Номер патента: 198436

Авторы: Валеев, Государственный, Зев, Пиханова

ZIP архив

Текст

Союз Сооетских Социалистических РеспубликЗависимое от авт. свидетельстваЗаявлено 06 Ч 1,1966 ( 1080970/26-9)с присоединением заявкиПриоритетОпубликовано 28,Ч 1,1967, Бюллетень14Дата опубликования описания 28 ХП.196 Кл. 21 с, 55/01 МПК Н 01 сУДК 621.316,86(088.8) Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССРАвторыизобретения Х. С, Валеев, В, А. Князев и Е. С. Пиханова Заявитель Государственный научно-исследовательский электрокерамический институтНЕЛИНЕЙНЫЙ РЕЗИСТОР 1Известные нелинейные резисторы, изготовленные из смеси (в вес. %) ХпО 10 - 35 и 7 пзТ 10, ХпЗп 04, ЛпА 1 еО, или ХгОе 65 - 90 имеют относительно большую собственную емкостьь.Описываемый резистор отличается тем, что в исходную смесь вводят 0,25 - 2 (в вес. %) борной кислоты (НзВО,) или 1 - 10 пятиокиси ванадия (ЧвОв).Синтезируют исходную смесь при 1280 - 1320 С, измельчают синтезированный материал, вводят в него борную кислоту или пятиокись ванадия, а затем подвергают его обжигу при 1300 - 1340 С. Введение борной кислоты или пятиокисиванадия позволяют в 3,5 - 8 раз (в зависимости от номинального значения сопротивления резистора) снизить собственную емкость ре зистора. Предмет изобретенияНелинейный резистор, изготовленный изсмеси (в вес. Оо) 10 - 35 ХпО и 65 - 90 ХпзТтО 10 Хп,8 п 01, ХпА 1 04 или ХгОе, от,гачающийсятем, что, с целью уменьшения величины собственной емкости резистора, в исходную смесь вводят (в вес. %) 0,25 - 2 борной кислоты (НзВОз) или 1 - 10 пятиокиси ванадия (ЧО:),

Смотреть

Заявка

1080970

С. Валеев, В. А. зев, Е. С. Пиханова, Государственный научно исследовательский электрокерамический институт

МПК / Метки

МПК: H01C 7/112, H01C 7/115

Метки: нелинейный, резистор

Опубликовано: 01.01.1967

Код ссылки

<a href="https://patents.su/1-198436-nelinejjnyjj-rezistor.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Нелинейный резистор</a>

Похожие патенты