Накопитель для полупостоянного запоминающего устройства

ОП ИСАНИЕИЗОБРЕТЕН ИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союз Советских Социалистических Республик) Заявлено 13,07,73 (21)1942918 Кл,1 С 17/00 вкис присоединением Государственныи иомитет Совета Министров СССР оо делам изобретений и открытий(43) Опубликован 04, 775 юллет 3) УДК 681.32 ата опубликования описания 5.77 2) Авторы изобретен Некрасов, Некрас Ордена Ленина институт кибернетики АН Украинской СС 71) Заявите 54 НАКОПИТЕ Я ПОЛУ УСТРО осит ителей содер жит , расположенные м направлении, ых установлены огут быть как 10 Изобретение отн ся к вычислительнойтехнике, в частности к полупостоянным запоминающим устройствам (ЗУ),Известны накопители полупостоянных ЗУ3 и 12,Один из известных накопчисловые и разрядные шиныво взаимно перпендикулярнов местах пересечения которэлементы связи, которые мактивными, так и пассивными,Второй из известных накопителей содержит также числовые и разрядные шины, аэлементы связи, выполненные на МОП-транзисторах и образующие матрицу, соединены 15последовательно.Наиболее близким техническим решениемк данному изобретению является накопительдля полупостоянных ЗУ, который содержитразрядные шины, каждая из которых одним 2своим концом подключена через токоограничиваюший резистор к первому регулируемому источнику напряжения, и матрицу элементов связи, подключенных к соответствующей числовой шине 131, Однако ему свойствен- И ТОЯННОРО ЗАПОМИНАЮЩЕГОВА но сильное снижение быстродействия ттои наращивании числа ячеек в строке матриц чакопителя за счет увеличения паразиткой емкости. Кроме того, наличие большого числапроводяших шин усложняет технологию иувеличивает размеры матрицы накопителя.Цель изобретения - повышение надежности накопителя полупостоянного ЗУ,Достигается это тем, что накопительполупостояннсго ЗУ содержит второй регулируемый источник напряжения, подключенный к другим концам всех разрядных шин,а элементы связи в строках соединены последовательно, при этом элемент связи выполнен из соединенных параллельно МДПтранзистора и полупроводникового переключателя с памятью.На чертеже дана схема предлагаемогоустройства,Накопитель для полупостоянного ЗУ представляет собой матрицу, каждый элементсвязи которой содержит соединенные парылельно МДП- транзистор 1 и полупроводниковый переключатель 2 с памятью. ЗатворыМДП-транзисторов 1 подсоединены к соот3ветствующим числовым шинам 3. Элементные связи в каждой разрядной строке матрицы соединены последовательно. Одни выводы разрядных шин 4 объединены и подключены к регулируемому источнику напряже ния 5, а другие через токоограничивающие резисторы 6 - к регулируемому источник напряжения 7.У Работа накопителя происходит следующим образом. В исходном состоянии на все числовые шины 3 поданы сигналы управле ния и МДП-транзисторы 1 всех элементов связи открыты, образуя проводящие цепи в разрядных строках матрицы. Выборка соответствующих элементов связей матрицы при записи, считывании и стирании двоичного числа осуществляется путем снятия напряжения управления с нужной числовой шины,Стирание информации в элементах связи матрицы производится путем перевода полупроводниковых переключателей с памятью 2 в проводящее исходное состояние. Ретулируемый источник напряжения 7 переклк чается в режим формирования напряжения- стирания, величина которого должна обес 25 печивать перевод полупроводникового переключателя 2 с памятью в проводящее состояние, а с выбранной числовой шины 3 снимают напряжение управления, При этом в элементах связи, в которых МДП-гран 30 зистор 1 закрыт, к полупроводниковому переключателю с памятью прикладывается напряжение стирания, переключающее его через определенное время в проводящее со 35 стояние. Ток стирания ограничивается резистором 6.При стирании и считывании информации регулируемый источник напряжения 5 формирует нулевой уровень напряжения.После стирания информации (перед записью информации) регулируемый источник напряжения 7 переключается в режим формирования напряжения считывания или ну левого уровня напряжения.45Запись информации в элементах связи матрицы осуществляется путем перевода полупроводниковых переключателей 2 с памятью в непроводящее состояние в тех элементах связи, в которые записывается логическое состояние "единица". При этом источник напряжения 5 переключается в режим формирования напряжения записи, величина которого выбирается из условия обеспечения перевода полупроводникового переключателя 2 с памятью в непроводящее состояние в течение заданного промежутка времени.При снятии напряжения управления с выбранной числовой шины 3 МДП-транзисторы 1, подключенные к ней, запираются и через выбранные полупроводниковыепереключатели 2 с памятью протекает токзаписи, переводящий их в неприводящеесостояние. После окончания записи информации регулируемый источник напряжения 5переходит в режим формирования нулевогоуровня напряжения, а регулируемый источник напряжения 7 переходит в режим формирования напряжения считывания. Величинанапряжения считывания выбирается такой,чтобы не происходило изменение состояния полупроводниковых переключателей спамятью в выбранных элементах связи,Считывание информации осуществляетсяпутем снятия напряжения управления с соответствующей числовой шины 3. При этомМДП-транзисторы 1, подключенные к выбранной числовой шине 3, закрываются. Сопротивление разрядных строк матрицы, вкоторых закрытые МДП-транзисторы 1 шунтированы полупроводниковым переключателем 2 с памятью, находящимся в проводящем состоянии, мало. Если запертыеМДП-транзисторы 1 не зашунтированы(т.е, если в этих ячейках полупроводниковые переключатели с памятью находятся внепроводящем состоянии), то сопротивлениеразрядных строк матрицы велико. Такимобразом при считывании информации сопротивление разрядных строк матрицы определяется состоянием полупроводниковых переключателей с памятью в выбранных элементах связи. На выходе каждого разряда8 появляется потенциал, величина которогоопределяется коэффициентом деления напряжения источника 7, зависящего от величины сопротивления разрядной строки матрицы,В предлагаемом накопителе по сравнениюс известными накопителями для полупроводниковых ЗУ на полупроводниковых переключателях с памятью, а также на МДП-транзисторах со структурой металл-нитридкремния - окись кремния - кремний и металл -окись алюминия - окись кремния -кремний, время считывания информации вменьшей степени зависит от числа элементов связи в строке матрицы накопителя,так как паразитные емкости малы и быстроперезаряжаются, что позволяет производитьнаращивание объема памяти накопителя, неснижая его быстродействия, Кроме того,сокращается большое число проводящих шини уменьшаются габариты накопителя.формула изобретения1. Накопитель для полупостоянного запоминающего устройства, содержащий раз555439 Составитель В. Гуркинаедактор . ончарЕ. Г Техред А. Богдан Корректор Ж. Кесле 762 Подписноетета Совета Министров СССРний и открытийРаушская наб., д. 4/5 з 466/25 ТиражЯНИИПИ Государственного компо делам изобре113035, Москва, Ж 35 жгород, ул. Проектная,тент",илиал рядные шины, каждая из которых одним своим концом подключена через токоограни чивающий резистор к первому регулируемому источнику напряжения, и матрицу элементов связи, подключенных к соответствующей числовой шине, о т л и ч а ю щ и й с я тем, что, с целью повышения надежности работы накопителя, он содержит второй регулируемый источник напряжения, подклю ченный к другим концам всех разрядных 1 О шин, а элементы связи в строках соединены последовательно.2. Накопитель по п,1, о т л и ч а ю - щ и й с я тем, что элемент связи выполнен из соединенных параллельно МДП-гранзистора и полупроводникового переключателя с памятью.Источники информации, принятые во внимание при экспертизе:1. Крайзмер Л. П. Устройство хранения дискретной информации Энергия", Л., 1969 г стр, 248-249.2. Заявка1870228/18 24 М,Кл.6 11 С 17/ОО,УДК 681.327.6, 02. 01, 73 г, (принято положительное решение).3. Заявка1915689/18-24,М.Кл С 11 С 17/00, 681,327,6, 23, 04, 73 г, (принято положительное решение),