G01N 27/22 — путем измерения электрической емкости

Номер патента: 1827615

Опубликовано: 15.07.1993

Автор: Потапов

МПК: G01N 27/22

Метки: вещества, исследования, надмолекулярной, структуры

...М, что позволяет принято ч в качестве независимого аргумента. Наличие непосредст 5 10 15 20 25 30 35 венной связи между е и т в соответствии с (7) позволяет информацию о межмолекулярных взаимодействиях получить опосредованно по (6).В области низких концентраций растворов, где выполняется условие невзаимодействия между дипольными молекулами время релаксации т не зависитот концентрации. По мере увеличения концентрации расстояние между молекулами уменьшается, что в соответствии с (3) приводит к увеличению энергии взаимодействия. При некоторой концентрации это взаимодействие становится большим, чем энергия короткодействующих сил взаимодействия дипольной молекулы с молекулами растворителя. Это превышение энергии должно проявляться в...

Номер патента: 1827616

Опубликовано: 15.07.1993

Авторы: Имамиев, Кокорин, Серов

МПК: G01N 27/22

Метки: газа, газожидкостной, концентрации, объемной, потоке, смеси

...в проточных камерах, которые включены в разрыв трубопровода 3 через гидравлические сопротивления 4, 5, 6, 7, выполненные в виде отверстий, Величина гидравлического сопротивления 4 равна величине гидравлического сопротивления 7, а ная технимную конидкостнойемкостей конденсадавления.я два одиатора разкаждой из нены гид- ЭТОМ ВХОД- ние одной лическому ,1 ил,1827616 Формула изобретения 1. Способ определения объемной концентрации газа в потоке газожидкостной смеси путем измерения емкостей двух одинаковых конденсаторов, помещенных каждый в проточную камеру, и определения объемной концентрации газа, о т л и ч а ющ и й с я тем, что, с целью упрощения процесса определения и расширения функциональных возможностей в проточных камерах...

Номер патента: 1835072

Опубликовано: 15.08.1993

Авторы: Грибова, Савченко

МПК: G01N 27/22

Метки: влажности

...баллона 2 вакуумного кварцевого резонатора 1, Наличие в емкостном датчике вакуумного пространства внутри стеклянного баллона обеспечивает ниэкуе емкость датчика, необходимую для возбуждения кварцевого резонатора на частоте параллельного резонанса. Подстройка на частоту параллельного резонанса осуществляется перемещением подстроечного электрода 4 вдоль стеклянного баллона 2 вакуумного кварцевого резонатора 1(фиг, 1, 2), Чем ближе частота возбуждения кварцевого резонатора к частоте его параллельного резонанса, тем выше выходной параметр устройства - эквивалентное активное сопротивление измерительной цепи и чувствительность устройства к влажности, что подтверждается зависимостями 10, 11 (фиг.3), Так, например, при нахождении...

Номер патента: 1835507

Опубликовано: 23.08.1993

Автор: Вакалов

МПК: G01N 27/22

Метки: датчик, емкостный

...уплотнение порошковых материалов. Между скоростью продувания газа и величиной давления порошковых материалов в электродном промежутке датчика существует взаимообратная связь. При перемещении датчика, часть порошкового материала выталкивается газом из промежуткэ междуэлектродами, снабжен обратным клапан С - С ЕЕ - 1 Г 11 35 Е ДРУГОИ КОНЕЦ ПОДСОЕДИНЕН К ИебУДИГЕ Сб - С расхода воздуха,.внешним и внутренним электродами, при этом частично устраняется его уплотнение. Изменяя скориость продувания газа, мы тем самым облегчаем внедрение датчика на любую глубину. Используя сменные внешние 5 конусы разных размеров можно тем самым изменять расстояние между электродами и измерять диэлектрическую проницаемость порошковых материалов...

Номер патента: 2002244

Опубликовано: 30.10.1993

Авторы: Мефед, Францессон

МПК: G01N 27/22

Метки: влажности

...или в последовательную цепь, соединяющую генератор с сигнальным входом фазового детектора, Для расширения диапазона измеряемой влажности устройство может дополнительно содержать цепь автоматиче ской регулировки усиления (АРУ), вход которой соединен с выходом усилителя; а выход - с его управляющим входом.На фиг, 1 и 2 показана функциональнаясхема предлагаемого устройства.25 Устройство (фиг. 1) содержит генератор1 переменного напряжения емкостной мост 2 с измерительной ячейкой 3, усилитель 4, фазовращатель 5 и фазовый детектор 6. Выход генератора 1 через последовательно соЭ 0 единенные измерительный мост 2 иусилитель 4 подключен к сигнальному входу фазового детектора 6 и через фазовращатель 5 - к управляющему входу этого детектора, выход...

Номер патента: 2003992

Опубликовано: 30.11.1993

Авторы: Баталов, Гвоздев, Михайлов, Панкратов, Пожидаев, Саенко

МПК: G01N 27/22, G01R 27/04, G01R 27/26 ...

Метки: диэлектрика, параметров

...а вторая заканчивается меряемого материала определяется смещенисогласованнойнагрузкой,причемвыходге- ем центральной частоты, а потери - нератора качающейся частоты подключен к 50 измерением полосы частотной характеристипервойщелевойлиниинэчетвертьволновой ки по уровню 0,7. Измерения проводятся в длине от места закоротки, а во вторую щв- следующем порядке. При включении приболевуюлинию натой жедлинеотсогласован- ра производится начальная инициализация ной нагрузки включена цепь, состоящая из микропроцессора 7, при этом нэ входе ЦАП последовательно соединенных детектора и 55 11 устанавливается нулевое напряжение, а конденсатора, э также введены два посто- .на блоке 10 индикации индицируются нули, янно запоминающих устройства со...

Номер патента: 1071100

Опубликовано: 27.06.1995

Авторы: Алиев, Гусейханов, Рабаданов, Эфендиев

МПК: G01N 27/22, H01L 29/41

Метки: влажности, датчик

ДАТЧИК ВЛАЖНОСТИ, содержащий чувствительный элемент, выполненный из слоя оксидного полупроводника с двумя контактами на противоположных поверхностях, один из которых омический, отличающийся тем, что, с целью увеличения чувствительности датчика, второй контакт с барьером Шоттки, площадью, изменяющейся в диапазоне (0,1 1) 10-4 см2, сформирован на оксидном полупроводнике из окиси цинка.

Номер патента: 1811745

Опубликовано: 10.01.1996

Авторы: Аминджанов, Билюкова, Бондарь, Вербицкая, Стариков

МПК: G01N 27/22

Метки: времени, жизни, клеев, эпоксидных

СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ВРЕМЕНИ ЖИЗНИ ЭПОКСИДНЫХ КЛЕЕВ, заключающийся в том, что при постоянной температуре снимают зависимость тангенса диэлектрических потерь tg от времени, находят на этой зависимости время достижения tg реперной величины, по которому определяют время жизни клея, отличающийся тем, что, с целью определения максимального времени жизни клея, снимают зависимость tg от времени при нескольких температурах, реперную величину выбирают после прохождения tg максимальной...

Номер патента: 1816107

Опубликовано: 20.12.1996

Авторы: Бурштейн, Гольтман, Гурко, Елизаров, Пучагев, Секанов

МПК: G01N 27/22

Метки: влагомер, волокнистых, прессованных

...5 с подвижным основанием 9, соединенным с корпусом 1 через пружину 8, В корпусе 1 расположена измерительная схема 10, электромеханический измеритель плотности материала, содержащий жестко Влагомер прессованных волокнистых материалов, содержащий первичный емкостный преобразователь и контактную пару, включенные в измерительную схему, подвижное основание, соединенное через пружину с закрепленный на основании 9 потенциальный электрод-зонд 7 и преобразователь перемещения зонда в плотность, выполненный в виде набора пластин 11 разной длины и клемм, образующих контактную пару. В верхней части корпуса 1 расположены цифровое табло-указатель влажности материала 12 и светодиоды (на чертеже не показаны). Длина пластин выбрана таким образом, что...

Номер патента: 1037763

Опубликовано: 20.05.1999

Авторы: Бурштейн, Иванов, Кузнецов, Секанов, Степанов, Стружинский, Урамовский, Шкуропадский

МПК: G01N 27/22

Метки: влагомер, сыпучих

1. Влагомер сыпучих материалов, содержащий корпус с расположенным внутри средством для формирования измерительной дозы материала, состоящим из подвижного по отношению к корпусу стакана, внутри которого расположен цилиндр, образующий со стаканом полость для исследуемого материала и являющийся датчиком-конденсатором, и взвешивающих подпружиненных подвесок, шарнирно связанных с корпусом и стаканом, и контакт включения электронной измерительной схемы, отличающийся тем, что, с целью повышения точности измерения влажности путем формирования измерительной дозы с меньшим отклонением по массе и уменьшением интервала времени зоны срабатывания при включении измерительной схемы, взвешивающие...

Номер патента: 658870

Опубликовано: 27.04.2006

Авторы: Гурфинкель, Селиванов, Серегин, Чучеров

МПК: G01N 27/22, G01N 9/32

Метки: датчик, емкостной, сплошности

Емкостной датчик сплошности, содержащий полый цилиндрический корпус, выполненный в виде участка трубопровода, полость которого разделена на зоны коаксиальными цилиндрическими электродами равной длины и толщины, соединенными через один в две группы, отличающийся тем, что, с целью повышения точности измерения, коаксиальные цилиндрические электроды выполнены так, что диаметр второго от центра цилиндра во столько раз больше первого, во сколько диаметр третьего больше второго.

Номер патента: 893092

Опубликовано: 27.05.2012

Авторы: Апанасенко, Гурский, Сигалов

МПК: G01N 27/22, H01L 21/66

Метки: концентрации, легирующей, полупроводниках, примеси, профиля

Способ определения профиля концентрации легирующей примеси в полупроводниках, основанный на измерении вольт-фарадной характеристики МДП-структуры и определении профиля концентрации легирующей примеси расчетным путем, отличающийся тем, что, с целью расширения пределов определения профиля концентрации легирующей примеси, перед измерением вольт-фарадной характеристики к МДП структуре прикладывают через ограничивающий ток резистор линейно возрастающее напряжение до возникновения в диэлектрике проводимости от 10-11 до 10-9 (Ом·см)-1 .