Способ юстировки пленочных резистивных углеродистых элементов

Номер патента: 374552

Опубликовано: 01.01.1973

МПК: G01R 27/00

Метки: микросхем, пленочных, резистивных, сопротивления, удельного

...Цля этого:в качестве образцового резистора используют рабочую плату микросхемы, а электроды резистора изготовляют одновременно с рисунком слоя коммутации данной схемы.На,фиг. 1 показан разрез участка подложки, на котором создан измеряемый образец резистора с электродами в виде двухсвязной области; на фиг. 2 - тот же участок подложки, вид сверху,На изолирующую подложку 1 нанесен слой материала 2, удельное сопротивление которого требуется определить. Онслоем значительно более прориала,Ь слое последнего с помощью тогогого способа гравировки, напримерфотолитографии, может быть удалематериала в виде, кольца, благодаряразуется, резистор кольцевой формытродами в,виде двухсвязной областт 0 ний электрод д, внутренний электропротивление...

Номер патента: 1292045

Опубликовано: 23.02.1987

Авторы: Евдокимов, Лев, Литвинюк, Стремовский

МПК: H01C 10/24

Метки: величины, вращения, осью, переменных, погрешности, резистивных, резисторов, сопротивления, элементов

...(у основания начального вывода) сигнал разбаланса измерительного моста равен нулю и самопишущий прибор 20 фиксирует на диаграммной ленте (не показана) линию нулевых погрешностей. Дальнейший поворот кулачка 36 после обеспечения краткого соприкосновения токо- съемного контакта 5 к резистивному элементу 44 позволяет пружине 33 отвести токосъемный контакт 5 от оправки 45 в крайнее положение. При этом одновременно замыкается контакт 37, посредством которого через БУ 38 размыкается контакт 39 АЗУ 16, временно отключая СП 20 от выхода блока 1 контроля. После этого БУ 38 включает кратковременно электромагнит 28 фиксатора 26, выводя последний против действия пружины 27 из впадины дели- тельного диска 22, и запускает электродвигатель 25...

Номер патента: 1659922

Опубликовано: 30.06.1991

Авторы: Краснов, Кузюкин

МПК: G01R 31/28

Метки: регулируемого, резистивного, сопротивлением, элемента

...Одновременно начинают течь токи и через РДРЭ 1.1. С учетом направления токов, протекающих через РДРЭ 1,1 и второй 7 и третий 8 источники тока, можно заключить, что в случае неравенства этих токов между собой разностными токами будут заряжаться первый 5,1 и второй 5.2 конденсаторы, По этой причине, если ток, протекающий через РДРЭ 1.1 на инвертирующий вход операционного усилителя (ОУ) 3, сатор, включенный между неинвертируюбудет меньше тока, протекающего через щим входом и выходом операционного усивторой источник 8 тока, разностный ток на- лителя, причем выход операционного чнет заряжать первый конденсатор 5,1, Это усилителя соединен с первым выводом реприведет к тому, что напряжение на выходе 5 гулируемого резистивного...

Номер патента: 1707789

Опубликовано: 23.01.1992

Автор: Кузюкин

МПК: H03G 3/30, H05K 13/08

Метки: резистивного, сопротивления, элемента

...Так как сопротивление КК равно (Ск 1 т), где Сн - емкость КК, 1 т - частота коммутации КК, то, приравнивая его к сопротивлени;о управляемого резистора В, получают(Ск 1 т) = В или ВС 2 = 1/1 т, (1) Из выражения (1) видно, что постоянная времени ВСя оказывается равной периоду тактовой частоты, с которой.коммутируется КК, Так как тактовую частоту можно вырабатывать эталонным генератором тактовых импульсов (например, кварцевым генератором), то погрешность абсолютного значения постоянной времени ВСя определяется погрешностью установки частоты эталонного генератора тактовых импульсов,Так как напряжение на выходах источника 10 опорного напряжения не равно нулю, то через регулируемый дифференциальный резистивный элемент 1.1 начинают течь...

Номер патента: 1833807

Опубликовано: 15.08.1993

Авторы: Коломеец, Севостьянов, Фридман

МПК: G01N 23/00

Метки: земли, поверхностном, слое, содержания, элемента

...инейтронного и рентгеновсреде; снап, ор - сечения взаронов и протонов с ядрамделяемого элемента, 1 ил. где А - средний атомнвр - масса протонар,рпих - массовглощения гамма-, нейтвского излучений в среОп, Ьр - сечения взронов и протонов с ядрделяемого элемента.Изобретение иллжом, на котором предизмерений.Способ осуществлязом.Располагили суши дат омического излучения и датчик 2 захватного гамма-излученияядер определяемого элемента, датчик 3 потока протонов р космическо. го излучения и датчик 4 характеристического излучения х атомов определяемого элемента. Производят регистрацию указанных потоков, Определяют содержание элемента в первом С и втором С 2 поверхностных слоях по соотношениям: Атп хх; Сг -Ър а,Ь Ниже приведен пример...