Многоэлементная мишень видикона

Союз Советских Социалистических Республик(23) Приоритет Государственный комитет Совета Министров СССР па делам изобретений и открытий(45) Дата опубликования описания о 7,д 1,78(54) МНОГОЭЛЕМЕНТНАЯ МИШЕНЬ ВИДИКОНА Изобретение относится к преобразователям изображения, а именно к фотопроводящим мишеням передающих телевизионных трубок.Известна многоэлементная мишень, выполненная на стеклометаллической планшайбе, состоящей из коаксиальных элементов и имеющей на ее входном торце сплошной фотопроводящий слой, а со стороны выходного торца - мозаичную поверхность, каждый элемент которой образован выступающим из стекла центральным электродом элемента и проводящей сеткой, расположенной вокруг него, мозаичная поверхность покрыта фоторезистивным слоем 11.Недостатками такой мишени является низкая эффективность коммутации, приводящая к уменьшению чувствительности прибора, и нарушение целостности (прокалы вани е центральными электродами) фоторезистивного слоя, увеличивающее структурные неоднородности мишени и снижающее ее чувствительность. Известна также другая многоэлементная мишень видикона, содержащая анизотропную стеклометаллическую планшайбу с двумя сигнальными сетками, фотопроводящий слой, расположенный на входном торце планшайбы, проводящие элементы и резистивный слой на коммутируемом торце 12.Однако эта мишень имеет относительно низкую чувствительность и сложную конструкцию.Цель изобретения - увеличение чувствительности и упрощение конструкции.Это достигается тем, что резистивный слойнанесен на проводящие элементы и межэлементные промежутки толщиной, определяемойвыражением1 О 1 и 11 ф 1 г. сз / с 1"Мрто Рф 112 О,/4 где Тк - время кадра, с;Я, - удельное сопротивление фотопроводящего слоя, Ом м;151 Ф - толщина фотопроводящего слоя, м;д, - диаметр проводящего стержня, м;д - диаметр проводящего элемента, м;дз - диаметр ячейки сигнальной сетки, м;Е Е, - удельная диэлектрическая прони цаемость резистивного слоя, Ф/м.На фиг. 1 показана конструкция мишени;на фиг. 2 - эквивалентная схема включенияодного из элементов мишени и коммутирующего луча в электрическую цепь.Мишень содержит фотопроводящий слой 1, 5 первую сигнальную сетку 2, проводящие стер3жни 3, стекло 4, вторую сигнальную сетку 5,проводящие элементы 6, рсзистивный слой 7.Все элементарные ячейки мишени и коммутирующии электронныи луч (см. фиг. 1 И 21включены в мостовую схему, Одно из плечмоста образовано сопротивлением элементафотопроводящего слоя Кф и емкостью, образованной ячейкой 1-й сигнальной сетки и металлическим стержнем 3 (С,р), другое - продольным сопротивлением элемента резистивногослоя и емкостью, образованной ячейкой 2-йсигнальной сетки и металлическим стержнем (Ср); в третье и четвертое плечи моставключеиы соответственно источники питания Ь и Г , В диагональ моста включеныпоследовательно электронный луч, сопротивление которого К, и цепочка образованная15поперечным сопротивлением элемента резистивного слоя йпи его емкость Сп.Включение элементов мишени и коммутирующего электронного луча в мостовую электрическукэ схему обеспечивает возможность работы трубки, использующей такую мишень как фв режиме с накоплением, так и без накопленияинформации. В предлагаемой мишени все детектирующие элементы образуют замкнутые цепи и электрический потенциальный рельеф формируется независимо от считывающего электронного луча,Телевизионная трубка, в которой используется предлагаемая ми шень, работает следующим образом. Сопротивления элементарных участков фотопроводящего 1 и резистивного 7 слоев, ограниченных размерами ячеек 30соответствующих сигнальных сеток 2 и 5, включаются в электрическую цепь последовательнос источниками питания Би Б;. Для каждогоиз чувствительных элементов мишени образуются внутренние замкнутые цепи, по которым протекают фототоки, создающие потен- Мциальный рельеф независимо от коммутирующего электронного луча.На приемный фотопроводящий слой проектируется оптическое изображение. Электронный луч коммутирует мишень со стороны резистивного слоя. После ухода электронного лучапотенциал каждого элемента изменяется автоматически в соответствии с изменением освещенности так, что за время кадра на проводящих элементах образуется потенциальныйрельеф, соответствующий рельефу яркости в 43изображении.Считывание этого рельефа производится в процессе коммутации следующим кадром, а видеосигнал снимается либо с сопротивления нагрузки, включенного в одно из плеч моста, либо используется отраженная часть тока луча,4За счет исключения из конструкции металлических стержней, выходящих из торца план- шайбы, диэлектрического слоя и размещения поверх проводящих элементов и межэлементных промежутков резистивного слоя с постоянной времени разрядки, не превышающей времени кадра, во-первых, упрощается конструкция мишени, во-вторых, устраняется структуирование резистивного слоя металлическими стержнями, что значительно облегчает возможности практической реализации мишени мостового типа с высокой степенью однородности свойств по ее поверхности и соответственно повышает чувствительность прибора.За счет использования в качестве коммутируемого слоя полупроводникового материала с более эффективными по сравнению с металлами вторично.эмиссионнычи характеристиками реализуется эффективное считывание потенциального рельефа.Потенциальный рельеф в такой мишени формируется независимо от считывающего электронного луча, поэтому в качестве материала для фотопроводящего слоя можно использовать относительно низкоомные чувствительные в ИК-области спектра фотопроводники.Формула изобретения Многоэлементная мишень видикона, содержащая анизотропную стеклометаллическую планшайбу с двумя сигнальными сетками, фотопроводящий слой, расположенный на входном торце планшайбы, проводящие элементы и резистивный слой на коммутируемом торце, отличаюиаяся тем, что, с целью увеличения чувствительности и упрощения конструкции, резистивный слой нанесен на проводящие элементы и межэлементные промежутки толщиной, определяемой выражением.Г Ьь Ь с( /с(Еро Яф п с(, /Дгде Т - время кадра, с;Я - удельное сопротивление фотопроводящего слоя, Ом м;11 ф - толщина фотопроводящего слоя, м; д, - диаметр проводящего стержня, м; д - диаметр проводящего элемента, м; д - диаметр ячейки сигнальной сетки, м; ЕЕ, - удельная диэлектрическая проницаемость резистивного слоя, Ф/м.Источники информации, принятые во внимание при экспертизе:1. Авторское свидетельство СССР458296, М.Кл, Н 01 3 31/50, 1972.2. Авторское свидетельство СССР519786, М.КлН 01 1 3/50, 1974.Составитель В. БелоконьТехред О; Луговая Корректор Д. Мельниченко Тираж 959 Подписное ета Совета Министроий и открытийРаушская наб. д. 4/5жгород, ул; Проектн сударственного коми по делам изобрет 5, Москва, Ж, ППП Патент, г.