G01N 27/12 — твердого тела в зависимости от абсорбции текучей среды, твердого тела; в зависимости от реакции с текучей средой

Номер патента: 1807371

Опубликовано: 07.04.1993

Авторы: Бадалишев, Захарова, Кучук, Сахаров, Сущевский, Цихановская, Чернышева

МПК: G01N 27/12

Метки: чувствительный, элемент

...слоя, нанося ее на пъезокристаллический чувствительный элемент (кварцевую пластину площадью 1,0 см, частота колебаний 900 кГц), который и2используют в дальнейших определениях.Далее получают градуировочный график; ЛР=1(Сэхг),гдеЛ Г=Г 1 -Г 2 - изменение частоты колебаний пьезокристаллического чувствительного элемента до и после поглощения эпихлоргидрина, Гц; Р 1, Г 2 - частоты колебаний пъезокристаллического поглощения эпихлоргидрина, Гц; С - концентрация эпихлоргидрина в воздухе, мг/м . Для этого собирают установку, схемазкоторой проиллюстрирована на фиг, 2. Установка состоит из пьезокристаллического чувствительного элемента 1, вентилятора 2, мерной пипетки 3, источника питания вентилятора 4, индикатора 5, измерительной схемы 6,...

Номер патента: 1824566

Опубликовано: 30.06.1993

Автор: Осадчук

МПК: G01N 27/12

Метки: газа, концентрации

...по постоянному и переменному токам, Резкая зависимость резонансной частоты контура от изменения емкостной составляющей полного сопротивления на зажимах затвор - сток полевого транзистора за счет воздействия газа на затвор полевого транзистора повышает чувствительность и точность измерения концентрации определяемого газа.На чертеже дана схема устройства, Устройство для измерения концентрации газа содержит источник 1 управляющего постоянного напряжения, включенного параллельно зажимам эмиттер - коллектор биполярного транзистора 4 и последовательной цепочке, состоящей из пассивной индуктивности 5 и конденсатора 6, причем затвор полевого транзистора 3 соединен с эмиттером биполярного транзистора 4, исток соединен с базой, а исток с...

Номер патента: 1837219

Опубликовано: 30.08.1993

Автор: Кейзман

МПК: G01N 27/12

Метки: газах, датчик, примесей

...Й 1 п и В 2 п служат для подстройки уровней сигналов датчиков при калибровке, Как следует иэ описания устройства и прилагаемой схемы, датчики вкльочены по мостовой схеме, что обеспечивает высокую чувствительность усгройства,Устройство работает следующим образом, Перед началом эксплуатации датчики калибруются в эталонной атмосфере таким образом, чтобы установить при определенных концентрациях примесей выходные сигналы с датчиков, равные по величине, но противоположные по знаку (мост сбалансирован), Это означает, что при концентрации примеси А:п 1 д выходной сигнал датчика 2 будет 021 д, а датчика 3 - -031 д, причем 021 д=-Оз 1 д; при концентрации п 2 д, соответственно 022 д =- -Оз 2 д, и так далее, Аналогично, для примеси В: 021 в =...

Номер патента: 1641086

Опубликовано: 10.12.1995

Авторы: Абовьян, Авакян, Арутюнян, Боровинская, Мкртчян, Нерсесян, Осипян, Погосян

МПК: G01N 27/12

Метки: бензина, датчик, концентрации, паров

ДАТЧИК ДЛЯ ОПРЕДЕЛЕНИЯ КОНЦЕНТРАЦИИ ПАРОВ БЕНЗИНА, содержащий чувствительный элемент в виде диска, электрическое сопротивление которого изменяется в зависимости от концентрации паров бензина в среде, и электроды, нанесенные на основание диска, отличающийся тем, что, с целью повышения быстродействия датчика и увеличения точности измерения, чувствительный элемент выполнен из соединения Bi4Fe2O9.

Номер патента: 1674625

Опубликовано: 27.05.1997

Авторы: Болтенко, Джусов

МПК: G01N 27/12

Метки: двухфазных, динамических, концентрации, потоков, условиях, фаз

Способ определения концентрации фаз двухфазных потоков в динамических условиях, заключающийся в том, что измеряют время присутствия паровой и жидкой фаз в контролируемом объеме и на интервале усреднения определяют концентрацию по результатам совокупных измерений, отличающийся тем, что, с целью повышения точности определения концентрации, измеряют отношение мгновенных значений времени присутствия паровой и жидкой фаз, дополнительно измеряют температуру фаз потока и определяют первое значение времени усреднения 1 по предварительно полученной градуировочной кривой для заданного режима течения потока, измеряют частоту смеси фаз и определяют второе значение

Номер патента: 811998

Опубликовано: 10.07.1999

Авторы: Терехов, Юшина

МПК: G01N 27/12

Метки: кулонометр, электрохимический

Электрохимический кулонометр, содержащий три электрода, два из которых выполнены из серебра, а третий - на основе солей серебра, с расположенными между ними твердым электролитом RbAg4J5, отличающийся тем, что, с целью повышения чувствительности третий электрод выполнен из (Ag2S)0,35 (Ag1,7Te)0,60 (Ag4P2O7)0,05.

Номер патента: 1828266

Опубликовано: 10.06.2000

Авторы: Важенин, Климов, Компанец, Семыкин

МПК: G01N 27/12

Метки: железной, руды, экспресс-анализа

Способ экспресс-анализа железной руды в конвейерном потоке, включающий непрерывное измерение магнитной восприимчивости руды и толщины слоя руды, отличающийся тем, что, с целью повышения точности, непрерывно измеряют массу руды, при этом датчик толщины слоя руды располагают над датчиком массы руды, фиксируют момент равенства выходного сигнала датчика толщины слоя руды заданному значению и через интервал времени, равный отношению расстоянию между датчиками массы и магнитной восприимчивости руды к скорости конвейера, фиксируют выходные сигналы датчика магнитной восприимчивости и массы руды, а о соотношении магнитного и общего железа в руде судят по величине отношения зафиксированных значений...

Номер патента: 1748505

Опубликовано: 20.12.2005

Авторы: Герасимов, Козин, Подлепецкий, Сафронкин, Фоменко, Чувашов

МПК: G01N 27/12, H01L 21/306

Метки: полупроводниковых, приборов

Способ изготовления полупроводниковых приборов, включающий формирование на планарной стороне кремниевой пластины слоя окисла, создание диффузионных областей, металлизации и контактных площадок активного элемента прибора, нанесение двухслойного металлического покрытия на поверхность пластины, формирование фоторезистивной маски с окнами, соответствующими выводам прибора от контактных площадок, гальваническое наращивание металла в окнах фоторезистивной маски, удаление фоторезистивной маски и двухслойного металлического покрытия вне областей выводов, нанесение защитного покрытия на планарную сторону пластины, травление пластины с непланарной стороны до требуемой толщины активного элемента,...