Патенты с меткой «тензопреобразователь»

Номер патента: 1283519

Опубликовано: 15.01.1987

Автор: Михеев

МПК: G01B 7/16

Метки: многоканальный, тензопреобразователь

...тензопреобразователь работает следующим образом. Блок 28 управления вырабатывает коды, которые управляют коммутаторами 4, 14 и 19 следующим образом. За период работы одного канала коммутатор 4 включен постоянно (фиг,2, график 1). За первую половину периода работы одного канала коммутатор 14 соединяет выходы усилителей 10 и 12 с базами транзисторов 8 и 6 одного канала, при этом через рабочий тензорезистор 2 протекает ток отрицательной полярности, а через компенсационный тензорезистор 3 протекает ток положительной полярности. При этом коммутатор 19 отключает все каналы.Если тензорезисторы не имеют деформации, то падения напряжений на них равны, и на вход суммирующего усилителя поступают равные по вели 1283519чине и противоположные по знаку...

Номер патента: 1303836

Опубликовано: 15.04.1987

Автор: Скалевой

МПК: G01G 3/142

Метки: тензопреобразователь, цифровой

...кодируемого сигнала уравновешивающим. Сначала управляющий вычислитель 6 устанавливает на входе старшего разряда декодирующего преобразователя 3 сигнал логической "1", а на входах всех младшихего разрядов - уровни логического"О". Если при этом произошла перекомпенсация, то на проверяемом входе(старший разряд) устанавливается нулевой уровень, в противном случаесигнал на этом входе не изменяется,Аналогичным образом, в порядке убывания весового коэффициента, вычислитель 6 определяет значение остальных разрядов кода разбаланса. Напряжение разбаланса Б и комрФпенсирующее напряжение Б на каждом полупериоде меняют свою полярность, следовательно, сигналами пере- и недокомпенсации для вычислителя 6 является наличие на выходе анализатора 5...

Номер патента: 1330469

Опубликовано: 15.08.1987

Авторы: Борщев, Веников, Колесник, Спалек

МПК: G01D 5/12

Метки: тензопреобразователь, частотный

...соответствующему включениюдвух или трех перемножителей и двухили трех фаэовращателей в однополосном смесителе,Кроме того, частотно-зависимый фаэовращатель 10 выполнен таким образом, что фазовый сдвиг в нем прямо пропорционален частоте входных колебаний. В качестве частотозависимого Фазовращателя может быть установлена, например, линия задержки,Частотный тензопреобраэователь работает следующим образом.С выхода опорного генератора 1 колебание с частотой , поступает на вход тензорезисторного моста 2 и одновременно на вход фильтра 3 верхних частот, С выходов тенэоре13304 б 96ловие баланса Фаз в этом случае принимает вид К, (2)овых сдвиговя практически+ЧемуПри свЧ неизме следует страив пго это ри нной. что аемого+...

Номер патента: 1334049

Опубликовано: 30.08.1987

Авторы: Бушланов, Евдокимов, Здрок, Смыслов, Суровиков

МПК: G01L 9/04

Метки: давления, тензопреобразователь

...формулойгде Ос - угол между радиусом-вектором точки и касательной вэтой точке;г - относительный Радиус-вектор(модуль радиуса-вектора, отнесенный к радиусу рабочейчасти мембраны); К ,К, - коэффициенты продольной ипоперечной тензочувствительности полупроводника соответственно.Толщина, ширина и длина средней линии всех тензорезисторов одинаковы, следовательно, их номинальные сопротивления также одинаковы.На уширениях 3 выполнены омические контакты .4, расположенные вне прямых, соединяющих концы смежных тенэорезисторов, Удалением части соответствующего уширения 3 достигается точное равенство сопротивлений всех плеч тензомоста при номинальном значении сопротивлений тензорезисторов. На изотропной поверхности мембраны обе пары тензорезисторов...

Номер патента: 1381327

Опубликовано: 15.03.1988

Авторы: Крылов, Кузнецов, Рубин, Фридбауэр

МПК: G01B 7/16

Метки: тензопреобразователь

...17 тока вырабатывает стабилизированный ток, питающий тензомост 2. Транзисторы 19 и 21 - согласованная пара полевыхтранзисторов, включенная по схеме истокового повторителя с нулевым смещением.Истоковые резисторы 20 и 22 равны междусобой и служат для установки начальноготока стока через полевые транзисторы 19и 21. Полевой транзистор 21 служит для полевого транзистора 19 активной нагрузкой.Полевой транзистор 19 соединен с биполярным транзистором 23 по схеме составноготранзистора, что увеличивает нагрузочнуюспособность источника 17 тока.Текзопреобразователь работает следующим образом,Источник 17 тока вырабатывает ток, независящий от величины нагрузки и величинынапряжения источника 1 питанияои(1)где 7 - ток источника 17 тока;У, - опорное...

Номер патента: 1401258

Опубликовано: 07.06.1988

Авторы: Воробьев, Воскресенский

МПК: G01B 7/16

Метки: тензопреобразователь

...сумматора 5;Тензопреобразователь работает сле 50дующим образом.Тензомост преобразует механическиедеформации объекта в электрическийсигнал, который поступает на входысумматора 5. Термомост 2 преобразуеттемпературу тензомоста 1 в напряжение.Термочуствительным элементом является сопротивление диагонали питаниятензомоста 1. Выходное напряжение термомоста 2, усиленное дифферен,циальным усилителем 4, поступает начетвертый вход сумматора 5 и на входдискретного управляемого делителя 8напряжения, на выходе которого формируется напряжение, пропорциональноеприращению температуры тензомоста 1и выходному коду, поступающему изблока 10 управления. Это напряжение,пропорциональное мультипликативнойсоставляющей температурной погрешнос"ти, поступает на...

Номер патента: 1404850

Опубликовано: 23.06.1988

Авторы: Евдокимов, Стучебников, Суханов, Хасиков, Черницын

МПК: G01L 9/04

Метки: полупроводниковый, тензопреобразователь

...2, кремниевые тензорезисторы 3, ориентированные параллельно направлению максимальной деформации чувствительного элемента, кремниевые тензорезисторы 4, ориентированные перпендикулярно направлению максимальной деформации чувствительного элемента, контактные площадки 5, покрытые алюминием.Тензорезисторы 3 и 4 соединены в мостовую тензосхему. Контактные площадки 5 служат для подключения питания к тензосхеме и регистрации выходного сигнала. Плоскость сапфировой подложки имеет кристаллографическую ориентацию (7012), Тензорезисторы расположены в плоскости (001) кремния и ориентированы вдоль кристаллографических направлений (110) кремния. Они изготовлены из гетероэпитаксиального слоя кремния р-типа проводимости толщиной 2,5 мкм известным...

Номер патента: 1408262

Опубликовано: 07.07.1988

Автор: Козеев

МПК: G01L 9/04

Метки: давления, питания, раздельными, тензопреобразователь, цепями

...на монокристаллиой мембране пластину тензопреоб вателя 1 с ранномерно расположи Т-образными выемками раздеи пластину ня ряд отдельных тков 3, число которых ныбираетс еделах от 10 до 1000Оптимальное отношение длины 1 обазованных участков тензоэлемента кине Ь составляет 1 ; 100. Оставшаяся часть 4 полупроводниковой пластины вдоль средней линии тензочувствительного элемента в результате, например, химического вытравливания выемок составляет толщину 0,1-0,5 1 длины участков 3, Причем эти участки для оптимизации параметров за счет понижения сопротивления и ис- ключения шунтирующего влияния могут быть металлизиронаны или дополнительно легиронаны. Участки 5 полупроводниковой пластины на концах отдельных тензочувствительных элементов...

Номер патента: 1411570

Опубликовано: 23.07.1988

Авторы: Крылов, Кузнецов, Рубин, Фридбауэр

МПК: G01B 7/16

Метки: тензопреобразователь

...Б с Ь, -БСАВЛЦ ее т етт (1)фгде 1 - ток сдвига;Ба, - выходное напряжение сдвигаОУ 5;Пс, е- выходное напряжение сдвига ОУ 6;К - входной резистор 11.Компенсация тока сдвига 1 осуществляется с помощью токов источников 14 и 15 токов.Величина тока источника 14 (15) тока зависит от эквивалентных сопро. - тивлений токозадающих цепей 20 и 21: где 1 1 (, 1 - ток источника 14 (15)тока;П оп - напряжение источника 31, опорного напряжения;К О 1 - эквивалентное сопротивление токозадающей цепи 20 (21).Разность токов источников 14 и 15 тока представляет собой компенсацион ный ток Поп 11 оп- т (3)Ка йо Каогде Ц - величина опорного напряоожения;К. - эквивалентное сопротивле 20 (11ние токозадающей цепи 20(21).Условие равенства тока сдвига 1 1 и...

Номер патента: 1415086

Опубликовано: 07.08.1988

Авторы: Стучебников, Суханов, Хасиков

МПК: G01L 9/04

Метки: полупроводниковый, тензопреобразователь

...оси тенэорезистора (фиг.1), передаются в его объем не полностью. Чем меньше величина Ь/Ь, тем меньше при задан. ной деформации подложки среднее значение поперечной деформации тензорезистора, поэтому такие электрофиэические характеристики гетероэпитаксиальных тенэореэисторов, как ТКС и ТКТ, зависит от величины Ь/Ь, Это позволяет, воздействием на величину Ь/Ь, уменьшить разброс значений температурной погрешности чувствительности тензопреобразователей при их серийном производстве (фиг. 2 и 3). Связь величин Ь/и и р/р (фиг.З) описывается эмпирической формулой Ь/11 =(1 - р/р) , где р - концентрация дырок, обеспечивающая равный нулю температурный коэффициент чувствительности тенэопреобразователей с 1 пирокими (Ь/и40) тензореэисторами...

Номер патента: 1435967

Опубликовано: 07.11.1988

Авторы: Ваганов, Пряхин

МПК: G01L 9/04

Метки: давления, интегральный, тензопреобразователь

...направлений семейства (110 7. Тензорезисто ры 2 одного знака чувствительности расположены на периферии мембраны в середине ее длинных сторон, а тензорезисторы 3 противоположного знака чувствительности расположены в цент ральной части мембраны, приэтом все они ориентированы вдоль длинных сторон мембраны. На всей площади мембраны 1 выполнено углубление 4 с образованием двух идентичных прямо угольных выступов 5, расположенных параллельно длинной стороне мембраны 1, Тензорезисторы 2 расположены по периферии мембраны 1 у длинной стороны, а тензорезисторы 3 расположены между выступами 5. Интегральный тенэопреобразовательработает следующим образом.При действии давления на мембрану с углублением 4 и выступами 5 последняя...

Номер патента: 1446459

Опубликовано: 23.12.1988

Авторы: Кадыров, Тюваев

МПК: G01B 7/16

Метки: тензопреобразователь

...9, причем величина этого тока устанавливается большей паспортногозначения, в результате чего происходит разогрев зоны размещения тензодатчиков 2, 3 и 7. При деформации детали 8 изменяется сопротивление теяэодатчиков 2 и 3, происходит разба"ланс моста 1. и на выходе усилителя 6появляется сигнал, регистрируемыйблоком 10 индикации. Изменение температуры окружающей среды в месте размещения тензодатчиков 2 и 3 приводитк изменению их сопротивлений. Одновременно изменяется и сопротивлениеполупроводниковых тенэодатчиков 7, врезультате чего на выходе терморезисторного моста 11 появляется сигналрассогласования, который приводит к изменению тока, протекающего через подогреватель 9, таким образом, что при повышении температуры в месте размещения...

Номер патента: 1451566

Опубликовано: 15.01.1989

Авторы: Кикнадзе, Лурье, Плещ, Стучебников, Хасиков, Черницын

МПК: G01L 9/04

Метки: полупроводниковый, тензопреобразователь

...Р При изменении темпео оратуры в интервале от 2 К до 100 Кпроисходит уменьшение жесткости упругого элемента, что при заданной ве личине давления приводит к увеличению. деформации тенэорезисторов.Одновременно происходит соответствующее уменьшение коэффициента чувствительности, в результате чего ве личина выходного сигнала тензопреобразователя оказывается не зависящейот температуры.На фиг.2 показана температурнаязависимость относительного измене ния чувствительности тензопреобразователя давления, изображенногона Фиг.1, при питании тензосхемыот генератора постоянного напряжения (кривая 6), Кроме того, на 20 Фиг,2 показаны температурные зависимости относительного изменения чувствительности такого же тензопреобразователя давления в...

Номер патента: 1490458

Опубликовано: 30.06.1989

Авторы: Кузнецов, Фридбауэр

МПК: G01B 7/16

Метки: тензопреобразователь

...Истоковые резисторы 20, 22 равны между собой и служат для установки начального тока стока через полевые транзисторы. Первый полевой транзистор 19 соединен с биполярным транзистором 23 по схеме составного транзистора. Резистор 25 предназначен для ограничения тока, текущего через стабилитрон 26 и светодиод 27. Стабилитрон 26 служит для ограничения напряжения на питающей диагонали тензомоста 2 при обрыве одного или двух датчиковСветодиод 27 индицирует обрыв датчиков.Тенэопреобразователь работает следующим образом.Источник 17 тока вырабатывает стабильный ток, который создает на питающей диагонали тензомоста 2 падение напряжения:Цм Тм (1) где Б - напряжение питания тензомоста 2;1, - ток источника 17 тока;К,1 - сопротивление...

Номер патента: 1523901

Опубликовано: 23.11.1989

Авторы: Аникьев, Михайлова, Списовский, Сущенко, Тимофеев

МПК: G01B 7/16

Метки: многоканальный, тензопреобразователь

...этогоизменения до величины, соизмеримойс быстродействием ключа, обеспечитьодгговремеццость ага появления павсем каналам ц тем самым сократитьрасход носителя гггг 1 армацгггг ц: запись обоих уровцей калцбрсгочцогосигнала, 1 цл. которых одна шина соединена с общей25 . гшгггойгногокацальцого тензопреобразавателя, ключ 3, вход которого соедицец с другой шиной источника 1 питания, реэгсгсые 4 и 5 ц тецзорезцсторные 6 г.,лу:гастовьге схемы,дополнительный резистор 7, датчик 8начала гроцесса ц многоканальныйрегистратор 9. Шины второго источ:ягка 2 питания соединены соотнетстнегггго с крайними точкалаг всех полумастаных резцсторцых 4 ц 5 и тецэорезистарных 6 схем, а средние точкисхем 5 и 6 соединены соответственнос общей шиной ц входами каналов...

Номер патента: 1525505

Опубликовано: 30.11.1989

Авторы: Белоглазов, Евдокимов, Котляревская, Стучебников, Черницын

МПК: G01L 9/04

Метки: высокого, давления, тензопреобразователь

...и зависимость, оп ределяемая представленным соотношением.В тенэопреобразователе высокогодавления (фиг,1) мембрана 1, выполненная заодно с корпусом тензопреобраэователя образует колпачковую мембрану с утолщенным основанием 2 и утоненной центральной частью с радиусом К итолщиной Ь. Кремниевые тенэореэисторы расположены на утолщенном основа.нии 2 мембраны на расстоянии г отцентров тензореэисторов до центра мембраны,При этом два тензореэистора 3 ори- З 5 ентированы перпендикулярно радиусу мембраны, а два других тензореэистора 4 - вдоль радиуса, Тензореэисторы соединены в мостовую тензосхему,Под действием давления Р мембрана 40 изгибается, деформируя тензореэисторы, Под действием деформации тенэореэисторы изменяют свое сопротивление и на...

Номер патента: 1573339

Опубликовано: 23.06.1990

Авторы: Кузнецов, Фридбауэр

МПК: G01B 7/16

Метки: тензопреобразователь

...где К с(гс) УбФК = 1вид ток. Четвертый переменный резистор 32 изменяет коэффициент распределения делителя 30. Третий и пятый резисторы 31 и 33 исключают шунтнрова 5 ние измерительной диагонали тензомоста 2.Подавление синфазного сигнала осуществляется следующим образом. Операционные усилители (ОУ) 5 и 6 первого 3 и второго 4 преобразователей напряжение - ток повторяют на своих инвертирующих входах, подключенные к входному резистору 11, входныесигналы. Информационные входные сиг налы, повторенные на входном резисторе 11, равны по величине, но противоположны по знаку, и поэтому при равенстве сопротивлений первого и второго 27 и 28 резисторов в точке 20 их соединения полезный сигнал равен нулю. В точке соединения первого и второго 27 и...

Номер патента: 1663456

Опубликовано: 15.07.1991

Авторы: Журавлев, Калашников, Смирнов

МПК: G01B 7/16, G01L 1/22

Метки: тензопреобразователь

...27 - 30, резисторе 31,конденсаторе фильтра 32 и диодном мосте33, на выходные выводы 34 и 35 диодногомоста 32 подается переменное напряжениеот электрической сети 6 через понижающийтрансформатор (на схеме не показан), входящий в блок 7 питания.Тензопреобразователь работает следующим образом.При подаче электропитания от электрической сети 6 на тензомост 1 через блок 7питания и стабилизатор 8 напряжения подается напряжение питания (на входы 9 и 10питающей диагонали моста 1) и на тензомост 1 не воздействует, так как нагрузка, то естьразность потенциалов между выводами 11и 12 равны нулю, Резисторы 4, 2 моста 1 встабилизаторе напряжения используются вкачестве резисторного делителя напряжения, вывод 11 является средним выводомэтого делителя...

Номер патента: 1672244

Опубликовано: 23.08.1991

Автор: Зеленцов

МПК: G01L 1/22

Метки: интегральный, тензопреобразователь

...их сопротивлений увеличиваются (имеют положительную чувствительность) В резистивных участках Ки Ктенторов Ри Кф возникают деФормации сжатия, в результате чего величины их сопротивлений уменьшаются (имеют отрицательную чувствительность), На периферии 3 мембраны 2 вдоль короткой оси Х будут действовать продольные напряжения 5а= - 0,49 -- ц и поперечные напмамряжения= - 0,09 , - с 1НаЬм периферии 3 мембраны вдоль длинной оси У будут действовать продольныеЪм напряжения (;) = - 0,012 ви иЬ поперечные напряжения С= - 0,064 Ьм-т и. В центре мембраны 2 будет Ъчдействовать разность напряженийЬ 2Ьб = 0,046 Ь Ч. При возникновеМнии в мембране 2 механических напря жений суммарные относительные изменения сопротивлений резистивных участков...

Номер патента: 1473472

Опубликовано: 15.10.1991

Авторы: Бороздин, Малый, Победимов, Шиленко

МПК: G01B 7/16

Метки: тензопреобразователь

...ОезистораВ 1 б 29 и катактсв 30,4к)цмугиаъОих элм-чн Оо Кч К КОТОЛК г,2 И 4, ( КатоаьМ ПОДСОВДИНВНЬ входы каналов, колод.и 44 и 5, к которым подсоединень.Выхадь: ханагов, термапару 4, Подсаед 1 нечнуО К (ОлогКе 43, В Гакяе КОЛодкч, 4 г) КОО;)ая ",Лу)КИТ гг Питания блока ) управла:иг 1,Рабатаст тензОпреабраЗОВат 8 л следу- К)щИМ Образач.1,Диапгэзан ИЗМВНВНИЯ ТСМПВРВТУРЬ Раз бивае-ся на интервалы,Колигеством температурных интервалов определяется количества параллельных электрических цепочек. Количюства Гараллельных электрич 8 ских цепОчак первой и Второй Гру 1 Г раВна количеству температурньх Нтервалсв. а количества паралл 8 льньх злектри 8 ских ц 8 паек т,")8 ть 8 Й Г)уппь на едиицу меньше. При изменении температуры в первом интервале...

Номер патента: 1714335

Опубликовано: 23.02.1992

Авторы: Кузнецов, Фридбауэр

МПК: G01B 7/16

Метки: тензопреобразователь

...16 и 17. Первый и четвертый25 резисторы 18 и 21 отрицательной обратнойсвязи определяют коэффициент преобразования входного тока (тока, протекающегочерез входной резистор 11) в выходное капряжение преобразователя 12 ток - напря 30 жение.Тензопреобраэователь работает следующим образом.Источкик 1 питания создает на измерительной диагонали тензомоста 2 разность35 падения напряжений, пропорциойальнуюразбалансу тензомоста 2. Преобразователи3 и 4 напряжение - ток преобразуют разность напряжений на измерительной диагонали тенэомоста 2 в разность токов,40 Начальное напряжение на выходе тензопреобразователя определяется разностьютоков, поступающих на неинвертирующиевходы первого и второго операционногоусилителей 16 и 17 преобразователя 12...

Номер патента: 1719940

Опубликовано: 15.03.1992

Автор: Суханов

МПК: G01L 9/04

Метки: полупроводниковый, тензопреобразователь

...фиг. 3 - 45зависимость аддитивной составляющейтемпературной погрешности тензопреобразователя от расстояния тенэорезисторовдо края сапфировой подложки, выраженного в долях толщины подложки; на фиг. 4 и 5 50- пример выполнения предлагаемого полупроводникового тензопреобразователя.При серийном производстве тенэопреобразователей хорошо отработана технология пайки серебросодержащим припоемПСРсапфировой подложки к корпусу тенэопреобразователя из титанового сплава. Пайка производится при температуре около 850 С. Поскольку ПСВявляется жестким припоем и толщина слоя припоя 10 мкм) намного меньше толщины сапфировой подложки ( 0,2 мм) и титановой мембраны 0,2-2 мм), то при анализе напряженного состояния чувствительного элемента наличием слоя...

Номер патента: 1732142

Опубликовано: 07.05.1992

Авторы: Кузнецов, Фридбауэр

МПК: G01B 7/16

Метки: тензопреобразователь

...я 12 так - напрях(ениеретий источник 15 Гака пыта 8 Т стабиль"ным такам тензамост г. и апОеделяет режим 20 рабаты па таку схемы 17 подавления синфязных помех, Истачник 16 опарнага каприх(н.ния Вырабатывает стабилизированное постоянное няпаяжение, паступающ 88 на управляющие входы источников 13 - 15 тс ка, Схе Я 17 подавления синфазных помехОсущестьляет яктивна 8 Г)."давление синфазных помех пОстаяннсГО и п 8 ременнОГО Папяжений, ТранзистОО 1 испол.3)ется:г аелис" ющий злемГнт трязляемый , О:,-.;"Ост.ю напряжений между инсертируюи .еиннертирующи н), сдями Операци)нн:Гп уСилителя 18.6, апреабразанатель рабатаеГ следуг)1 ВИ обадам35 Гск источника 15 така создает на измерител ЯОЙ диВГОнали тзнзсмсста 2 аазность ,аденля нягряжений,...

Номер патента: 1740997

Опубликовано: 15.06.1992

Автор: Саблин

МПК: G01L 1/22

Метки: полупроводниковый, тензопреобразователь

...выходной сигнал измеряется соответствующим вольтметром.Недостатками известного устройства являются пониженная чувствительность 10 тензопреобразователя к физическому воздействию вследствие использования только двух активных плеч моста, а также невозможность использования калибровки при одновременном воздействии физического 15 параметра на полупроводниковые тензорезисторы. Это обьясняется тем, что очень трудно обеспечить равенство как температурных, так и деформационных характеристик тензорезисторов. В результате 20 уменьшение сопротивления одного тензорезистора не равно увеличению сопротивления другого тензорезистора, что приводит к изменению калибровочного уровня и погрешности. 25Цель изобретения - обеспечение независимости...

Номер патента: 1765730

Опубликовано: 30.09.1992

Автор: Пономаренко

МПК: G01L 9/04

Метки: давления, интегральный, тензопреобразователь

...к закреплению. Эпюра значений вэтом сечении может быть выражена с достаточной точностью параболой и поэтому нанекотором среднем участке (вблизи центральных линий) напряжения не изменяются20 (фиг.2 в, г, фиг,Зб),Расчет(см.фиг.2 а, б, в, г, фиг.За, б), показал, что напряжение в точках зоны защемления достигают значений такого жепорядка по величине, что и для ряда внут 25 ренних точек, т.е, точек в зоне центральныхлиний и которые имеют отрицательные значения противоположные внутренним. точкам,Таким образом, напряжения, как в про 30 дольном направлении пластины, так и в поперечном (например, вдоль центральныхлиний), изменяясь, проходят через нулевыезначения и принимают отрицательные значения на границе защемления, Поэтому,35 можно...

Номер патента: 1778571

Опубликовано: 30.11.1992

Авторы: Ваганов, Пряхин

МПК: G01L 1/22, G01L 9/04

Метки: воздействия, интегральный, механического, тензопреобразователь

...компонентам представляет из себя метал1178571 5 10 2025 30 35 40 .45 50 55 лизированные контактные площадки 7, расположенные внутри канавок массивной части кристалла преобразователя 8.На фиг. 2 изображена последовательность операций для изготовления интегральных механоэлектрических преобразователей.Использовали полированные с двух сторон кремниевые пластины и-типа проводимости с ориентацией поверхности вплоскости Г 100).Выращивали термический окисел 1 толщиной 0,7 мкм при Т = 1200 С на двух сторонах пластины 2 в высокотемпературнойпечи марки СДО 125-4 А,Проводили фотолитографию для того,чтобы вскрыть окна 3 в двуокиси кремния вместе расположения внешних выводов.На установке УВПМ наносили слойплаэмохимического нитрида...

Номер патента: 1784846

Опубликовано: 30.12.1992

Автор: Зеленцов

МПК: G01L 1/00

Метки: интегральный, тензопреобразователь

...поясняется фиг. 1 - 4 тензорезисторы Я 2 и Я 4 - из уччс Яс тков 2 иа фиг. -3 обозначены: 1 - упругий 40 Я 4, Резистивные участки Я и Яз располоэлемент иэ полупроводникового материала жены соответственно вдоль внешнего кони плоскостью ориентации(001); 2 - профи- тура 4 профилпрованной мембраны 2 лированная мембрана упругого элемейта; 3 вблизи его середины (вблизи точок А и А 1 на - жесткий центр; 4 - внешний контур про-, пересеч чии осей симметрии Х и У с виешфилированной мембраны; 5 - внутренний 45 ним контуром) и перпендикулярно внутренконгур профилированной мембраны; 6 - то- нему контуру 5 мембраны (вблизи жесткого коведущие коммутационные дорожки; 7,3 - центра 3) вблизи егс середины (вблизи точек контактные площадки для...

Номер патента: 1793200

Опубликовано: 07.02.1993

Авторы: Аникьев, Михайлова, Списовский, Сущенко, Тимофеев

МПК: G01B 7/16

Метки: многоканальный, тензопреобразователь

...и значительному объему работ при настройке регистрирующей аппаратуры и в процессе измерений деформации.Целью изобретения является повышение точности, упрощение измерения динамических процессов и сокращение вр-: мени1793200 измерений путем использования в многоканальном тензопреобразователе образцового магазина сопротивления для определения тарировочного импульса, задаваемого дополнительным переменным 5 резистором.Поставленная цель достигается тем, что в известном техническом решении одно плечо полумостовой реэисторной схемы содержит параллельно соединенные цепи. од на цепь состоит из резистора, а другая - из дополнительного переменного резистора и ключа, управляемого датчиком начала процесса, второе плечо содержит образцовый магазин...

Номер патента: 1827531

Опубликовано: 15.07.1993

Авторы: Ваганов, Пряхин

МПК: G01B 7/16

Метки: интегральный, тензопреобразователь

...По сравнению с чувствительностью мостовой схемы, состоящей изтензорезисторов, расположенных на дрототипе, чувствительность мостовой схемы, состоящей из тензорезисторов, расположенных напредлагаемом тензопреобразователе, увеличивается в 10,89 раза. Результаты проведенного сравнения относятся к случаю 40. одинаковых геометрических размеров мембраны прототипа и предлагаемого тенэопреобразователя,Другим важным обстоятельством, которое связано с увеличением чувствительности. является возможность при сохраненийпервоначальной чувствительности уменьшить внешние размеры преобразователя.Так для нашего случая возможность увеличить чувствительность прототипа в 10,89 раза позволяет, не изменяя значениячувствительности уменьшить ширину мембраны в 3,3...

Номер патента: 1827532

Опубликовано: 15.07.1993

Авторы: Ваганов, Пряхин

МПК: G01B 7/16

Метки: интегральный, тензопреобразователь

...элементасвязано с увеличением чувствительности.По сравнению с чувствительностью мостоьой схемы, состоящей из тенэорезисторов,расположенных на прототипе,чувствительность мостовой схемы, состоящей из тенэорезисторов, расположенных напредлагаемом тензопреобразовэтеле, увеличением в 10,89 раза. Результаты проведенного сравнения относятся к случаюодинаковых геометрических размеров мембраны прототипа и предлагаемого тенэопреобрээователя.Другим важным обстоятельством, которое связано с увеличением чувствительности, является возможность при сохранении первоначальной чувствительности уменьшить внешние размеры преобразователя, Так кэк вашего случая возможность увеличить чувствительность прототипа в 10,89 раза позволяет не изменяя значения...