Способ юстировки номиналов пленочных резисторов

Номер патента: 261521

Авторы: Важенин, Егорова, Кандыба, Фоменко

ZIP архив

Текст

6 Б 2 ОПИЮИЗОБРЕТЕНИЯК АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союз Советскил оциалистически Республикависимое от авт, свидетельствааявлено 08.1 Ч,1968 ( 1232396/26-9) л. 21 с, 54/05 присоединением заявкиКомитет по делам аобретений и открытий при Совете Министров СССРвитель СПОСОБ ЮСТИРОВКИ НОМИНАЛОВ ПЛЕНОЧНЫХ РЕЗИСТОРОВЕсли це все резисторы микросхемы требуют подгонки под номинал, микросхему можно временно покрыть защитным слоем лака, оставив открытыми те резисторы, которые требуют подгонки.После подгонки величинырезисторов лак удаляется.При юстировке резисторов, изготовленных на основе металлосилицидного сплава, можно применять раствор следующего состава, подогретый до температуры бурного выделения атомарного кислорода: 2 части аммиака, 80 частей перекиси водорода, 500 частей дистиллированной воды. Температура раствора должна составлять 60 - 70 С. сопротивления едмет изобретения Способ юстирорезисторов, основщины резнстивноличающийся тем,процента выходары обрабатываютлителе (напримерводорода аммиактуры бурного выдда. Изобретение относится к области микроэлектроники и может быть применено в производстве резисторов.Известен способ юстировки, основанный на увеличении сопротивления резисторов посред ством уменьшения толщины резистивного слоя, например оксидированием.Однако в известном способе наблюдается изменение электрофизических характеристик ,резистивиого слоя в процессе юстировки, что 10 приводит к снижению выхода годной продукции.Предлагаемый способ юстировки отличается от известного тем, что резисторы подвергают химической обработке в растворах, выде ляющих при нагреве их до определенной температуры атомарный кислород. Присутствие в растворе свободного атомарного кислорода ведет к окислению поверхностных слоев обрабатываемых резистивных пленок, Процесс 20 окисления увеличивает сопротивление такой пленки, так как уменьшается эффективная толщина проводящего слоя, что повышает процент выхода годной продукции.Время выдержки в растворе определяется 25 требуемым процентом изменения величины сопротивления обрабатываемых резисторов и может составлять от 1 до 20 - 25 мин. вки номиналов пленочных анный на уменьшении толо слоя оксидированием, отчто, с целью увеличения годной продукции, резистов слабом растворе - окис, водном растворе перекиси а), подогретом до темпераеления атомарного кислоро

Смотреть

Заявка

1232396

И. Н. Важенин, Н. М. Егорова, П. Е. Кандыба, П. А. Фоменко

МПК / Метки

МПК: H01C 17/26

Метки: номиналов, пленочных, резисторов, юстировки

Опубликовано: 01.01.1970

Код ссылки

<a href="https://patents.su/1-261521-sposob-yustirovki-nominalov-plenochnykh-rezistorov.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ юстировки номиналов пленочных резисторов</a>

Похожие патенты