Патенты с меткой «примеси»

Номер патента: 1632170

Опубликовано: 27.04.1996

Авторы: Вовк, Дахненко, Корхов, Лозин, Сандуляк, Яцьков

МПК: G01N 27/72

Метки: магнитовосприимчивой, примеси, содержания, среде, фракции

...8, позволяющей изменять скоростной режим фильтрования среды через насадку 2. Отбор проб среды после колонок 1 для определения содержания примесей одним из химических методов непосредственно после фильтрования через насадку 2 осуществляют через пробоотборники 9, на которых могут быть установлены катушки 10 индуктивности. Способ осуществляют следующим образом.Анализируемую среду разделяют по меньшей мере на две части, которые независимо и одновременно пропускают через намагниченную насадку 2, расположенную в фильтрационных колонках 1, Параметры осаждения в колонках 1 отличаются по одному из режимных параметров (Н, В, , , б, Ч,;7 - напряженности поля, индукции поля, высоте насадки, плотности насадки, диаметру гранул насадки, скорости...

Номер патента: 1584666

Опубликовано: 20.06.1999

Авторы: Веденеев, Ждан, Рыльков, Шафран

МПК: H01L 21/66

Метки: параметров, полупроводнике, примеси

Способ определения параметров примеси в полупроводнике, включающий измерение в криостате ЭДС Холла в образце Uн и эталоне Uн, и соответствующих токов I и I1, в условиях фоновой подсветки при температуре Tв из области вымораживания примесей, отличающийся тем, что, с целью повышения точности способа и обеспечения возможности определения концентрации основной легирующей примеси, в криостат дополнительно помещают второй этап с другим уровнем легирования и измеряют ЭДС Холла и ток I2 при тех же условиях, устанавливают температуру Tи из области истощения основной...

Номер патента: 1426252

Опубликовано: 20.11.1999

Авторы: Добровольский, Усик, Фарносов

МПК: G01R 31/26

Метки: концентрации, полупроводниках, примеси, профиля

1. Способ определения профиля концентрации примеси в полупроводниках по авт.св.N 689423, отличающийся тем, что, с целью повышения точности, освещают полупроводниковый образец со стороны прозрачного электрода немодулированным световым потоком с интенсивностью, равной сумме средних интенсивностей обоих модулированных световых потоков, и измеряют переменное напряжение фотоЭДС на тех же частотах, а при определении профиля концентрации примеси по переменному напряжению фотоЭДС из переменного напряжения фотоЭДС, измеренного при освещении образца модулированным световым потоком, вычитают переменное напряжение фотоЭДС, измеренное при освещении немодулированным световым потоком.2. Устройство...

Номер патента: 824621

Опубликовано: 10.03.2000

Авторы: Грибанова, Кабачник, Кузнецова, Медведь, Поликарпов, Челищев

МПК: C01F 1/00, C02F 1/42

Метки: извлечения, кальция, примеси, растворов, содержащих, стронция

Способ извлечения стронция из растворов, содержащих примеси кальция, путем сорбции на фосфорсодержащих полиамфолитах, отличающийся тем, что, с целью повышения степени разделения стронция и кальция, в качестве сорбента используют полиамфолит, содержащий диаминные и фосфиновокислые функциональные группировки.

Номер патента: 893092

Опубликовано: 27.05.2012

Авторы: Апанасенко, Гурский, Сигалов

МПК: G01N 27/22, H01L 21/66

Метки: концентрации, легирующей, полупроводниках, примеси, профиля

Способ определения профиля концентрации легирующей примеси в полупроводниках, основанный на измерении вольт-фарадной характеристики МДП-структуры и определении профиля концентрации легирующей примеси расчетным путем, отличающийся тем, что, с целью расширения пределов определения профиля концентрации легирующей примеси, перед измерением вольт-фарадной характеристики к МДП структуре прикладывают через ограничивающий ток резистор линейно возрастающее напряжение до возникновения в диэлектрике проводимости от 10-11 до 10-9 (Ом·см)-1 .