, компенсацией, фона

...условиях и данном уровнеосвещенности мишени, если й ш йр.Это условие не нарушается при наблюдении объекта на меняющемся фоне, Если всегдай,-дй, -й -дйр,где Ьйф - изменение сопротивления приемного слоя засчет фоновой облученности мишени;.Дйр - изменение сопротивлениярезистивного (коммутируемого) слоя при его освещении от вспомогательного источника.За счет того, что в цепи коллектора отраженных электронов включена: йк, С-цепочка, сигнал с которойподается в цепь питания источника вспомогательного освещения, а реэистивный слой выполнен чувствительнымк этому источнику, в видиконе последнее равенство может поддерживатьсянепрерынно и автоматически. Наиболееуспешно датчик с таким видикономможет быть использован при визуализации точечных...

Номер патента: 594546

Опубликовано: 25.02.1978

Авторы: Гордиенко, Степанов, Фомина, Хазанович, Цырлин, Чужиков

МПК: H01J 29/45

Метки: видикона, мишень, многоэлементная

...коммутирующего электронного луча в мостовую электрическукэ схему обеспечивает возможность работы трубки, использующей такую мишень как фв режиме с накоплением, так и без накопленияинформации. В предлагаемой мишени все детектирующие элементы образуют замкнутые цепи и электрический потенциальный рельеф формируется независимо от считывающего электронного луча,Телевизионная трубка, в которой используется предлагаемая ми шень, работает следующим образом. Сопротивления элементарных участков фотопроводящего 1 и резистивного 7 слоев, ограниченных размерами ячеек 30соответствующих сигнальных сеток 2 и 5, включаются в электрическую цепь последовательнос источниками питания Би Б;. Для каждогоиз чувствительных элементов мишени образуются внутренние...

Номер патента: 519786

Опубликовано: 30.06.1976

Авторы: Булах, Гордиенко, Цырлин, Чужиков

МПК: H01J 31/50

Метки: изображения

...электроизолирующего слоя между резистивным слоем ипроводящими элементами мозаики устраняется возможность растекания потенциального релье 0 фа между соседними элементами и, следова 519786тельно, обеспечивается высокая разрешающая способность преобразователя. В предлагаемой конструкции независимо от значения сопротивления резистивного слоя растекание потенциального рельефа между соседними элементами практически отсутствует, так как линии токов в резистивном слое, идущие от внутреннего стержня каждого элемента, замыкаются на прилегающем к данному элементу соответствующем электроде управляющей сетки 5, Таким образом, величина сопротивления резистивного слоя должна выбираться из условия получения максимального изменения яркости...