G01N 27/12 — твердого тела в зависимости от абсорбции текучей среды, твердого тела; в зависимости от реакции с текучей средой

Номер патента: 392389

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Киселев, Лавриненко, Мащенко, Недужий, Сморчков, Цибизов

МПК: G01N 27/12

Метки: юзная

...синтетических волокон, при их технологической обработке на предприятиях легкой промышленности.Для обеспечения непрерывного измерения влажности материала в процессе его технологической обработки в качестве чувствительного элемента использован волноводный Е(Н,-тройник, через полости прямых плеч которого протягивается волокнистый материал, а к плечу Е (Н) подключена измерительная схема, вь 1- полненная в виде направленного ответвн, к основному плечу которого через аттенюатор подключена детекторная секция, а к ответвляю 1 цему каналу - генератор СВь.На чертеже показано предложенное устройство,Устройство содержит волноводный Е(Н)-тройник 1 и измерительную схему, состоящу 1 о из развязывающего элемента 2, клпстрэиного генератора СВЧ 3,...

Номер патента: 419777

Опубликовано: 15.03.1974

Авторы: Проектный, Реммель

МПК: G01N 27/12

Метки: мер, электровлаго

...20 и сопротивление 21 для компенсации рассеивания характеристики транзистора 9 путем регулирования напряжения, подаваемого на датчик. Указанное регулирование производится лишь олин ряз прц налаживании элсктровлагомера.11 итацие ца схему подается от блока 22, который может содержать, например, трацсфор- ГЯтоп с необходимыми обмотками, выпрямители ц фильтры.Послс цзГОтовлсн и 1 электр ов,1 яГОмс 13 ГроизВОдят сГО н 1 ляжцВанис, зя 1"лючяюпссся В следующем. Прц цепрцсоедцнсццом датчике 1 (клеммы 2 и 8 свободны) вклцочают питание, зятем ПОВОрячнВя 10 т ГС 1)екл 10 атель 7 В пОлО жение а. В этом положении переключателя клсммь Остаотея разомкнуты:51, что при проведении измерений соответствует положению, когда измеряется...

Номер патента: 428265

Опубликовано: 15.05.1974

Авторы: Воронов, Сол, Украинский

МПК: G01N 27/12

Метки: 428265

...ляух взаимосвязаиицх генераторов, резоиаисиые частоты которых иезиачительио отличаогся ОЛиа От Лру Ой.- которыи помещается исследуемый материал,и иилуктивп)стей 8, 9,О и 11 конту)Ов и связи.Два взаидосвязаииых н)срелствол иилуктивпотей 9 и 10 полуироволциковых генератора 2 и 5 имеют общую резонансную частоту 5 порядка 2,г, Определяемую величииамиемкостей 5 и 6. Связь катушек илуктивистей 9 и 10 с иидуктивиостями резонансных коту.ров выбрана такой, чтобы обеспечить сихроииую работу обоих генераторов в иебольиий 10частотной полосе при изменении частоты первого генератора вследствие измеиеиия зиачеиия емкости емкостиог) датчика 7, ри этом оба генератора будут работать с олиаковой частотой, хотя абсолютное зиацеиис этой частоты может...

Номер патента: 438918

Опубликовано: 05.08.1974

Авторы: Малкин, Усольцев, Юнович

МПК: G01N 27/12

Метки: влажности, относительной

...сигнал, про порциональный температуре окружающейсреды, и модулируют им сигнал, поступающий с фотоприемного устройства, и по полученному сигналу судят об относительной влажности. При этом температурный сигнал форми руют так, чтобы он был пропорционален зависимости абсолютного влагосодержания при насыщении от температуры среды.Способ поясняется чертежом.Источник световой радиации 1 посылает 0 два луча Фо и Ф 0 е, причем максимум длиныволны излучения Хфсовпадает с максимумом полосы поглощения парами воды световой радиации (например, 1,8 мкм луча Х,лежит вне полосы поглощения 1,65 мкм). Оба луча 5 проходят через исследуемую среду 2 и принимаются фотоприемным устройством 3, На выходе фотоприемного устройства формируется сигнал 0...

Номер патента: 485372

Опубликовано: 25.09.1975

Авторы: Василенко, Калинин

МПК: G01N 27/12

Метки: влажности, грунте, связном

...в три раза наибольший размер датчика, Глубина скважины цревьииает глубину ус 1 ановки датчика иа величину, равную полутора-двум размерал 1 датчика, Дно скважины зачиивется, после чего в цее засыпается порция воздушно - сухого однородного мелкого цеегка,который используется при тарировании дачика, Затем песок разравнивается и в скинжину опускается датчик, который ус е агга в" 5 ливается в зафггксированнолг положении иоцентру скважины. После закрегеления гибкого соединительного кабеля в сква кинузасыпается следующая, равная предыдущей,порция песка, который также разравнивает О ся и слегка утрамбовывается.Далее на гидроизоляционцой пленке цскважину опускаетси первая порция разрых ленного и замочеццого глицистог о груп га,которь 1 й...

Номер патента: 497511

Опубликовано: 30.12.1975

Авторы: Подкин, Розенталь, Четин, Шихов

МПК: G01N 27/12

Метки: высыхания, дисперсных, диэлектрических, многофазных, степени

...напри эуфиллина, и може сти, в фармацевтиче релакюдается же при зволяет тически на частоте, соо сации исследуе большое измен малых значени надежно опред до момента пол Изобретение относитс еским методам контролямер спиртововлажногот использоваться, в частноской промышленности,Известны способы определения степени высыхания диэлектрических материалов, основанные на измерении полной проводимости в процессе высыхания материала. Нестабильность результатов измерения при этом обус ловлена зависимостью выходного параметра от дисперсности материала.С целью повышения точности определения по предлагаемому способу измерение полной проводимости проводят на частоте, соответ ствующей времени релаксации исследуемого материала, например для...

Номер патента: 511033

Опубликовано: 15.04.1976

Автор: Христо

МПК: G01N 27/12

Метки: влажности, пиломатериалов, процессе, сушки

...В электрическую схему входит также потенциометр 18, который также питается от источника стабилизированного напряжения, нагрузкой которого служит сопротивление 19.Перед началом сушки большую уравновешивающую массу 4 устанавливают в определенпом положении на рычаге 1 таким образом, чтобы произвести максимально возможную компенсацию всей сухой массы данного материала. Это приводит к соответствующему отклонению рычажного устройства весов от его положения равновесия, При этом перемещается подвижный сердечник, в результате чего изменяется амплитуда выходного напряжения на катушке индуктивности 8, Это напряжение выпрямляется фазочувствительным выпрямителем 9, сглаживается фильтром 10 и подается на вход магнитного усилителя 11, амплитуда и...

Номер патента: 587382

Опубликовано: 05.01.1978

Авторы: Генкин, Глухов, Иноков, Садыков, Цимерманис, Шикирянский

МПК: G01N 27/12

Метки: влагосодержания, датчик

...держатель 1 электродов, выполненный из материала, структуроподобного испытываемому образцу (изделию),изолятор 2, служащий для разделения электродов один эт другого н от держателя электродов, и электроды 3.Изоляторы исключают погрешнния, вносимые держателем электегэ увлажнении.Отличительной особенностьк является то,что жесткий держатель электродов выполнениз материала, имеющего в момент установки датчика потенциал оводнения, эдинаковыйс исследуемым материалом,Такое конструктивное рещение устройстваобеспечивает повыаение точности иззренийвлагосодержания за счет доведения потенциала овэднения держателя электродов довеличины одинаковой с исследуемым мате587382 Составитель Л. ШароваРедактор И. Квачадзе Техред 3. фанта К орректор М....

Номер патента: 819670

Опубликовано: 07.04.1981

Автор: Седых

МПК: G01N 27/12

Метки: биологических, веществ, степенивысыхания

...10 - 10 Гц, а адсорбционную влагу в интервале 10 а - 1 ОЬ, Ги,.Сущность способа заключается в том, что площадь максимумов дипольных диэлектрических потерь влаги в биологическом препарате определяется всеми диполями влаги независимо от характера их распределения по времени релаксации и формам связи с не- водными компонентами. Это обеспечивает повышение стабильности данных и их высокую воспроизводимость до полного высыхания биологического препарата. Площадь максимума может быть найдена с высокой точностью, так как включает частотную ось, которая известна со сколь угодно высокой точностью и ряд значений величин диэлектрических потерь. Возможность оперировать не с одним значением, а рядом значений также позволяет повысить точность...

Номер патента: 1052974

Опубликовано: 07.11.1983

Авторы: Баскаков, Гусев, Кузнецова, Матвеев

МПК: G01N 27/12

Метки: датчик, токопроводности

...выполнен из упругого материала, а длина внешнегоэлектрода больше длины внутреннегорг кт )на величину Глд,й" гдеИт - радиус внутреннего электрода;В 2 - наружный радиус внешнего электрода, причем внешний электрод вы- Ополнен из нежесткого материала, пропитанного токопроводящим составом.Внешний электрод выполняют преимущественно из хлопчатобумажного лампового фитиля, пропитанного антиэлектростатической композицией,На фиг. 1 изображен предлагаемыйдатчик, обций вид, продольный разрез;на фиг. 2 - схема включения датчика.Датчик содержит электрод 1, выполненный из упругого материала (например, упругой резины, стальной пружины и т.д.), и коаксиально расположенный с ним внешни 1. электрод 2, выполненный из нежесткого материала,пропитанного...

Номер патента: 1093957

Опубликовано: 23.05.1984

Авторы: Пантелеев, Рохман, Себко

МПК: G01N 27/12

Метки: неферромагнитных, цилиндрических, электропроводности

...имеющей параметры рабочей катушки 8 и предназначенной для получения сигнала, равного сигналу, снимаемого с рабочей катушки 8 при отсутствии иэделия 9. Все три катушки имеют намагничивающие обмотки 13, включенные последовательно, и измерительные обмотки 11 При этом измерительные обмотки 11 катушек 8 и 10 соединены встречно и своим сиг нальным выводом подключены к одному иэ входов функционального преобразо- вателя 4 У а измерительная обмотка 11 катушки 12, включенная согласно с измерительной обмоткой 11 катушки 8, 50 сигнальным выводом подключена к второму входу функционального преобразователя 4, Измерительные обмотки 11 катушек 10 и 12 выполнены в виде дискретных вариометров, параметры ко торых можно изменять с помощью...

Номер патента: 1582104

Опубликовано: 30.07.1990

Авторы: Королев, Левцов, Мыскин

МПК: G01N 27/12

Метки: измерений, кондуктометрических

...электроизоляционной жидкостью 8. /Выводы электрических элементов (центрального и внешнего электродов), покрытия электрода (термопары), термочувствительного микропровода подключены к соответствующим усилителям в электрической схеме устройства, где 9 - усилитель первого сигнала температуры (термопары), 10 - усилитель сигнала электропроводности, 1 - уси 582104литель второго сигнала температуры (термосопротивления). Выходы усилителей 9 и 11 суммируются и нормируются с коэффициентом 0,5 в сумматоре 12, после чего поступают на первый вход вычислительного устройства. На второй и третий входы вычислительного устройства поступают сигналы с выходов усилителей 10 и 11.Устройство работает следующим образом.Центральный 2 и внешний б электроды...

Номер патента: 1608549

Опубликовано: 23.11.1990

Авторы: Гутман, Мясников, Телия

МПК: G01N 27/12

Метки: газовой, компоненты

...регистрируют ту температуру, при которой начинается изменение электропроводности или работы выхода полупроводниковой пленки оксида металла при подаче в рабочую камеру неизвестных газовых кОмпонент. По калибровочным данным качественно определяют газовую компоненту, соответствующую этой температуре, Данные калибровки измеряемого параметра - температуры источника колебательновоэбужденных молекул, соответствующей началу изменения электропроводности или1608549 Составитель Н.ПреображенскаяТехред М.Моргентал Корректор Л.Патай Редактор И.Горная Заказ 3612 Тираж 511 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035, Москва, Ж, Раушская наб., 4/5 Производственно-издательский комбинат "Патент", г....

Номер патента: 1501712

Опубликовано: 07.01.1991

Авторы: Болтенко, Джусов, Степин, Чернухин

МПК: G01N 27/12

Метки: дисперсной, каналах, концентрации, парогенерирующих, фазы

...паровой фазы, подаетсячерез усилитель 3 на вход пиковогодетектора 4, Выделенная пиковым детектором 4 амплитуда положительногополупериода сигнала с выхода усилителя 3 во время отрицательного полу 35периода подается через включаемый,на некоторое время ключ 6 н аналоговое запоминающее устройстно 7, послечего пиковый детектор разряжается(сбрасывается в исходное состояние),Включение ключа 6 и сброс пиковогодетектора 4 производятся синхроимпульсами от устройства синхронизации 5.Выходной сигнал 11 запоминающегоустройства, равный по величине ампли 45туде и-го положительного полупериодавходного сигнала (последнего иэ поступивших на вход) подается иа форми,рователь 8, на выходах которого форм руются два уро. я дискрим ац 50и ,=Ц(1+.С) и И...

Номер патента: 1695211

Опубликовано: 30.11.1991

Авторы: Гутман, Мясников, Телия

МПК: G01N 27/12

Метки: примеси

...среды в рабочую камеру чувствительный элемент выдерживают до постоян-. ного значения электропроводности, затем включают источник колебательно-возбужденных молекул и регистрируют начальную скорость измерения злектропроводности Ч полупроводниковой пленки, помещенной в анализируемую среду, не менее чем при двух различных температурах Т 1 и Т 2 термического источника колебательно-возбужденных молекул, По т 9 р угла наклона ивои в координатах пав -- и по формуле у(Я = 1,987 - газовая посто. мольнаходят величину колебательного молекул газовой примеси и тем са ределяют саму примесь,1695211 Составитель В.ЕкаевТехред М.Моргентал Корректор С.Шевкун Редактор А. Калениченко Заказ 4158 Тираж Подписное ВНИИПИ Государственного комитета по...

Номер патента: 1712853

Опубликовано: 15.02.1992

Авторы: Байбородов, Григорьева, Кижло, Комиссарова, Пушкина, Спиридонов, Чугунова, Яфасов

МПК: G01N 27/12

Метки: влажности, датчик

...втом, что иа гидрофобную подложку наносят2 электрода, лежащих друг против друга, ивлагочуветвительнцй слой, причем в качестве электродов нанося серебряную пасту 20ПЙ".1 с пбследу 1 ощии отжигом при 700 С втечение 1 ч, затем на подложку наносят влагочувствительиый слой, состоящий из три.гидрата хлоридооксалата празеодима иполивинилавого спирта в соотношении 1:1. 25твчциной 450-550 мкм и откигают при20 ОфС в течение 1 ч.Соотношение 1:1 является оптлмальным, так как в противном случае получаетсялиИ непрочная структура влагочувствительного слоя, либо очень плотная. Выбортемпературы 200 ОС обусловлен температурой испарения поливинилового спирта итем, что в этом случае пленки отличаетсянаибольшей чувствительностью, а также 35тем, что...

Номер патента: 1646384

Опубликовано: 30.06.1992

Авторы: Вершинин, Малов, Шерстнов

МПК: G01N 27/12

Метки: влажности, датчик

...гной кривой определяют "; пенн в,нук ВважНОСТЬ Иэг 1 ЕРЯЕГЪО.; Га: Опей ОР Н,. ГР- ДУИРОВОЧЗГЛЯ КРа ЗаЕН"Гдпс Гн ЕОППСГНВ- ленья От вааж о;,тн снг.аотсв в;ага ,Заказ 2816 Тираж 282 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035, Москва, Ж. Раушская наб 4/5 Производственно-издательский комбинат "Патент", г, Ужгород, ул.Гагарина, 101 когда датчик помещен в замкнутый обьем над водным раствором серной кислоты определенной концентрации.П р и м е р 1. На изолирующую подложку из стекла напыляют рабочие электроды иэ металлического хрома толщиной около 1 мкм, а затем - слой реэистивного материала, Калибровочную кривую снимают при 20 С на частоте переменного тока 2 кГц, Лля реэистивного слоя...

Номер патента: 1756810

Опубликовано: 23.08.1992

Авторы: Аношкин, Ванцев, Даценко, Пахомов, Фель

МПК: G01N 27/12

Метки: арсина, датчик

...б 5 113 152 1620 6000 56 16 Е е е е е еее ввЕевееееве ее ееееееееееееееееееееее Датчик содержит электроды 1 растрового типа (М, Сг). Электроды 1 размещены на диэлектрической подложке 2 (поликр), на которую нанесен тонкий слой 3 (400 Л) хлорированного фталоцианина меди и тонкая пленка 4 полиметилсилоксана,Датчик работает следующим образом.В отсутствии определяемого газа (эрсин) датчик, как резистор, имеет стандартное значение сопротивления и при напряжении 10 В в измерительной цепи устанавливается постоянный ток 5 10 А че-о рез 3-5 мин после включения время выхода в рабочее состояние), При содержании арсина в воздухе 0,5 ррм (порог обнарукения) сопротивление датчика уменьшается, ток достигаетэначения 3,2 10 А. Повышенная температура...

Номер патента: 1770877

Опубликовано: 23.10.1992

Авторы: Колос, Орлов, Удовицкий

МПК: G01N 27/12

Метки: воздуха, галогенами, датчик, загазованности

...2 = Н, С 2 Н 5, СбН 5; М = 2 Н, Сц, Со, М. Таким образом, заявляемое техническое решение соответствует критерию "новизна". Анализ известных технических решений (аналогов) в исследуемой области позволяет сделать вывод об отсутствии в них признаков, сходных с существенными отличительными признаками в заявляемом датчике загазованности воздуха галогенами, и признать заявляемое решение соответствующим критерию "существенные отличия",.Сущность предлагаемого технического решения, таким тбразом, состоит в выборе в качестве чувствительного полупроводникового слоя тетраазамакроциклического соединения общей формулы"г ЙЙ, М"6 ч 1 ч б7н На чертеже показана конструкция датчика, включенного в измерительную цепь.5 10 Пример конкретного...

Номер патента: 1783401

Опубликовано: 23.12.1992

Авторы: Безручко, Березкин, Грабчак, Качуровский, Мишачев

МПК: G01N 27/12

Метки: водорода, интегральный, концентрации, первичный

...- десорбции водородаЦелью изобретения является увеличение долговечности и стабильности работыпервичного преобразователя концентрации 20водорода.Цель достигается тем, что в интегральном первичном преобразователе концентрации водорода, содержащем МДП-структуру с .палладиевым электродом (чувствительный элемент), диффузионный резистор(нагреватель) и диод (датчик температуры),указанные элементы выполнены. на частиполупроводниковой (и/п) .подложки, которая образует консоль по отношению к и/и 30подложке вне области размещения интегрального первичного преобразователя. Толщина консоли составляет не менее двухтолщин ОПЗ, что обеспечивает возможность создания УДП-структуры, Размещение .первичного преобразователя наконсоли позволяет...

Номер патента: 1784901

Опубликовано: 30.12.1992

Авторы: Варшава, Возный, Григорова

МПК: G01N 27/12

Метки: влажности, датчик, термоэлектрический

...формы,острие которого находится в контакте с пористым смачиваемым материалом.На фиг,1 приведена схема термоэлектрического датчика влажности; на фиг.2- егогрйдуировочная характеристика.Датчик содержит чувствительный элемент 1,-контактные ветви 2, державку 3,ламельки 4; соедйнительные провода 5, измерительный прибор 6, пористый смачиваемый материал 7, увлажнитель 8,Изобретение выполнено следующимобразом, К чувствительному элементу 1,представляющему собой игольчатый монокристалл Те с концентрацией свободныхносителей 10см 3, выращенный методом химических транспортных реакций, сосредними размерами 5,0 0,20 0,25 мм,диаметром острия0,0,1 мм, созданыконтактные ветви 2 приваркой золотогомикропровода диаметром 0,01-0,03 мм....

Номер патента: 1786413

Опубликовано: 07.01.1993

Авторы: Арешкин, Герасимов, Гутман, Павлова

МПК: G01N 27/12

Метки: газов, концентрации

...измерения концентрации газов, позволяющей осуществлять достоверный контроль и управление составом и концентрацией газовой среды,Цель достигается тем, что устройство содержит изоляционную подложку с сенсорами на одной стороне и пленочным нагревателем на другой, причем подложка выполнена из поликристаллического оксида алюминия с нанесенным на нее подслоем из диоксида кремния, на нем размещены сенсоры, выполненные в виде параллельных прямоугольных полос из газочувствительного материала, поверх которого нанесены электроды на равном расстоянии друг от друга, образуя измерительные и эталонные сенсоры, последние покрыты диэлектрическим защитным слоем, устройство снабжено также датчиками температуры, размещенными между полосами...

Номер патента: 1790757

Опубликовано: 23.01.1993

Авторы: Головань, Смынтына

МПК: G01N 27/12

Метки: газоанализатора, чувствительный, элемент

...сред (включая воздух, кислород и другие акцепторные компоненты),Указаннаяцель достигается тем, что в чувствительном элементе газоанализатора, содержащем диэлектрическую подложку, полупроводниковый слой сульфида кадмия с нанесенными на него контактами, последние размещены на расстоянии, определяемом соотношением где О - рабочее напряжение при измерении электропроводности пленки;б - расстояние между контактами;Р - удельное сопротивление полупроводниковой пленки,А - константа.Для индиевых контактов А = б 10" В Ом/см.В известном чувствительном элементе газоанализатора рабочая температура полупроводникового слоя при регистрации концентрации газа по электропроводности находится в диапазоне 90 - 100 С. Такая температура обеспечивает...

Номер патента: 1793350

Опубликовано: 07.02.1993

Авторы: Августимов, Биднык, Костенко, Насыпайко, Остапчук

МПК: G01N 27/12

Метки: влажности, датчика, чувствительный, элемент

...прямоугольных полос (параллелепипедов) с двумя электродами большого параллелепипеда и двумя дополнительными электродами малого.Чувствительный элемент датчика влажности содержит полупроводниковую (кремниевую) пластину 1, на поверхность 2 которой последовательно нанесены слои окисла 3 и нитрида 4 кремния. Поверх нитрида 4 сформирован слой поликремния в виде двух прямоугольных взаимно перпендикулярных по осям симметрии параллелепипедов: большого 5 и малого 6. Большой параллелепипед 5, содержащий два электрода 7 и 8, нанесен на материал 9, сорбирующий влагу, Непосредственно под материалом 9 выполнено углубление 10,проходящее через слои 3 и 4, На слой нитрида 4 частично нанесен малый параллелепипед 6 по обеим сторонам от углубления 10...

Номер патента: 1797027

Опубликовано: 23.02.1993

Авторы: Бутырский, Паршиков, Рамус

МПК: G01N 27/12

Метки: газов, датчик, полупроводниковый, состава

...только в рабочей зоне датчика. Поверх защитного покрытия расположен ГЧС 5, например из ЯпОг, ЕпО, на котором размещены электроды 6.При подаче электрической мощности с аккумуляторного источника питания (на чертеже не показан) на нагреватель 2 он разогревается до рабочей температуры 350-550 С, в зависимости от регистрируемого газа (СО, СгН 5 ОН, СН 4 и др,), и передает тепловую энергию на ГЧС 5, В связи с тем, что предлагаемый датчик выполнен на диэлектрической подложке а нагреватель закрыт защитным слоем пористой окиси алюминия 4 по подслою плотного оксида вентильного металла 3, обладающих высокой теплопроводностью, то тепловая энергия от нагревателя в первую очередь будет передаваться в сторону ГЧС 5, обеспечивая тем самым локальный...

Номер патента: 1797028

Опубликовано: 23.02.1993

Авторы: Медведев, Старков, Старусев, Удовицкий

МПК: G01N 27/12

Метки: газового, датчика

...примеси ЯЬ к ЯпОг в первом испарителе, опо массе;хг - содержание примеси Зп к ЯпОг во втором испарителе, % по массе;хз - отношение длительности общего периода напыления из первого испарителя к длительности всего периода напыления,В качестве функции отклика у принят коэффициент чувствительности К датчика к сероводороду, определяемый при концентрации его в воздухе, равной ПДК рабочей зоны (3 мг/м) по формуле К: однг ьгде йо - сопротивление да; ".а в воздухе,ЯНгЯ - сопротивление: ка в с",роводороде,Полученные. результаты .,но,.од зктг иного эксперимента по опред.:л-.нию с-т;." мальных условий форирования чувствительного слоя приведены в 5-м столбце таблицы. Из этих результатов видно, что максимум функции отклика (у = 17,0) реализуется при...

Номер патента: 1805372

Опубликовано: 30.03.1993

Авторы: Евсиков, Зеленцов, Наумов, Сафронкин, Чувашов

МПК: G01N 27/12

Метки: газоанализатора, многослойный, полупроводниковый, чувствительный, элемент

...из каталитически активного материала. например: окислов металлов (Яп 02, 2 пО, РегОЗ и др.) и легирующих добавок. К нагревательному и газо.- чувствительному элементам созданы металлизированные токоведущие дорожки, которые выполнены в виде крестообразной консоли, Наружные концы токоведущих дорожек 8-внешние контактные площадки 9, 10 расположены на несущем основании 1. Материалом токоведущих дорожек и контаткных площадок являются, например, никель, алюминий, золото, платина и другие металлы или сплавы. Токоведущие дорожки на длине до контактных площадок (9,10) дополнительно защищены третьим слоем 11 носителя, например окисью алюминия. Контактными площадками 9 нагревательный элемент 3 включается в цепь питания с помощью микросварки, а...

Номер патента: 1805373

Опубликовано: 30.03.1993

Авторы: Вильмс, Власьевский, Косцов, Фадеев

МПК: G01N 27/12

Метки: влажности, газов, датчик

...Ужгород, ул.Гагарина. 101 Устройство работает следующим образом, При помещении датчика в газовую или влажную среду молекулы газа или воды проникают сквозь верхний электрод и изменяют контактный барьер МДП-структуры, В результате действия газов .или влажности изменяются параметры МДП-датчика, например, емкость.Толщинатото или иного слоя МДП- структуры строго определяется способом получения датчика, Так, толщина наносимой титановой пленки не должна превышать 0,7 мкм для сохранения аморфности. В то же время толщина титановой пленки должна быть достаточной для образования слоев полупроводника и диэлектрика, причем толщина обедненной области МДП- структуры должна быть меньше толщины. полупроводниковой области для обеспечения модуляции емкости...

Номер патента: 1807369

Опубликовано: 07.04.1993

Авторы: Громов, Мочалов, Полякова, Рошан, Татарченко, Фадин, Чаплыгин

МПК: G01N 27/12

Метки: водорода, датчика, чувствительный, элемент

...с вышеизложенным предлагается выполнение электрода затвора из водородопоглощающего материала слаа рутени его вь водоро облада ния пр 0,5-0,сокой 10 до я с рутением, с содержанием до 7 % по весу. Вследствие аталитической активности к ородосодержащим газам он родействием (время насыщене 0,3 мкм может составлять емпературе 70-100 С) и вытельностьо в диапазоне от бьема водорода в смеси,1807369 В зависимости от концентрации поглощающего водорода электродом затвора, пропорционально изменяется и значение порогового напряжения.Сдвиг порогового напряжения под действием водородногО импульса достигает величины 250 мВ. 30 Составитель А.МочаловТехред М,Моргентал евская Реда кт ректо каз 1375 Тираж Подписное ВНИИПИ Государственного комитета...

Номер патента: 1807370

Опубликовано: 07.04.1993

Авторы: Громов, Мочалов, Полякова, Рошан, Татарченко, Фадин, Чаплыгин

МПК: G01N 27/12

Метки: водорода, датчика, чувствительный, элемент

...0,03 мкм может составлять 0,05 - 0,1 с, при температурах 70 - 100 С и высокой чувствительностью в диапазоне от 10 до 0,1объема водорода в смеси. Добавка в сплав Рд - Я ляет улучшить адгезию с твора к диэлектрику существенно повысить на тельного элемента. фБыли изготовлены структуры на подложке из кремния КДБс электродами изматериалов толщиной 0,03-0,05 мкм по технологии, являющейся традиционной для таких структур. 5В качестве подзатворного диэлектрикаиспользовали Я 02 толщиной 0,03 мкм,Чувствительный слой-электрод затворатолщиной 0,03 - 0,05 мкм может быть нанесен на подзатворный диэлектрик Я 02 маг- "0нетронным распылением в вакууме,На чертеже показан пример реализации чувствительного элемента на основеМДП-транзистора,. Он содержит...