Патенты с меткой «продвижения»

Номер патента: 1513517

Опубликовано: 07.10.1989

Авторы: Гаевский, Красин, Ксиров, Малаховский, Нецепляев, Орлов, Хавич

МПК: G11C 11/14

Метки: доменов, магнитных, продвижения, структура, цилиндрических

...не покидает диск, перемещаясь вслое-носителе П 1 Щ в сторону вытравленной канавки 5, так как притягиваетсясмежным диском, который замыкает поле рассеяния ЦМД,Изложенное можно пояснить следующимобразом. Энергия ЦМД - Е определяетсяформулой Е - энергия, связанная с полемрассеяния Ц 1 рЩ,Из формулы (1) видно, что Е увеличиваетсв с ростом На и бе"ГА НаТ.е. при увеличении одноосной анизотропии Нд в слое-носителе ЦМД подсмежным диском энергия ЦМД будет возрастать, а при нахождении ЦМД на краюсмежного диска будет уменьшаться, таккак за пределами диска НА меньше. Таким образом, при повышении однооснойанизотропии под смежным диском ПМДбудет стремиться покинуть центр диска и сместиться к его краю. При выходе ЦМД из-под диска резко возрастает...

Номер патента: 1344161

Опубликовано: 07.02.1990

Авторы: Гришин, Пермяков

МПК: H01L 39/00

Метки: вихрей, магнитных, продвижения

...н точке закрепления нуль, Каждый МВ занимает место скрещения двух кацалон продвижения, где образовано локальное понижение толщины пленки на глубину двух каналов продвижения, размещенных с разных сторон пленки, На разрезе вдоль любого канала МВ 5 Фиксируются концами на поверхности снерхлроводящей пленки 3, пронизывая ее насквозь, т.е, опираясь одним концом ца дно канала продвижения 2, а другим на нторую поверхность в месте минимальной толщины, вблизи крутого участка смежного канала (фиг, 4, а), При подаче тока в пленку 3 в налранлеции, цс рцецликулярцом цасравлецию какацала 2 (фцг. 4, б) при заданномвыборе направления тока и полярности МВ 5, на последние цачицает действовать сила, смешающая МВ перпендикулярно направлению тока, те,вдоль...

Номер патента: 1577683

Опубликовано: 07.07.1990

Автор: Хельмут

МПК: A44B 19/42

Метки: закрытого, замка, молния, позиционирования, продвижения

...замка, приводное зубчатое колесо, н каж-.дый зуб которого приходится один эле.мент заика. Прц выполнении определен-ного поворота колесо продвигает заранее известное количество элементовзамка. Устройство выполцепо так, чтопуть И определяется углогл 14 поворотаприводного зубчатого колеса 8. 3 ".осправедливо такхе и для позиционирования. При этом учитывается положениеначала и конца работы приводного зубчатого колеса 8. Привод 5 снабжен датчиком 15, который измеряет факти гес. ки пройденный подающим зубчатым олесом угол поворота, причем эта из леренная величина поступает в микропроцессор 7, который выдает величину коррекции. В качестве датчика 15 мокетиспользоваться оптический датчик илизубчатое колесо,Если устропство работает с...

Номер патента: 1759966

Опубликовано: 07.09.1992

Авторы: Додонов, Лифамов, Николаенко, Сушкин

МПК: D05B 27/10

Метки: механизм, продвижения, швейной

...ее часовой стрелки ролики 17 заклиниваются между звездочкой 14 и внутренним диаметром ролика продвижения материала 10, сообщая ему заданный рабочий ход.При рабочем ходе тормоз растормаживается, так как движущийся вместе с ведущей полумуфтой ролик 11 попадает на 5 выступ неподвижного кулачка 12, что приводит к отводу тормозных колодок 20 от внутренней поверхности ролика продвижения материала 10.Так осуществляется свободная подача 10 материала на один рабочий ход.При обратном ходе приводного рычага 13 (против часовой стрелки) неподвижный рычаг 5 с неподвижной полумуфтой удерживает ролик 10 продвижение материала от 15 обратного реверсивного движения, Одновременно ролик 11 сходит с выступа кулачка 2 и пад действием пружины - Э тормозные...

Номер патента: 1767532

Опубликовано: 07.10.1992

Авторы: Подкорытов, Службин, Темерти

МПК: G11C 11/14

Метки: доменов, канал, магнитных, продвижения, цилиндрических

...от отверстия создается магнитное поле, направленное встречно полю смещения, Такая область с пониженным значением поля смещения создает в слое магнитоодноосного материала МСЛ, притягивающую ЦМД.Продвижение доменов по каналу основано на взаимодействии ЦМД с последовательно создаваемыми токами управления в слоях 2,3 и 4 МСЛ. Токи в слоях 2 и 3 выбираются из условия создания на краях отверстий 5 и 6 МСЛ равной глубины, обеспечивающей перемещение ЦМД, В связи с тем, что слой 3 расположен дальше от магнитоодчоосного материала, чем слой 2, ток в нем больше (практически на 20 - 30), За исходное состояние примем такой момент, когда в проводниках 2 и 3 токи протекают в противоположных направлениях, причем в проводнике 2 он отрицательный, в...

Номер патента: 1809465

Опубликовано: 15.04.1993

Авторы: Горохов, Драчук

МПК: G11C 11/14

Метки: доменной, памяти, продвижения, формирователь

...Ссоставляющей полного сопротивления катушки у 1 = щЬ, в результате чего вектор напряжения Ос-о на конденсаторе (вектор 0) и вектор Оь индуктивной составляющей сопротивления катушки (вектор Я) взаимно компенсируются и вектор напряжения Оу-о на выходе усилителя 1 мощности (вектор ОЕ) равен сумме вектора напряжения Овос на резисторе 4 обратной связи и вектора напряжения Овк на активном сопротивлении катушки (вектора ОГ, равного вектору АВ),С увеличением емкости конденсатора 3 до значения Сц 2 р его сопротивление снижа 1ется до величины ф = С +, в РеМСо+2 о зультате чего вектор напряжения Осц 2 о на конденсаторе (вектор ОН) не полностью компенсирует вектор напряжения Ок индуктивной составляющей напряжения на катушке (вектор ОА),.оставляя...