Способ изготовления тензопреобразователя

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ СССРПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ ИОТНРЫТИЙ АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУэ 3%(71) Государственный ордена Трудового Красного Знамени научно-исследователь ский институт.теплоэнергетического приборостроения(54) СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ТЕНЗ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЯ(57) Изобретение относится к и ростроению и позволяет повыс метрологические характеристики тензопреобразователей, Изготавливают тензорезисторы (Т) 3 на диэлектрической подложке 2, которую прикрепляют затем к поверхности мембраны 1. Созда,ют в мембране 1 нарастающую деформацию от нуля путем увеличения давления в подмембранной полости до появления трещин 4 в подложке 2 под ТЗ, после чего деформацию уменьшают до нуля, Для управления процессом образования трещин 4 на подложке 2 в непосредственной близости от ТЗ выполняют риски 5. Момент образования трещин определяют, например, пос скачкообразному изменению сопротив- Ж ления ТЗ на величину, превышающую амплитуду шумоподобных колебаний сопротивления этого ТЗ, 2 з.п. ф-лы, С 1 ил.2968 ВНИИПИ Заказ 2758/41 Тираж 778 Подписное Произв.-полигр. пр-тие, г. Ужгород, ул. Проектная, 4123Изобретение относится к приборостроению, а точнее к способам изготовления тензопреобразователей.Целью изобретения является повышение метрологических характеристиктензопреобразователя.На чертеже схематично показантензопреобразователь,Тензопреобразователь содержит мембрану 1, на которой закреплена диэлектрическая подложка 2 с тензорезисторами 3, На подложке 2 образованы трещины 4, направление которыхзадано рисками 5. Трещины 4 пересекают тензорезисторы 3 по крайнеймере, в одной точке 6 по максимальной тензочувствительности.Способ осуществляется следующимобразом.Изготавливают тензорезисторы 3 надиэлектрической подложке 2 по известной технологии, например, путемизготовления эпитаксиальных кремниевых тензорезисторов на сапфировойподложке по интегральной полупроводниковой технологии. Далее прикрепля"ют подложку 2 к поверхности мембраны1, например, пайкой,Затем в мембране 1 создается нарастающая деформация от нуля. Получить требуемый процесс деформации вмембране 1 можно, например, подачейжидкости или газа под давлением вподмембранную полость, образованнуюмембраной 1 и кольцом 7. Давление вподмембранной полости увеличивают дообразования трещин 4 в подложке 2под тензорезисторами 3, что можноопределить, например, визуально илипо скачкообразному изменению сопротивления тензорезисторов 3.Изменения сопротивления тензорезистора можно контролировать с помощью самопишущего омметра, подключенного к соответствующему тензорезистору 3.Для того, чтобы надежно отличитьскачкообразное изменение сопротивления тензорезистора от импульсного вмомент предполагаемого скачка нарастание деформации прекращают и выдерживают период, необходимый для установления значения сопротивления тензорезистора, Если установившеесязначение сопротивления не равно величине Р в момент, предшествующий 5 опознаваемому скачку, то скачкообразный характер изменяется и сопротивление должно считаться подтвержденным, Для управления процессом образования трещины 4 на подложке 2 выпо,:.няют риски 5, например, алмазным резцом. Риски 5 выполняют в непосредственной близости от тензорезистора 3в направлении, пересекащцем тензорезистор по крайней мере в одной точке 15 их максимальной тензочувствительности. Трещина 4 выполняет роль концентратора и уменьшает жесткость упругого элемента.Таким образом, использование это О го способа позволяет повысить метрологические характеристики преобразователя, например, чувствительности. Формула изобретения25 1. Способ изготовлениятензопреобра-эователя, включающий изготовлениетензорезисторов на диэлектрическойподложке и закрепление ее на поверх- ЗО ности упругого элемента, о т л и ч аю щ и й с я тем, что, с целью повышения метрологических характеристиктензопреобразователя, в упругомэлементе создают нарастающую деформацию от нуля до растрескивания диэлектрика по крайней мере под однимиз тензорезисторов, после чего деформацию уменьшают до нуля.2. Способ по п.1, о т л и ч а ю О щ и й с я тем, что перед деформацией упругого элемента около тенэорезистора на подложке выполняют риску в направлении, пересекающем активную часть тензорезистора.45 3, Способпопп. 1 и 2, отлич а ю щ и й с я тем, что о растрескивании ди .лектрика судят по скачкообразному изменению сопротивлениятензорезистора на величину, превы шающую амплитуду шумоподобных колебаний сопротивления этого тенэорезистора.