Тестовая плата для измерения параметров свч-транзистора

ОЮЗ СОВЕТСКИХОЦИАЛИСТИЧЕСКЕСПУБЛИК 30600 19) 01 й 27/28 ГОСУДАРСТВЕННЫИ КОМИТЕТПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМПРИ ГКНТ СССР ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ ТО МУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ нститут си- -производ 2. Элек37-39,и(21) 4802815/09(71) Научно-исследовательский истем связи и управления Научнственного объединения "Квазар(56) Авторское свидетельство ССМ 1084703, кл. 6 01 К 27/28, 19Электронная техника, Сер,ника СВЧ, 1982, вып, 3 (339, с,2(54) ТЕСТОВАЯ ПЛАТА ДЛЯ ИЗМЕРЕНИПАРАМ ЕТРО В С В Ч- . РАН 3 И СТО РА(57) Изобретение относится к радиоизме тельной технике и может быть использов для измерения матрицы рассеяния С транзисторов, Цель изобретения - обеспечение измерения параметров СВЧ-транзистора в шестиполюсном включении. Тестовая плата содержит две плосковых линии 1 и 2 одинаковой длины и одинаковоо волнового сопротивления. короткозамкнутую контактную площадку 3, два одинаковых разомкнутых полосковых проводника 4 и 5 и третий разомкнутый полосковый проводник б, Линия 1 разделена на две равные части, длина проводников 4 и 5 не превышает длины каждой из этих частей, проводник 6 имеет волновое сопротивление, равное волновому сопротивлению линии 1, и расположен перпендикулярно к линии 1 симметрично относительно ее частей. Благодаря введению проводника 6 обеспечивается возможность измерения параметров транзистора в шестиполюсном включении. 1 ил.Изобретение относится к радиоизмерениям и может быть использовано для определения элементов волновой матрицы рассеяния ВЧ- и СВЧ-транзисторов,При измерении высокочастотных параметров транзисторов возникает необходимость в использовании некоторого контактного устройства, с помощью которого осуществляется соединение выводов исследуемого транзистора со стандартными узлами и устройствами, используемыми в процессе измерения. Как правило, такое контактное устройство содержит элементы для крепления транзистора и два или более переходника на необходимое сечение измерительного тракта. В результате проводится измерение высокочастотных параметров транзистора совместно с контактным устройством,Однако в этом случае погрешность измеренных параметров транзистора велика, особенно в диапазоне СВЧ.Для измерения высокочастотных параметров непосредственно транзистора без контактного устройства используют тестовые платы,Известна тестовая плата, с помощью которой калибруют контактное устройство. Плата содержит две микрополосковые линии равной длины, причем в разрыв одной из них включается измеряемый СВЧ-транзистор, а также четыре разомкнутых на конце отрезка микрополосковых линии разной длины, В результате предварительных измерений определяют параметры самого контактного устройства, а элементы волновой матрицы рассеяния или передачи непосредственно транзистора вычисляют по измеренным совокупным параметрам и найденным параметрам контактного устройства.Однако известная тестовая плата обладает невысокими функциональными возможностями, поскольку с ее помощью возможно измерение параметров транзисторов только как четырехполюсников,Наиболее близкой к предлагаемой является тестовая плата для измерения параметров рассеяния СВЧ-транзисторов, содержащая две микрополосковые линии равной длины и с равными волновыми сопротивлениями; причем одна из них имеет в середине разрыв, разделяющий ее на две равные части, две короткозамкнутые контактные площадки и два одинаковых разомкнутых на конце отрезка микрополосковой линии, имеющих то же волновое сопротивление, что и микрополосковые линии, и длину, меньшую или равную длине каждой 10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 части разорванной микрополосковой линии.Однако с помощью известной тестовой платы, возможно измерение параметров рассеяния лишь СВЧ-четырехполюсников, а часто возникает необходимость измерения элементов матрицы рассеяния СВЧ-транзисторов с шестиполюсным включением (так называемой "неопределенной матрицы рассеяния"). Кроме того, двухзатворные полевые транзисторы также являются СВЧ-шестиполюсниками,Цель изобретения - обеспечение измерения параметров СВЧ-транзистора в шестиполюсном включении,Поставленная цель достигается тем, что в тестовой плате для измерения параметров рассеяния ВЧ- и СВЧ-транзисторов, содержащей первую и вторую микрополосковые линии одинаковой длиныи одинакового волнового сопротивления Л, причем первая микрополосковая линия имеет в середине разрыв, разделяющий ее на две равные части, короткозамкнутую контактную площадку и два одинаковых разомкнутых на конце отрезка микрополосковой линии, имеющих то же волновое сопротивление Е и длину, меньшую или равную длине каждой части первой микрополосковой линии, перпендикулярно первой микрополосковой линии и симметрично относительно ее концов располагают третий разомкнутый на конце отрезок микрополосковой линии с волновым сопротивлением и длиной, равной длине каждой части первой микрополосковой линии, при этом расстояние от его начала до оси первой микрополосковой линии равно О 2, а расстояние от его конца до края расположенной на одной с ним оси короткозамкнутой контактной площадки соответствует величине разрыва в середине первой микрополосковой линии и должно быть не менее размера корпуса исследуемого транзистора.На чертеже представлена топология тестовой платы.Тестовая плата содержит две микрополосковые линии 1 и 2 одинаковой длиныи одинакового волнового сопротивления (Л), причем микрополосковая линия 1 имеет в середине разрыв, разделяющий ее на две равные части, короткозамкнутую контактную площадку 3 и два одинаковых разомкнутых на конце отрезка 4 и 5 микрополосковой линии, имеющих то же волновое сопротивление 2 и длину, меньшую или равную длине каждой части микрополосковой линии 1. Симметрично относительно ее концов на тестовой плате расположен третий разомкнутый на конце отрезок микрополосковойлинии 6 с волновым сопрогивлением 2 идлиной, равной длин", каждой части микрополосковой линии 1. При этом расстояниеот его начала до оси микрополосковой линии 1 равно/2, а расстояние от его концадо края расположенной на одной с ним осикороткозамкнутой контактной площадки 3соответствует величине разрыва в серединемикрополосковой линии 1 и должно быть неменее размера корпуса исследуемого транзистора.Измерение параметров рассеяния ВЧи СВЧ - транзисторов в шестиполюсномвключении с помощью предлагаемой платыможет проводиться в следующей последовательности,Калибровка установки 1 ля измеренияпараметров передачи, В измерительныйтракт включается микрополссковая линия 2предлагаемой тестовой платы и фиксируется амплитудаи фаза зыходн го сигнала.Измерение параметров передачи.Входной сигнал подается на предлагаемуютестовую плату со стороны первой либо второй половины микрополосковой линии 1.. Если выходной сигнал снимается со стороны первой половины микроплосковой линии 1, то со стороны второй половинымикрополосковой линии 1 подключается согласованная нагрузка и наоборот. Аналогично поступают при подаче входного сигналасо стороны первой, а также второй половинмикрополосковой ли ии 1. Во всех случаяхизмеряются амплитуда и фаза выходногосигнала. Модули параметров передачи вычисляются как отношениямплитуд измеренных выходных сигнал)в и сигнала,полученного при калибровке. а фазы параметров - как разность фаз этих сигналов.Калибровка установки для измеренияпараметров отражения, Измеряются амплитуда и фаза отраженного сигнала при подключении к измерительному тракту одногоиз разомкнутых на конце отрезков 4 и 5микрополосковой линии (в зависимости оттого, вилка или розетка переходника на сечении измерительного тракта подключены кпредлагаемой плате со стороны отрезкамикрополосковой линии 6),Измерение параметров отражения.Входной сигнал подается на предлагаемуютестовую плату со стороны отрезка микроплосковой линии 6 и измеряются амплитудаи фаза отраженного сигнала, Со стороныпервой и второй половин микрополосковойлинии 1 в этом случае подключаются согласованные нагрузки. Аналогично поступаютпри подаче входного сигнала по стороныпервой, а также второй полодин микрополосковой линии 1, Мо ули параметров отра 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 жения вычисляются как отношения амплитуд измеренных отраженных от входных зажимов исследуемого транзистора сигналов и сигнала, полученного при калибровке, а фазы параметров отражения - как разность фаз этих сигналов,При проведении измерений исследуемый транзистор включается (припаивается) двумя совими электродами в разрыв микро- полосковой линии 1. При этом если транзистор исследуется в четырехполюсном включении, то его третий электрод подключается к короткозамкнутой контактной площадке 3, а если в шестиполюсном - то к разомкнутому концу отрезка микрополосковой линии 6.При измерении параметров рассеяния ВЧ и СВЧ двух затворных полевых транзисторов их третий и четвертый электроды подключаются соответственно к коротко- замкнутой контактной площадке 3 и разомкнутому концу отрезка микрополосковой линии 6.Измерение параметров рассеяния ВЧ- и СВЧ-транзисторов с помощью предлагаемой тестовой платы могут проводиться. например, по известной методике. При этом микрополосковая линия 2 используется для калибровки при измерении параметров передачи, а разомкнутые на конце отрезки 4 и 5 микрополосковой линии - для калибровки при измерениях параметров отражения. За счет того, что в предлагаемой тестовой плате расстояние от начала разомкнутого на конце отрезка микрополосковой линии 6 до оси микрополосковой линии 1 выбрано равным(длина пути от начала разомкнутого на конце отрезка микрополосковой линии 6 до любого конца микрополосковой линии 1 равна Е) для калибровки при измерении параметров передачи используется одна микрополосковая линия 2. В свою очередь за счет того, что длина разомкнутого на конце отрезка микрополосковой линии 6 равна длине каждой из двух частей микро- полосковой линии 1. в тестовой плате для калибровки при измерении параметров отражения со стороны отрезка микрополосковой линии 6 может быть использован любой из разомкнутых на конце отрезков 4 и 5 микрополосковой линии.Длина микрополосковых линий 1 и 2 может быть любой, а их волновое сопротивление должно быть равно волновому сопротивлению используемого измерительного тракта,Предлагаемая тестовая плата обладает по сравнению с известной значительно более широкими функциональными возможностями. С ее помощью возмокно1730600 20 25 30 35 40 45 50 Составитель С,ПлигинТехред М.Моргентал Корректор О,Головач Редактор М.Петрова Заказ 1511 Тираж Подписное ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035, Москва, Ж, Раушская наб 4/5 Производственно-издательский комбинат "Патент", г, Ужгород, ул,Гагарина, 101 измерение параметров рассеяния ВЧ - и СВЧ - транзисторов не только в четырех, но и в шестиполюсном включении, а также измерение параметров рассеяния ВЧ и СВЧ двухзатворных полевых транзисторов.Формула изобретения Тестовая плата для измерения параметров СВЧ-транзистора, содержащая две полосковых линии одинаковой длины и одинакового волнового сопротивления, первая из которых имеет в середине разрыв для установки исследуемого СВЧ-транзистора, короткозамкнутую контактную площадку и два одинаковых полосковых разомкнутых проводника, волновое сопротивление которых равно волновому сопротивлению полосковых линий, а длина не превышает длину каждой части первой полосковой линии, о т л и ч а ю щ а я с я тем, что, с целью обеспечения измерения пара метров СВЧ-транзистора в шестиполюсномвключении, в нее введен третий полосковый разомкнутый проводник с таким же волновым сопротивлением, расположенный перпендикулярно первой полосковой линии 10 симметрично ее обеих частей, причем расстояние от его начала до оси первой полосковой линии равно половине длины второй полосковой линии, а расстояние от разомкнутого конца до края короткозамкнутой 15 контактной площадки равно длине разрывапервой полосковой линии.