G01K 7/01 — с использованием полупроводниковых элементов с PN-переходом

Номер патента: 1075086

Опубликовано: 23.02.1984

Авторы: Зубов, Хлюнев

МПК: G01K 7/01

Метки: измеритель, температуры, цифровой

...ЗОсравнения, вторым входом блока управления и через первые элемент задержки и формирователь подключен к управляющему входу второго регистра, а выход элемента И через вторые элемент задержки и формирователь подключен к управляющему.входу первого регистра, информационные вхо.ды которого подключены к выходу блока памяти, при этом первый выход аремяимпульсного преобразователя подключен к входу дополнительного счетчика, выход когорого соединен с информационными входами блока памяти, а выходы блока управления соединены с управляющими входами дополнительного счетчика времяимпульсного преобразователя, блока па мяти и управляемого генератора.Ня фнг, 1 приведена функциональнаясхема ци; рового измерителя температуры, на фиг, 2рисунок,...

Номер патента: 1112239

Опубликовано: 07.09.1984

Автор: Максимчук

МПК: G01K 7/01

Метки: температуры

...выходных импульсов снимается между коллектором транзистора 1 и общей шиной 7 источника 5 питания через конденсатор 8,П р и м е р. Транзистор 1 - П 416, индуктивности 2 и 4 по 224 мкГн каждая типа ДИ,2, напряжение источника 5 питания 210 мВ, медно-констан тановая термопара, подключенная к базе транзистора 1 либо медным (кри 1 1.112239Изобретение относится к области термометрии, а именно к устройствам для измерения температуры с непосред ственным преобразованием ее в частоту электрического сигнала, и может быть использовано преимущественно в автономных системах, где наложены ограничения на потребляемую от источника питания мощность.Известно устройство для измерения температуры, содержащее два генератора частоты...

Номер патента: 1117461

Опубликовано: 07.10.1984

Авторы: Толмачев, Шульгин

МПК: G01K 7/00, G01K 7/01

Метки: термометр, цифровой

...образом,На выходе преобразователя температуры в напряжение формируется сигналнапряжения, нелинейным образом зависящий от измеряемой температуры, Это первому входу усилителя постоянноготока, схему сравнения, входы которойсоедйнены с выходами усилителя постоянного тока и генератора линейно нарастающего напряжения, а выход под ключен к управляющему входу селектора временных импульсов, вход которого соединен с выходом генератора импульсон, а выход подключен к входусчетчика импульсов, выход которого 0 соединен с входом цифрового индикатора, дешифратор, входы которого соединены с выходом счетчика импульсов,а выходы подключены к управляющимвходам и ключей, выходы которых через образцовые резисторы подключенык второму входу усилителя,...

Номер патента: 1122903

Опубликовано: 07.11.1984

Автор: Максимчук

МПК: G01K 7/01

Метки: температуры, частоту

...элемента используется термоэлектрический термопреобразователь, включенный между базой .55 транзистора и вторьпа выводом первой индуктивности, что усложняет конструкцию преобразователя. Кроме того,903он имеет низкую точность преобразования, поскольку она зависит от постоянства температуры свободных концов термоэлектрического преобразователя, а также постоянства температуры транзистора,Целью изобретения является упрощение преобразователя температурыв частоту и повьппение точности преобразования.Поставленная цель достигаетсятем, что в преобразователе температуры в частоту, содержащем транзистор,эмиттер которого соединен с первымвыводом источника питания, второйвывод которого соединен с первым выводом первой индуктивности,...

Номер патента: 1137334

Опубликовано: 30.01.1985

Автор: Максимчук

МПК: G01K 7/01

Метки: температуры

...при заданных начальных условиях, т.е,при температуре, равной 0 С, изменяющейся в пределах от 553 до 365 кГц соответственно для германиевых транзисторов р-и-р типа при напряжении источника питания ы 210 мВ и кремниевых транзисторов и-р-и типа при напряжении источника питания 510 мВНа фиг. 1 приведена схема устрой-. ства; на фиг. 2 приведены зависимос- ти частоты генератора от температуры для медно-константановой термопары (а), сопротивления (о) и индуктивности (Ь) термочувствительного элемента для двух типов транзисторов (кривая 1 соответствует включению транзисто" ра типа 2 Т 301 Ж, кривая 2-П 416).Устройство для измерения температуры содержит генератор импульсов на транзисторе 1 с термочувствительным элементом,2 и двумя катушками...

Номер патента: 1137335

Опубликовано: 30.01.1985

Автор: Максимчук

МПК: G01K 7/01

Метки: температуры

...при заданных начальных условиях, т,е. при температуре равной 0 С и частоте 540 и 403 кГц соответственно для кремниевых транзисторов о-р- и типа (например, 2 Т 301 Ж) при напряжении источника питания 510 мВ и германиевых транзисторов типа р-в-р (например, П 416) при напряжении источника питания 210 мВ.На фиг. 1 приведена схема устройства; на фиг. 2. - зависимости частоты выходного сигнала от температуры: а) для медно-константановой термопа. - ры; б) термометра сопротивления; в) индуктивности для двух типов транзисторов (кривая 1 соответствует включению транзистора 2 Т 301 Ж, кривая 2 - П 416) .Устройство содержит генератор импульсов, выполненный на транзисторе 1 с термочувствительным элементом 2, включенным между эмиттером транзистора 1...

Номер патента: 1137336

Опубликовано: 30.01.1985

Авторы: Бурбан, Грабой, Ранченко

МПК: G01K 7/01

Метки: температуры

...должно быть в 10-50 раз больше сопротивления канала транзистора 3 3. Поставленная цель достигается тем, что в устройство для измерения температуры, содержащее в качестве термочувствительного элемента полевой транзистор, включенный в плечо измерительного моста, одна диагональ которого соединена с источником питания, а другая подключена к входу уси лителя с регистратором, введены два дополнительных полевых транзистора, включенных соответственно между истоком и затвором, а также затвором и стоком полевого транзистора, при этом затвор каждого дополнительного полевого транзистора соединен с его истоком.На чертеже приведена схема устройства.Устройство содержит полевой транзистор 3, между истоком и затвором которого, а также затвором...

Номер патента: 1143995

Опубликовано: 07.03.1985

Авторы: Евстратов, Кухарев, Логинова

МПК: G01K 7/01

Метки: температуры

...инвертора, транзистор и схема ИЛИ, входы которой соединены соответственно с выходами источников управляющего сигнала, а выход соединен с первым входом первой дополнительной схемы И, выход которой через первый дополнительный инвертор подключен к затвору транзистора, включенного между первыми выходами коммутаторов, соединенными с .потенциальным выводом компенсационного термопреобразователя сопротивления, подключенного к входу дополнительного коммутатора,.и вторым выводом источника питания, соединенным с первым и третьим выходами дополнительного коммутатора, второй выход которого подключен к входу измерительного блока, при этом выход схемы управления через второй дополнительный инвертор и непосредственно подключен к пер - вым входам...

Номер патента: 1143997

Опубликовано: 07.03.1985

Авторы: Котляров, Циммерман, Швецкий

МПК: G01K 3/08, G01K 7/01, G01K 7/32 ...

Метки: измеритель, разности, температур

...времени с ), поступающий через выход 24 схемы 13управления на тактирующий вход цифрового индикатора 16, в результате чего в него записывается состояние реверсивного счетчика 14 и триггера 15 знака, которые запоминаются и выводятся на индикацию Ло получения 50 следующего результата измерения разности температур, После поступления следующего импульса с термопреобразователя 1 на счетный вход счетчика 3 последний устанавливается в состояние два, в резупьтате чего на входе 19 схемы 13 управгения появляется нулевой потенциал, а на входе 20 3997 4положительный, под воздействием которых на выходе схемы И 31 образуется псложительный импульс, поступаю щий через выход 23 схемы 13 управления на вход коммутирующего элемента 7 и вход установки в...

Номер патента: 1173202

Опубликовано: 15.08.1985

Авторы: Герасин, Кустов, Лапенко

МПК: G01K 7/01

Метки: температуры

...кристалле и последовательносоединенных полупроводниковых диодов15 и 16, точка соединения которых 25является дополнительным третьим входом, Каждый из модуляторов 2 и 3 (начертеже показана конструкция толькомодулятора 2) содержит два управляемых ключа 17 и 18, последовательно З 11соединенных между входом и общей шиной, к точке соединения которых подключен повторитель напряжения 19,Выходы первого модулятора и источника опорного напряжения через четыререзистора 20-23 подключены к входампервого 24 и второго 25 дифференциальных усилителей, выход второго усилителя 25 соединен с затвором полевого транзистора 26, исток транзис-б тора соединен с инвертирующим входом второго усилителя 25, а сток подключен к точке соединения диодов.В качестве...

Номер патента: 1176183

Опубликовано: 30.08.1985

Автор: Чурбаков

МПК: G01K 7/01

Метки: измеритель, полупроводниковый, температуры

...всем рабочем диапазоне температур поддерживается с точностью +1 мВ. Это напряжение является опорным для полупроводникового термопреобразователя на согласованной паре кремниевых транзисторов 1 и 2. Через транзистор 2, включенный по диодной схеме, протекает ток противление резистора 4;адение напряжения на пере.ходе эмиттер - база транзистора 2.Падение напряжения на резисторе 3 равно падению напряжения на резисторе 4, так как дифференциаль.ный усилитель 5 через резистивный делитель 6 устанавливает потенциал эмиттера транзистора 1 Б .таким,У чтобы коллекторы двух транзисторов 1 и 2 были эквипотенциальны, т.е. коллекторный ток транзистора 1 будет равен:(2)К где К, - сопротивление резистора 3Разность падений напряжений на эмиттериых переходах...

Номер патента: 1195197

Опубликовано: 30.11.1985

Авторы: Болгов, Вайнберг, Зарубин, Малютенко, Яблоновский

МПК: G01K 11/20, G01K 7/01

Метки: датчик, температуры

...эффект из" менения с температурой ширины спектрального диапазона наблюдаемого30 б сигнала отрицательной люминесценции. Для этого материал термочувствительного элемента выбирается таким, чтобы п = --СО. Тогда приЙЕкдТ 35повьппении температуры длинноволновой край отрицательной люминесценции сдвигается в область большихдлин волн. Существенный рост термочувствительности имеет место,когда 40наблюдаемая спектральная полоса излучения сравнима с ее температурным . уширением. Это достигается введением,светофильтра, отрезающего коротковолновую часть спектра, иэ мате риала с 0(,70. Таким образом, приповьппении температуры наблюдаетсясущественное изменение ширины спектрального диапазона полезного сигнала за счет температурного движения...

Номер патента: 1196699

Опубликовано: 07.12.1985

Авторы: Дементьев, Дьякова, Лихницкий, Сухоручкин

МПК: G01K 7/01

Метки: перехода, температуры, транзистора

...устройства,обеспечивающий уменьшение мощности рассеяния на коллекторе транзистора 5 (фиг.2)дополнительно содержит резистивный делительна резисторах 12 и 13, включенный междуклеммами 2 и 4, и второй дополнительныйтранзистор 14, включенный между коллекрами транзисторов 1 и 5. дополнительного гранэисгора подключен к кол.лекгору измеряемого транзистора через второйдополнительный транзистор, база которогоподключена к средней точке делителя,а змиттер и коллектор соединенысоответственно,с коллекторами первого дополнительного и измеряемого трап.зисторов. Устройство работает следующим образом.При работе транзистора 1, например, в выходном каскаде усилителя низкой частоты, напряжение на его эмиттере равно а напряжение на эмиттере транзистора 5...

Номер патента: 1198390

Опубликовано: 15.12.1985

Авторы: Викулин, Викулина, Майстренко, Прохоров

МПК: G01K 7/01

Метки: датчик, температуры

...истоком, определяется формулойЛ = АП, где К, П "подвижнность и концентрация основных носителей в канале; А - постоянная, опре.деляемая геометрическими размерами;ПТ. В обычном рабочем диапазоне температур от - 60 до + 125 С с ростомотемпературы подвижность уменьшается, а концентрация увеличивается.Общая концентрация носителей в канале определяется как П - Пп+ Пе + Пл,где П - концентрация основных ноосителей, обусловле чная ионизациейлегирующей примеси ; Пс - концентрация, обусловленная ионизацией собственных атомов кремния; П - концентрация носителей, захваченных 98390 2 на поверхностйые ловушки, Рост концентрации,с увеличением температурыобусловлен ростом П и уменьшениемП , так как Пот температуры неменяется, поскольку в рабочем...

Номер патента: 1216674

Опубликовано: 07.03.1986

Авторы: Агарков, Герасименко, Лозинский, Плинте, Фогельсон

МПК: G01K 7/01

Метки: температуры

...может бытьиспользован полупроводниковый диодили транзистор, включенный в плечомостовой схемьг, включающей в себярезисторы 2-4, блок 5 питания, резистор 6, аналого-цифровой преобразователь (АЦП) 7 и блок 8 индикации с цифровыми индикаторами,Устройство работает следующимобразом,Зависимость ггапрятеггия на выходемостовой схемы г 15, содержащей полупроводгггп(овый диодвг(люченеый Впрямом направлении от температурыимеет нелинейный вид ц может, бытьпредставлена в виде1 гв,=А+В 1 (1)где А и В - постоянные коэффициенты,зависящие от параметров элементовмостовой схемы,термопреобразователяи значения напряжения блока 1 питания,Это палряжецце поступает ца входаналого-циФрового преобразователя7, ца опорный вход которого поступает напряжение Б с...

Номер патента: 1268968

Опубликовано: 07.11.1986

Авторы: Горбачев, Данилов, Малов, Никифоров, Стадник, Фандеев

МПК: G01K 7/01

Метки: температуры

...с кривой 17, а разность температур ЛТг - в соответствии с кривой 18.Управляемые генераторы 4 и 5 тока подают импульсами, в противофазе один к другому, соответственно на транзисторы 2 и 3 токи 1 и 1 г. Значения этих токов выбраны таким образом, чтобы зависимость прямого напряжения на переходах база О эмиттер от температуры у обоих транзисторов была одинаковои. Амплитуда импульсов падения напряжения на переходах базаэмиттер транзисторов пропорциональна их температурам и будет изменяться в соответствии с кривыми 15 и 16 на фиг.2. Сиг нал на входе усилителей постоянного токаи переменного напряжения равен сумме сигналов от транзисторов и имеет постоянную составляющук, пропорциональную средней температуре транзисторов (фиг.2, кривая 17) и...

Номер патента: 1307245

Опубликовано: 30.04.1987

Авторы: Дворников, Евстратов, Логинова

МПК: G01K 7/01

Метки: температуры

...2 тока. При этом на вход блока измерения 1 поступает напряжение У, =1 К, где Кц - сопротивление линии связи, 1 - измерительный ток, Во вто- О ром такте транзисторы 6, 9 и 10 открыты, а транзистор 11 закрыт. Ток от источника 2 тока протекает по цепи: транзисторы 6 и 9, термопреобразователь 16 сопротивления, общая шина 5 27, На вход блока измерения поступает напряжение У =1(К +К), где К - сопротивление термопреобразователя 16, однозначно связанное с измеряемой температурой 20Блок измерения Формирует сигнал, пропорциональный разности сигналов (У-П), т.е, пропорциональный измеряемой температуре. Незаземленный термоэлектрический преобразователь 25 подключается к цепи измерения через транзисторы 9 и 10 последовательно с...

Номер патента: 1317292

Опубликовано: 15.06.1987

Авторы: Дементьев, Дьякова, Лихницкий, Сухоручкин

МПК: G01K 7/01

Метки: перехода, температуры, транзистора

...перехода транзистора 5 не повышается из-за малой рассеиваемой мощносги на его коллекторе, В оезультате наблюдается рассогласование входных характеристик выходного транзистора и транзистора 5, Причем в периоды времени, соответствующие активному режиму работы тран 1317292Кроме того, напряжение с выхода пикового детектора 19 поступает на управляющий вход регулируемого источника напряжения 22,.изменяя величину выходного напряжения этого источника, которое, в свою очередь,55 зисторов 1 и 5, между их эмиттерами возникает напряжение, величина которого в основном пропорциональна температуре перехода транзистора 1. Разность напряжений между эмиттерами транзисторов 1 и 5 усиливается дифференциальным усилителем 7 и далее подается на сигнальный...

Номер патента: 1335820

Опубликовано: 07.09.1987

Авторы: Лихницкий, Сухоручкин

МПК: G01K 11/00, G01K 3/00, G01K 7/01 ...

Метки: биполярных, перехода, температуры, транзисторов

...источник погрешности измерений.10 15 20 25 30 35 40 45 50 При выборе напряжения источника 8, равным падению напряжения на переходе оаза-эмиттер транзистора 1 с равным нулю падением напряжения на сопротивлении базовой цепи, сопротивление двухполюсника принимает значение, равное по модулю и противоположное по знаку сопротивлению базовой цепи контролируемого транзистора 1.Для достижения равенства напряжения генератора 8 напряжению на переходе базаэмиттер транзистора 1 с равным нулю падением напряжения на сопротивлении базовой цепи в качестве генератора 8 используют напряжение база-эмиттер другого вспомогательного транзистора 9, включенного по схеме (фиг. 2), в режиме, соответствующем начальному режиму контролируемого транзистора, т.е. в...

Номер патента: 1343254

Опубликовано: 07.10.1987

Авторы: Дрожжин, Ермаков, Седых

МПК: G01K 7/01, G01K 7/16

Метки: выходом, измерительный, температуры, частотным

...характеристик. Материал подложки целесообразно выбирать с возможно большим температурным коэффициентом линейного расширения (ТКЛР) по сравнению с ТКЛР полупроводника. Тогда тензорезистивный эффект не ухудшает, а улучшает чувствительность частотного преобразоваЛля обеспечения наибольшей чувствительности и высокой временной стабильности сопротивление резистивного термочувствительного элемента 4 (резистора или части резистора) должно в 1,05 - 10 раз превышать сопротивление резистивного термочувствительного элемента 3 (другого резистора или другой части одного резистора).Тиристор 2, являясь активным элементом устройства, должен иметь высокое быстродействие, малые габариты и вес, а также невысокую стоимость (например, тиристор КУ 101...

Номер патента: 1352242

Опубликовано: 15.11.1987

Авторы: Баран, Голуб, Гутников, Фогельсон, Хазанов

МПК: G01K 7/01

Метки: температуры

...термодатчика, содержащую источник 5 напряжения, резисторы 6 и 7 и операционные усилители 8 и 9, а также операционный усилитель 10, резисторы 11 и 12. С целью дальнейшего повышения точности в устройство может быть введен дополнительный резистор 13.Устройство работает следующим образом. 25От источника 5 напряжения через резисторы 6 и 7 на входы операционных усилителей 8 и 9 поступают токи, равные по величине соответственно токам коллекторов транзисторов 2 и 3, на эмиттерных переходах которых появляются соответственно напряженияи Н1Напряжение 11, на выходе устройства при этом равно(3) где В и В - величины сопротивленийрезисторов 6 и 7;1 и 1 з - токи коллекторов транзисторов 2 и 3;11 - величина напряжения источника 5;- ее номинальное...

Номер патента: 1357730

Опубликовано: 07.12.1987

Автор: Панин

МПК: G01K 7/01, H02H 5/04

Метки: датчик, температуры

...Больцмана;заряд электрона;1,; 1 - токи, протекающие через диоды 1 и 2.Отношение токов Е, 1 полностью определяется отношением сопротивлений 8 и 9.В случае использования данного55 датчика в тепловой защите электроустановки при температуре ниже порогового значения падение напряжения на резисторе 6 и диоде 1 устанавливается меньше, чем на резисторе 7 и диоде 2, т,е. напряжения на входах компаратора 3 выставляются неравными. При этом выходное напряжение компаратора 3 близко к нулю. При изменении температуры падения напряжения на резисторах 6 и 7 остаются постоянными, а на диодах 1 и 2 связаны соотношениемгде Т - абсолютная температура,Повышение температуры обуславливает большее уменьшение падения напряжения на диоде 2, чем на диоде 1....

Номер патента: 1364912

Опубликовано: 07.01.1988

Автор: Корнилов

МПК: G01K 11/12, G01K 7/01

Метки: температуры

...что приводит к затуханию колебаний. Пороговое поле возбуждения (Ев) рав но где К - коэффициент пропорциональностир( -и ыр,пГ- концентрации и временажизни соответственно неосновных и основных носителей,При понижении температуры величина ( падает и стремится к единице, поэтому Естремится к бесконечности.Падение Ю с температурой обусловлено падением отношения Р/и с уменьшением температуры вследствие более сильной экспоненциальной зависимости от температуры концентрации неосновных носителей Р. При освещении светом определенного спектрального состава и интенсивности при Т.-ЗО С можноо увеличить концентрацию неосновных носителей до величины, при которой ОС будет превышать единицу6 РРЭто приводит к существованию реком 50 бинационных волн при...

Номер патента: 1381344

Опубликовано: 15.03.1988

Авторы: Одобецкий, Осадчук, Яремчук

МПК: G01K 7/01

Метки: датчик, температур, экстремальных

...Изменение (повышение) температуры вызывает изменение (увеличение) напряжения в базовой цепи термочувствительного СВЧ-транзистора 2 (фиг. 2, 1.11 - 11) за счет изменения (увеличения) обратного тока эми гтер-базового перехода СВЧ-транзистора 1, следствием чего является перемещение (А -+А фиг. 2) рабочей точки на вольт-амперной характеристике туннельного диода 3. При достижении температурой заданного значения (на фиг. 2,точка А) устройство оказывается в состоянии неустойчивого равновесия. Любое последующее изменение (повышение) температуры вызы 20 25 30 Формула изобретения 5 10 15 35 40 45 50 вает скачкообразное перемещение рабочей точки туннельного диода 3 (А-Б) за счет дальнейшего изменения (увеличения) напряжения в базовой цепи...

Номер патента: 1381345

Опубликовано: 15.03.1988

Авторы: Бритиков, Щеголеватых

МПК: G01K 7/01

Метки: многоточечного, температуры

...характеристику, при подключении конденсатора 3 между эмиттером и пе вой базой однопереходного транзистора, пр вращается в схему релаксационного гене атора, Конденсатор 3, включенный между эм ттером однопереходного транзистора 1 и на рузочным резистором 4, обеспечивает от ицательную обратную связь по перемен- но составляющей генерируемого сигнала, чт существенно повышает стабильность часто ы выходного сигнала при воздействии де табилизирующих факторов. Частота генери уемого сигнала зависит также от вида во, ьт-амперной характеристики элемента, вк,11 ючаемого между второй базой однопевеходного транзистора 1 и положительны 1 м полюсом источника питания. Наиболее приемлемой вольт-амперной характеристикои этого элемента является...

Номер патента: 1383110

Опубликовано: 23.03.1988

Авторы: Одобецкий, Осадчук, Яремчук

МПК: G01K 7/01

Метки: температуры

...излучения термодиода 1зависит от температуры окружающейсреды, следствием чего является наличие определенного светового потока, передаваемого на регистрирующийблох 4, а именно на фототранзистор 4.Этому световому потоку соответствуетопределенная начальная резонанснаячастота колебательного контура, образованного вторым конденсатором 7и эмиттер-базовым переходом фототранзистора 4, и колебания определеннойчастоты на выходе оптически перестра иваемого генератора 3. Изменение (повышение) температуры окружающей среды вызывает изменение (уменьшение) интенсивности излучения термодиода 1, следствием чего является изменение (уменьшение) реактивной составляющей полного входного сопротивления фототранзистора 4, которая имеет индуктивный...

Номер патента: 1451559

Опубликовано: 15.01.1989

Авторы: Одобецкий, Осадчук, Яремчук

МПК: G01K 11/20, G01K 7/01

Метки: температуры

...с резкимир-п,переходами (в линейных переходахнапряжение инверсии зависит от частоты переменного сигнала), однакопри этом необходимо экспериментальноопределить температурную зависимостьхарактера реактивности и построитьграфик, аналогичный графику на фиг,2.Все элементы устройства для измерения температуры стандартны. Дляего практической реализации можнорекомендовать следующий комплектаппаратуры: светодиоды АЛ 102 В, генератор высокой частоты Г 4-106, источник напряжения П 36"4, резисторыИЛТ (номиналы выбирать в соответствии с вышеизложенными принципами),конденсатор 0,1 мкФ, катушка индук-тивности,10 мГ.Устройство работает следуюшимобразом.Пусть в начальный момент временисветодиоды Р- Р и находятся в контролируемом объеме 3 при...

Номер патента: 1509627

Опубликовано: 23.09.1989

Автор: Габитов

МПК: G01K 7/01, G01K 7/16

Метки: индикатор, температуры

...светодиод 13непрерывно.Таким образом, предлагаемый50 индикатор температуры позволяет припомощи лишь одного светодиода выдавать информацию о трех уровнях температуры и об исправности линиисвязи датчика температуры. Формула изобретения Индикатор температуры, содержащийрезистивный датчик температуры, вклю 1509 б 27Изобретение относится к приборостроению, в частности к устройствамдля сигнализапии температуры различных объектов, у которых датчик температуры связан с объектом контроляпри помощи длинных линий связи.Целью изобретения является повышение достоверности контроля температуры.На чертеже представлена функциональная схема индикатора температуры,Индикатор температуры содержитрезистивный датчик 1 температуры(терморезистор),...

Номер патента: 1527515

Опубликовано: 07.12.1989

Авторы: Воробьев, Дукор, Кромин

МПК: G01K 7/01

Метки: многоканальное, температуры

...температуры на дат. чике 5,133 , где через 1 и 1 обозначены номера строк, между которыми 15 подключен датчик, замыкаются ключи 81 и 81 причем 3 и 3, должны принадлежать различным группам, на которые разбиты строки. Ключи 7 могут находится в произвольном состоянии 20 (например, все разомкнуты). Для подключения датчика используются ключи 9.3 и 10,1.Для переполюсовкиисточника 1 тока и подключения к вольтметру 2 дат чика 5.211, вместо ключей 9,3 и 10.1 замыкаются ключи 9.4 и 10.2. Аналогично для измерения температуры датчиками 6.11, (б.211,) замыкаются ключи 71 и 71 , относящиеся к различным 30 группам, в которые объединены столбцы матрицы (ключи 8 могут находится в произвольном состоянии), замыкаются ключи 9.1 и 10.3 (для...

Номер патента: 1529052

Опубликовано: 15.12.1989

Авторы: Малов, Никифоров, Николаев, Стадник, Тюрин

МПК: G01K 7/01

Метки: температуры

...напряжения 16 и постоянного тока 4 равен сумме сигналов оттранзисторов 2 и 3, Усилитель переменного напряжения 16 усиливает только переменную составляющую, а усилитель постоянного тока 4 - весь сигнал. Выходное напряжение усилителяпеременного напряжения 16 детектируется синхронным детектором 5, результатом чего является сигнал (фиг. 2,кривая 4), пропорциональный разноститемператур ЬТ транзисторов 2 и 3, ипоступает на вход фильтра 7, Выходноенапряжение усилиТеля постоянного тока 4, пропорциональное температурамтранзисторов 2 и 3, поступает на ключ6, на выход которого проходит сигнал, пропорциональный температуре Ттранзистора 2,Послефильтра 8 сигнал,пропорциональный температуре транзистора 2, суммируется в сумматоре 9 ссигналом,...