Способ изготовления варисторов на основе оксида цинка

СОЮЗ СОВЕТСНИХСОЦИАЛИСТИЧЕСКИХРЕСПУБЛИК 36124 А 1 119) О5 р 4 Н 01 ИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ ВТОРСКОМУ СВИ ЛЬСТВУ рмс-.ер,ОРОВ тся к о ь испол астиоваа оссторов спосоет фор з- ова ОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ СССРПЮ ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИИ(72) Гюнтер Вейзе 1 Андреас ШенДистер Краут, Ханс-Петер Брюкии Райнер Калтофен (РП)(54) СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ВАРИ НА ОСНОВЕ ОКСИДА ЦИНКА (57) Изобретение относи электроники и может быт но при изготовлении вари нове цинка. Предложенный готовления предусматрива ние тела варистора путем соединения .макроэлемента из полупроводящего материала на основе оксида цинка, легированного добавками с высокоомнымматериалом из чистого оксида цинка,Соединение макроэлемента осуществляют высокочастотным осаждением чистого цинка в кислородосодержащей средена поверхность элемента при рабочемдавлении 0,63 Па, со скоростью осаждения 70 нм/мин, мощностью 300 Вт втечение 28,5 мин. Способ позволяетисключить взаимодействие между твердым окисно-металлическим материаломи расплавленно-жидкой окисно-металлической фазой, вызывающее изменениеконцентрацией фаз на поверхности раздела. Это обеспечивает упрощениетехнологического процесса изготовления варисторов на основе оксидацинка. 1 табл,Скоростьосаждения 70 нм/минВысокочастотная мощность 300 ВтОсаждение осуществляется в течение 28,5 мин.,За счет исключения расплавленножидкой фазы, имевшей место в известном решении, получают четкую поверхность раздела фаэ с определеннымпрофилем концентраций.В качестве полупроводящего материала используют оксид цинка, легированный добавками, мол.7.: СоР 1;Н 1 Р 0 8 СГ 20 Оь 4На одну сторону этого материалавысокочастотным осаждением наносится слой чистого оксида цинка. В качестве материала для мишени используют мишень из цинка диаметром до100 мм, распыляемую в кислородосодержащей среде,Заданную толщину слоя, равную2 мкм, получаютпри времени осаждения28,5 мин. Максимальная толщина слоясоставляет 20 мкм, Сторона пластины,не покрытая оксидной пленкой, и самаоксидная пленка оснащены контактамииз индия-галлия.Варистор имеет нелинейную вольтамперную характеристику со значениями, представленными в таблице. Напряжение при полярности АН 1,17 1,77 2,87 10 3,99 Способ изготовления варисторов на основе оксида цинка, включающий формирование тела варистора путем соединения макроэлемента из полупроводящего материала на основе оксида цинка, легированного добавками, с высокоомным материалом иэ чистого оксида цинка, о т л и ч а ю щ и й с я тем,При этом устанавливаются следующие параметры процесса:Рабочее дав- ление 0,63 Па 11336124 2Изобретение относится к технологйи изготовления электронных приборов, в частности к технологии изготовления варисторов на основе оксида цинка.Известен варистор на основе оксида цинка и способ его изготовления, включающий соединение макроэлемента, состпящего из полупроводящего окиснометаллического материала на базе 10 легированного оксида цинка, с макро- элементом, состоящим из оксида металла, путем отжига на воздухе (патент США У 3503029, кл. 338-20, 24.03.70).Оксид металла наносится на основ ной материал в качестве пасты и превращается во время изготовления в расплавленно-жидкое состояние. Реактивное взаимодействия между твердым окисно-металлическим материалом на 20 базе легированного оксида цинка и расплавленно-жидкой окисно-металлической фазой вызывает изменения концентраций фаз на поверхностях, разде" ла. Вследствие термически обусловленных диффузионных процессов граница раздела Фаз с определенным профилем концентраций трудно определима и возникает необходимость наличия множества диффузионных и реакционных ЗО процессов для создания определенных свойств варистора, Этим осложняется технологический процесс.Цель изобретения - упрощение технологического процесса изготовления З 5 варисторов на основе оксида цинка,ЭЦель достигается тем, что согласно способу изготовления варисторов на основе оксида цинка соединение макроэлемента из полупроводящего мате 10-6 риала с высокоомным материалом осуществляют высокочастотным осаждением 1 87В чистого оксида цинка в кислородосодержащей среде на поверхность макро 2,70 элемента при рабочем давлении 0,63 Па, 4 б со скоростью осаждения 70 нм/мин, 4,08 мощностью 300 Вт в течение 28,5 мин.П р и м е р. На поверхность макроэлемента из основного материала, полу- проводящего материала на основе окси ф о р м У л а и з о б р е т е н и я да цинка, легированного добавками, осаждают путем высокочастотного осаждения чистый оксид цинка в кислородосодержащей среде.1336124 Корректор А.Обручар Техред И.Попович Редактор А.Козориз Заказ 4052/50 Тираж 697 ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская наб д, 4/5Подписное Производственно-полиграфическое предприятие, г. Ужгород, ул. Проектная, 4 что, с целью упрощения технологического процесса, соединение макроэлемента из полупроводящего материалана основе оксида цинка с высокоомнымматериалом на основе чистого цинкаосуществляют высокочастотным осаждением чистого оксида цинка в кислородосодержащей среде на поверхностьмакроэлемента при рабочем давлении0,63 Па, со скоростью осаждения70 нм/мин, мощностью 300 Вт в течение 28,5 мин.