Матрица для полупостоянного запоминающегоустройства

Номер патента: 239669

Авторы: Баранов, Средств, Тбилисский

ZIP архив

Текст

ОП ИСАН И Е ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союз Советскими Социалистичесиих РеспубликЗависимое от авт, свидетельства М Кл, 42 ш, 13, 08 21 а 1, 37,04 аявлено 26.11.1968 ( 1221596,18-24 ки .,о присоединением за ЧП 1 х 6 061 Ст 111)риоритетпубликовано 18.111.1969. Бюллетень М 11 ата опубликования описания 7 Л 111.1969 Номитет по деламобретений и открытий при Совете Министров СССРАвторыизобретены С. Баранов и Э. С. Карелл Заявител ательскии институв автоматизации ОЛУПОСТОЯ Н НОГО ЗА ПО."ттИ НАМ ЩЕГО УСТРОЙСТВА АТРИЦА Д кц служат для записи яков, например единицынапример цу лл, прозг:Птной перемычки пу- я Магнитные перемыч одного из двоичных зн Запись другого знака водится удалением м тем пробцвкц о гверсти Тбилисский научно-исслед и среПредложение относится к автоматике и вычислительной технике.Известна запоминающая матрица, в которой в качестве элементов связи применяются симметричные незамкнутые маг 1 итопроводы. Замыкание магнитопроводов для создания взаимосвязи между Вертикальными и гор:1 зонтальными проводами производится при помощи магнитных перемычек, выполненных в виде черточек и нанесенных на носитель информации под утлом 45 или 135 по отОшенцО к проводам. В известной запоминающсй матрице запись информации приходитсл осуществлять в процессе нанесения магнитных перемычек ца носитель информации. В связи с этим отсутствует возможность оперативно корректиро,вать и менять информацию в период отработки ее в ЭВМ.Предложенная матрица отличается тем, что замыкающие ферромагнитные перемычки, служащие для записи одного из двочцых знаков, например единицы, расположены параллельно друг другу, а длл записи другого знака, напри.мер нуля, нанесены перфоотверстця в носителе информации, образованные на месте удаленных магнитных перемычек.Это позволлег сократить врем ц упростить процесс нанесения, информации на носитель,На фиг, 1 изображена принципиальная схелта ттредложенной матрицы; на фиг. 2 - отдельный незамкнутый магнцтопровод В двух проекциях; на фцг. 3 - носитель информации с нанесенными ц перфорированными мап 1 цтцымц перемычками.5 Полупостолнная запоминающая матрицаВыполцсна В Вцдс сеткп 1 ВзацмспсрскрещцВ 310- цтцхсл проводов 1 ц 2, цз которых продольцые провода 1 служат длл Опросаматрицы, а поперечные провода 2 - длл выда гц информа Циц. Перекрестил этих прОВОДОВ помсщень Внезалкцутые л 1 агццтоповоды , которые Выполцецы в ниле сцл 1 метрцчцых чстырехполюс 11 ЦКОВ.Магнитные перемычки 4, нанесенные на не магнитный нос тель информации 5, имеютфорт, 1 ерты с Одинаковым наклоном ц В 11 полцецы цз маг;титомягкого ферромагнитного материала.1 остель цнформацц; 5 выполнен в виде 20 карты, на которой располОжецы Олды магнитных перемычек. Онц расположены таким образол, тооы прц н алов.енц 1 карты на сетку про водов цх центры совпадалц с центрами перекрсстч 1 й проводов.25Предложенная матрица полупостоян ного запоминающего устройства работает следующим образом.При подаче из дешифрирующего устройства опрашивающего токового импульса на выбранный продольный провод 1 в поперечных проводах 2, в перекрестиях которых магнитопроводы 3 окажутся замкнутыми магнитными перемычками 4, будет наведена э.д.с. выходного сигнала. В тех перекрестиях, магнитопроводы которых окажутся незамкнутыми (против них окажутся перфоотверспия), благодаря их симметричности э.д.с. наводиться не будет.Предмет изобретенияМатрица для полупостоянного запоминающего устройства, состоящая нз оистемы перекрещивающихся проводов, в перекрестиях которых расположены сииметричные магнитопроводы, замыкаемые ферромагнитными перемычками, нанесенными на карты и выполнен ными в виде диагональных черточек, центрыкоторых совпадают с точками пересечения проводов, отличающаяся тем, что, с целью сокращения времени записи информации и упрощения процесса, замыкающие ферромагнитные 10 перемычки, служащие для записи одного издвоичных знаков, например единицы, расположены гараллельно друг другу, а для записи другого зодиака, например нуля, нанесены перфсотверстия в носителе информации, образо ванныс на месте удаленных магнитных перемьче 1(.

Смотреть

Заявка

1221596

В.С. Баранов Э.С. Карели, Тбилисский научно исследовательский институт приборостроени, средств автоматизации

МПК / Метки

МПК: G11B 5/02

Метки: запоминающегоустройства, матрица, полупостоянного

Опубликовано: 01.01.1969

Код ссылки

<a href="https://patents.su/3-239669-matrica-dlya-polupostoyannogo-zapominayushhegoustrojjstva.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Матрица для полупостоянного запоминающегоустройства</a>

Похожие патенты