Патенты с меткой «однородности»

Номер патента: 1785050

Опубликовано: 30.12.1992

Авторы: Ждан, Рыльков, Фомин, Шафран

МПК: H01L 21/66

Метки: излучения, однородности, приемников, фоточувствительности

...лазерным лучом, Модулируют диаметр лазерного луча в процессе сканирования, Регистрируют переменную составляющую фотосигнала, 1 ил. Для осуществления способа используют устройство, изображенное на чертеже, и содержащее. СО-лазер 1 с пьезокорректором, делитель 2 лазерного пучка, модулятор 3 пространственного положения луча, систему 4 автоматической подстройки частоты (АПЧ) СО-лазера, фотоприемник 5 системы АП 1, пропускающую линзу 6 на фотоприемник системы АПЧ, поворотное зеркало 7, усилитель 8 мощности, звуковой генератор 9, усилитель 10 мощности, поворотное зеркало 11, прерыватель 12, устройство 13 фокусирующее и перемещающее лазерный пучок по поверхности образца с контролем пространственного положения, модулятор 14 диаметра...

Номер патента: 1806418

Опубликовано: 30.03.1993

Авторы: Немцев, Орлова, Полякова, Тявловский, Яржембицкий

МПК: H01L 21/00

Метки: однородности, поверхности, полупроводниковых, потенциала, распределения, электрического

...нм и расстоянием между дефектами более 50 нм, На расстояния более нескольких десятков мкм поверхность является статистически однородной.П р и м е р 2, Указанная в примере 1 последовательность операций была повторена при использовании в качестве объекта измерения эпитаксиальной пленкивыращенной на кремниевой пластине с полностью удаленным нарушенным слоем, Получены следующие результаты измерения.При изменении расстояния от отсчетного электрода до поверхности от 0,37 до 1,2 мм минимальное и максимальное значения потенциала составили 268 и 276 мВ, а их полураэность 4 мВ. Микроморфология поверхности характеризовалась однороднымраспределением точечных микродефектов с регулярным пространственным распределением и средним расстоянием между...

Номер патента: 1807328

Опубликовано: 07.04.1993

Автор: Запорожец

МПК: G01N 3/40

Метки: однородности, свойств, физико-механических

...анализа в реальном масштабе времени по разработанным программам на ЭВМ М 4030.График спектральной плотности по результатам первого сканирования (фиг,4) позволяет выделить частотный диапаэОн колебаний йндентора, связанных с влиянием шероховатости технологической обработки (0,71,1 Гц),С учетом этого производили второе сканирвоание при нагрузке Р 2=150 сН (увеличение нагрузки производится из следующих соображений:1) Эффективная ширина графика спектральной плотности должна увеличиться в связи с. влиянием структуры контролируемого материала; 2) на значение энергетической составляющей (спектральной плотности), затрачиваемой на деформирование материала; не должно оказывать влияние преодоление микрорельефа).По полученным результатам (фиг.5)...

Номер патента: 1819347

Опубликовано: 30.05.1993

Авторы: Ракин, Юхтанов

МПК: G01N 21/41

Метки: крупки, однородности, оптической

...жидкость подбираюттаким образом, чтобы ее показатель преломления пж превышал показатель преломления крупки пер(в случае двупреломления -45 наибольшее значение) ма величину йорядка 0,02, Кювету со смесью равномерно нагревают и в процессе нагревания непрерывноизмеряют интенсивность лазерного света,попадающего на Фотоприемник в проиэволь 0 ной шкале единиц. Измерения проводят дотех пор, пока показатель преломления жидкости иж не опустится ниже показателя преломления крупки(в случае двупреломления -его наименьшего значения) на величину55 0,02,Полученную таким образом зависимость интенсивности света от температурысмеси преобразуют в зависимость от показателя преломления путем использованияточностью до постоянного коэффициента. 5 10 15(5)...

Номер патента: 1824556

Опубликовано: 30.06.1993

Авторы: Кондратенко, Моисеев, Петров, Степанов

МПК: G01N 21/88

Метки: макроструктуры, однородности, пластин, полупрозрачных, сильнорассеивающих

...для расчета гэфф по соотношениям (2) - (4) величина О считаетсяизвестной, Она слабо зависит от вариацийзаданного технологического режима изготовления материала и может быть достаточно просто измерена на тонком образцеэтого материала. Другая величина - коэффициент А вообще не влияет на гэфф, поскольку она сокращается при подстановке(2) и (4) в формулу (3.Что касается эффективного коэффициента поглощения К, то его величина во многомобусловлена наличием неконтролируемых вкаждом конкретном случае примесей и может сильно меняться от пластины к пластине, что делает необходимым измерение Кдля каждой пластины, С этой целью сигнал0 приемника излучения, пропорциональный энергии пропущенного пластиной излучения при положении пучка в...

Номер патента: 1050473

Опубликовано: 15.11.1993

Авторы: Арбузова, Воеводин, Грибенюков, Максимова, Якубеня

МПК: H01L 21/66

Метки: однородности, полупроводникового

...образуются йа кристаллографическйх15 гранях, например (110), .ориентированныхперпендикулярно оси роста кристалла. Наобразцах, вырезанйых параллельно оси роста, наблюдаются протяженные ограненные области.: вытянутые вдоль оси роста20 кристаллов. Рентгенотопографическим методом показано; что указанные ямки появляются в местах выхода на поверхностьвключений посторонних фаэ.Исследуют зависимость скорости трав 25 ления и состоянйеповерхности от концентрации кислоты в растворе травителя.Результаты экспериментов приведены. втабл. 1,На основании проведенных исследоваф30 ний сделан вывод об оптимальном соотношении компонентов тра вителя:НЙОз:Н 2 О 3 2Исследуют: влияние температуры обра-,ботки на результаты травления в интервале35 30-110 С....

Номер патента: 1783933

Опубликовано: 28.02.1994

Авторы: Козловский, Марков, Насибов, Федоров

МПК: G01N 21/55, H01L 21/66

Метки: однородности, оптического, основе, полупроводников, раствора, состава, твердого

СПОСОБ ОПТИЧЕСКОГО КОНТРОЛЯ ОДНОРОДНОСТИ СОСТАВА ТВЕРДОГО РАСТВОРА НА ОСНОВЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВ, включающий облучение электромагнитным излучением химически полированных поверхностей исследуемого образца или его ествественных сколов в различных точках, регистрацию энергетических спектров, их сравнение и контроль однородности материала на основе этого сравнения, отличающийся тем, что, с целью упрощения способа и повышения экспрессности контроля, осуществляют облучение кристаллографически эквивалентных поверхностей исследуемого образца с энергией квантов, не меньшей ширины запрещенной зоны исследуемого полупроводника, регистрируют спектры экситонного отражения или люминесценции, выделяют на спектрах характеристическую линию экситонного...

Номер патента: 1536982

Опубликовано: 28.02.1994

Авторы: Гук, Зубрилов, Котин, Шуман

МПК: G01R 31/26

Метки: диодов, коэффициентом, лавинного, однородности, положительным, пробоя, температурным

СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ОДНОРОДНОСТИ ЛАВИННОГО ПРОБОЯ ДИОДОВ С ПОЛОЖИТЕЛЬНЫМ ТЕМПЕРАТУРНЫМ КОЭФФИЦИЕНТОМ НАПРЯЖЕНИЯ, включающий пропускание через диод импульсов обратного тока, отличающийся тем, что, с целью устранения разрушения прибора в процессе измерений, на диод подают последовательно два одиночных прямоугольных импульса обратного тока равной длительности с различными амплитудами со средней плотностью тока в импульсе не менее 20 А/см2, измеряют напряжения на диоде в конце каждого импульса тока, определяют по ним дифференциальное сопротивление диода, при этом длительность импульсов обратного тока выбирают в пределах 2 10-6c

Номер патента: 923281

Опубликовано: 27.12.1996

Авторы: Квурт, Миндлин, Нечаев, Рубаха, Синкевич

МПК: G01R 31/26

Метки: мощных, однородности, структуры, транзисторов

1. Способ контроля однородности структуры мощных транзисторов, включающий импульсный разогрев структуры при постоянной амплитуде тока эмиттера и регистрацию изменения во времени прямого падения напряжения на переходе эмиттер база, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода годных, разогрев осуществляют подачей прямоугольного импульса напряжения на переход коллектор база, амплитуда которого превышает напряжение образования шнура тока в структуре для статического режима и длительность фронта которого значительно меньше тепловой постоянной времени полупроводникового кристалла, причем импульс разогрева прерывают в момент, когда происходит увеличение скорости изменения во времени модуля приращения регистрируемого параметра, а однородность...