Порис

Номер патента: 1770730

Опубликовано: 23.10.1992

Авторы: Авгуцевич, Григулис, Порис

МПК: G01B 5/28

Метки: геометрических, параметров, пластин

...в области опорных точек и вне их для контролируемой пластины судят о ее неплоскостности.Известно устройство, содержащее базовую поверхность с набором выступающих опорных элементов для полупроводниковых пластин, которые при наличии отсчетного узла и блока индикации служит для контроля параметров /3/.Недостатком известного устройства является то, что в нем не достигается необходимая точность из-за неопределенности расположения пластины на множестве опорных шариков.Наиболее близким по технической сущности к предлагаемому устройству, реализующему способ, является устройство для контроля геометрических параметров пластин прототип /4/), содержащее базовую поверхность с тремя выступающими опорными элементами и отсчетный узел, выполненный в...

Номер патента: 1626191

Опубликовано: 07.02.1991

Авторы: Григулис, Порис, Силиньш

МПК: G01R 27/04

Метки: пленки, поверхностного, проводящей, сопротивления

...3 и 4, излучатель 5,образец 6 исследуемой проводящейпленки, регистратор 7, вход 8 двухзондовой измерительной линии 9.Способ реалиуют следующим образом. Измерения проводят в трехсантиметровом диапазоне электромагнитных40 волн. Эталонцыйл образец с наименьшим К из заданного диапазона размещаютбза излучателем 5 ца некотором расстоянии (2,0 + 0,5 мм), Зонды 3 и 4 перемещают вдоль линии 9 до получения 45 максимального уровня сигнала с первого зонда 3, т.е. Устанавливают зонд 3 в максимуме поля стоячей волны в измерительной линии 9, и минимального уровня сигнала свторого зонда,50 тев минимуме стоячей волны. В этом положении зонды 3 и 4 фиксируют. В измерительную линию 9 вводят отражатель - металлический штырь 2 диаметром 0,8+ 0,05 мм ца...

Номер патента: 1264105

Опубликовано: 15.10.1986

Авторы: Гаврилин, Григулис, Порис

МПК: G01R 27/04

Метки: листовых, параметров

...их производства,Цель изобретения - повышение точности измерения листовых материалов 10 в процессе их производства.Способ осуществляют следующим образом.Снимают зависимость мощности, проходящей от излучателя к приемнику, 15 от расстояния между излучателем и приемником в отсутствии листовьго материала. Рабочий зазор между излучателем и приемником устанавливают таким образом, чтобы он соответство вал одному из минимумов снятой зависимости, которая имеет периодический характер, причем его величину устанавливают в пределах 53 4 110 Л, где Л - длина рабочей долны. цом из минимумов снятой периодической зависимости.В результате такой предварительной настройки достигается устранение влияния ца р .зультаты измерения поперечных перемепеций...

Номер патента: 1168871

Опубликовано: 23.07.1985

Авторы: Гаврилин, Григулис, Порис

МПК: G01R 27/00

Метки: высокоомного, диэлектрической, поверхностного, подложке, покрытия, сопротивления

...для контроля и измерения сопротивления квадрата поверхности тонких высокоомных полупроводниковых и других проводящих покрытий на диэлектрических подложках.Цель изобретения - повышение точности путем исключения влияния нарезультат измерений толщины диэлектри 10ческой. подложки.На чертеже приведена структурнаяэлектрическая схема устройства дляизмерения поверхностного сопротивления высакоомного покрытия на 15диэлектрической подложке, реализующего предлагаемый способ.Устройство содержит СВЧ-генератор1, вентиль 2, открытый резонатор 3,образованный подвижным 4 и непод рвижным 5 зеркалами, детектор 6,индикатор 7, диэлектрическую пластину 8, соединенную с виброустройствомЧ, вспомогательный образец 10, выполненный в виде высокоомного...