Патенты с меткой «накопителя»

Номер патента: 1735926

Опубликовано: 23.05.1992

Авторы: Богницкий, Герасимов, Иванов, Фомин, Чижевский

МПК: H01G 9/00

Метки: накопителя, электрической, энергии

...10 мм рт.ст. Затем суспензию фильтруют через пористый сепаратор. Сепаратор с нафильтрованным слоем снимают и устанавливают нафильтрованным слоем на опорную сетку, Наносят электродный материал на вторую сторону сепаратора по описанной технологии. Затем сепаратор с нанесенными на обе стороны слоями электродного материала сушат. Электроды заправляют электролитом, Электродные слои соединяют с соответствующими металлическими токоотводами. Полученную сборку устанавливают в корпус и герметизируют,П р и м е р. Изготавливают накопитель электрической энергии путем фильтрации суспензии активированного древесного угля с 0,2 ф/, суспензии политетрафторэтилена последовательно через обе стороны сепаратора - пористой асбестовой брмаги толщиной 100...

Номер патента: 1735953

Опубликовано: 23.05.1992

Авторы: Богницкий, Герасимов, Иванов, Фомин, Чижевский

МПК: H01G 9/00

Метки: накопителя, пористого, электрической, электрода, энергии

...в объеме 100 мл дистиллированнойводы диспергировали 0,2 г мелкоизмельченного асбеста и полученную. суспензию профильтровывали через асбестовыйсепаратор толщиной 100 мкм, Затем в100 мл дистиллированной воды диспергировали 1 г древесного угля, добавили10 мл О,27-ной суспензии ПТФЭ и сразупрофильтровали через основу с нанесенным слоем измельченного асбеста толщиной 50 мкм, После фильтрации полученный электрод высушили при 100 Св течение 1 ч, При этом накапливае. -мый заряд равен 41 Кл (9, 1 Кл/см 3);ток утечки - 6 мА (1,45 10 АФВ ),П р и м е р 5, Аналогично примеру 4,в объеме 100 мл дистиллированной воды диспергировали 0,24 г мелко-.измельченного асбеста и полученнуюсуспензию профильтровали через асбестовый сепаратор толщиной 100...

Номер патента: 1738900

Опубликовано: 07.06.1992

Авторы: Кузнецов, Сысоев

МПК: E02B 3/16, E02B 7/06

Метки: бортах, накопителя, намыва, экрана

...пульпопровод 6 на подачу пульпы в центральную часть накопителя, где продолжают намыв слоя 7 и постепенно поднимают уровень воды 8. При этом следят за тем, чтобы на всех этапах наращивания экрана 5 его поверхность располагалась выше уровня воды 8, Все последующие ярусы экрана 5 возводят аналогично. Отсыпку упорных и экранирующих призм 2 и 4 ,реимущественно выполняют зимой, используя более высокую несущую способность сезонно-мерзлого слоя на поверхности экрана 5, При этом отсыпку зкранирующей призмы 4 ведут из талого, частично мерзлого или полностью мерзлого комковатого глинистого грунта, водоупорньи свойства которого усиливают путем последующего замыва пустот между комьями в ходе намыва экрана 5,Применение изобретения позволяет...

Номер патента: 1747590

Опубликовано: 15.07.1992

Авторы: Кузнецов, Сысоев

МПК: E02B 1/00, E02B 7/06

Метки: вод, вторичных, материальных, накопителя, ресурсов, сточных

...коллектору или открытому каналу 10 направляют всборный бассейн 11, откуда по водоводу 12ее сбрасывают в естественный водоток иливозвращают в систему водоснабжения.Корпус заглубленного лотка фильтра 10выполняют из железобетона с гидроизоляционным покрытием и заполняют инертны-ми 8 и химически активными 9 зернистымиматериалами. Для защиты от осадков, промерзания и других внешних воздействий в 15суровых климатических условиях корпус. лотка фильтра 7 снабжают съемным теплогидрозащитным покрытием 13, Замену отработанных материалов 8 и 9 фильтраочистки и ремонт секции фильтра 7 проводят при снятом перекрытии 13,Вариант фильтра 7 в открытом трапецеидальном канале осуществляют путем устройства серии отстойных прудов 14 спомощью...

Номер патента: 1687015

Опубликовано: 23.07.1992

Авторы: Белов, Макаров, Никогосян, Симонян

МПК: H05H 7/00

Метки: вывода, медленного, накопителя, синхротрона, электронов

...излучения, 1 - выводимый пучок. Часть пучка, оставшаяся в области устойчивости, и пучок,выведенный к моменту времени, соответствующему расстройке Оддлна фиг. 2заштрихованы, Фиг. 3 отвечает окончаниюмедленного вывода 1 при значении расстройки = О, Сепаратриса вырождена в лучиФ -- агп Рп = О, л/3, 2/3 к, г, 4/3 7 г, 53.тг.13область ус 1 ойчивости свернута в точку, Втечение вывода непрерывно изменяется угловое отклонение г частиц пучка и радиаль 1ное положение грайицы сепаратрисы навходе в сел тум-магнит, что приводит к изменению амплитуды заброса в септум-магнит,равномерности по интенсивности оывадимого пучка в течение длительности медленного вывода Одднч. и увеличению егоэффективности эмиттанса, Выведенный пучок представлен...

Номер патента: 1759788

Опубликовано: 07.09.1992

Автор: Кравченко

МПК: B66F 7/22, E01H 1/00

Метки: грузонесущего, двустороннего, кравченко, накопителя, опрокидывания

...цель достигается тем, что в известном устройстве, содержащем шарнирно смонтированную на основании раму, на которой шарнирно смонтирован грузонесущий накопитель, при этом шарниры крепления рамы к основанию и накопителю расположены с противоположных ее сторон, и силовые цилиндры, один из которых смонтирован между основанием и рамой, а другой - между рамой и накопителем, силовой цилиндр, связывающий накопитель и раму, смонтирован в месте шарнирного соединения последней с основанием.Такое выполнение изобретения повышает его надежность, так как усилие от наклона бункера воспринимается основанием.На чертеже изображено предлагаемое устройство, вид сбоку,Устройство для двустороннего опрокидывания преимущественно мусоросборников уборочных и...

Номер патента: 1760554

Опубликовано: 07.09.1992

Авторы: Бондарь, Виллерт, Даин, Сафонов, Славин, Федоров

МПК: G11B 19/20

Метки: дисках, жестких, информации, магнитных, накопителя, привод

...датчика положения ротора 3, постоянные магнить 4 ротора, статор с обмоткой 5), закрепленный на конце вала 8, подвижные элементы опоры (шипы) 9, закрепленные совместно с распорной втулкой 7 винтом 11 на валу 8, магнитный шунт 12, установленный в отверстие вала 8, упорный фланец 10, неподвижньРй элемент б опоры, . ярмо 13 магнит) ажидкастнага затвора, устанавленньге в корпус-фланце 1, Ы 8 жДу рабОчими паверхнОстями шипОВ 9, Ооразованными элементами сферы, установлена распорная втулка 7, на концах которой выполнены винтовые канавки 1 б противоположных направлений. Против винтовых канавок, на неподвижном элементе б гидоодинамической опоры, Выполнены кольцевые канавки18 масляных питателей со сквозными отверстиями 17,Между башмаками ярма 13...

Номер патента: 1607621

Опубликовано: 23.09.1992

Автор: Овчаренко

МПК: G11C 11/40

Метки: запоминающего, матричного, накопителя, постоянного, устройства

...затворагс эятеогеетяюдтех ТГ)аеезесторов,Области 15 - Обкееадесаге есоетдееесаторов, другими обкладками - слой 12 обгяс.)1 10 упоявляюдеими затвораме зя)Оминяющих тряеезистот)ОВ и затворми1ядг)есных сеЕЕН-трате зест 01 оввкееюченных .пос гедовя ельно с зепоеееяюпдме трянзисторами, слои 12, с которыми соединены области 14, являются стоками запомнтаюдеих транзисторов, слой12, размещенные между областями 10,являются истоками адресных ИДП-транзисторов и обстей шиной матричногонакопителя.1)абота матричного накопителя заключается в следующем. В режиме считывания информации на выбранную адресную поликрсэгниевую шину 10 подают низкое положительное напряжение+5 В, ца остапыьте адресные поликремниевые шины 10 и общую диффузионнуюшину 12...

Номер патента: 1764093

Опубликовано: 23.09.1992

Автор: Чучукин

МПК: H01L 25/03, H02J 15/00

Метки: заряда, индуктивного, накопителя, энергии

...шин постоянного тока, а периферийныеные ячейки трех фаз трансформатора соеди-ячейки - к дальней шине, причем одноименненц выводами постоянного тока снцеячейкитрехфазтрансформаторасоедиодноименными сборными шинами парал- нены выводами постоянного тока с лельно, одноименными шинами сборных шин па17640937раллельно, что позволяет вьравнивать ин- Крепление токоведущих шин в пакете 11дуктивные сопротивления контурной ком- осуществляется с помощью клиц 37, а намутации вентилей и, таким образом, участке разводки по ячейкам - клицами 38способствует равномерному распределе- (клицы выполняются из древесного слоисто"нию тока между одновременно коммутиру го пластика типа ДСП-Б-Э или стеклотекстоющими выпрямительными блоками, лита...

Номер патента: 1628735

Опубликовано: 23.09.1992

Авторы: Калинин, Овчаренко, Штыров

МПК: G11C 11/40

Метки: запоминающего, матричного, накопителя, постоянного, устройства

...на управляющие затворы и стоки выбранных запоминающихтранзисторов (нцзкое " на истоки адресных ИДП-транзисторов) через нихпротекают токи, инжектируя "горячие"электроны в запоминающих транзисторах, которые захватьеваются поликремниевыми электродами, увеличивая величину порогового напряжения запоминающих транзисторов до величины б9 В и более.Состояния остальных запоминающихтранзисторов сохраняются неизменными из-эа нулевого напряжения или наадресных поликреиниевых шинах 10 илиразрядных металлических шинах 14,В режиме считывания информации навыбранные ц цевыбраццые запоминающие транзисторы подается положительное импульсное напряжение аналогично, как при программировании, но малой величины и длительности (+5 В,300 нс),Если напряжение ца...

Номер патента: 1767694

Опубликовано: 07.10.1992

Авторы: Додотченко, Николаев, Олейник

МПК: H03K 3/53

Метки: импульсного, накопителя, питания, энергии

...9 и тиристор 10 меняются местами - порция подзарядного тока Л 1 ь, в максимуме достигающая величиныл = Еи 1+- Ж 7 40ио/Еи/(21.нгде Ь - индуктивность накопителя 2.Эти максимальные приращения 1 п тока каждый последующий период изменения выходного напряжения трансформатора суммируются с предыдущим током накопителя 2 и, как следует из закона сохранения энергии, в общем случае в любое время заряда накопителя 2 тз, которое в процессе заряда изменяется от нуля до конечного времени заряда тз, ток заряда индуктивного накопителя определяется выражениемз =в 6 з/1 -Кгде К = зо/за отношение начального тока заряда накопителя Ьо к максимальному току за его заряда. При этом заряд индуктивного накопителя происходит в режиме неизменной средней за...

Номер патента: 1772888

Опубликовано: 30.10.1992

Автор: Лебедев

МПК: H03K 3/53

Метки: емкостного, зарядки, накопителя, энергии

...с сигналом с резистора 12 подаются на первый вход блока 3 управления, с выхода которого сигнал подается на вход стабилизатора 2 тока и напряжения - происходит стабилизация тока. При достижении заданной величины напряжения на вход стабилизатора 2 подается сигнал для стабилизации напряжения по цепи: выход компаратора 8, второй вход блока 3 управления, с выхода блока 3 управления навход стабилизатора 2 напряжения,5 10 15 20 25 При нормальной работе сигналы с датчика 6 тока и резистора 12 эквивалентной цепи равны, при изменении параметров накопителя 7 энергии или эквивалентной цепи - комплексного сопротивления 16, накопительного элемента 15, ключевого элемента 14 или резистора 13 - появится отклонение напряжения, величина которого позволит...

Номер патента: 1777234

Опубликовано: 23.11.1992

Авторы: Вавинов, Перунов

МПК: H03K 3/53

Метки: емкостного, заряда, накопителя

...соответственно, точками соединения накопительного конденсатора 2,3(2.5) и резистора 4.7(4,11) и точкой соединения высоковольтного вентиля 3,4(3.6) и резистора 4.8(4.12) последующей ступени подключены зарядно-разрядные резисторы 4.5(4.9) и 4.6(4.10). Точки соединения резистора 4,3 и накопительного конденсатора 2,1, высоковольтного вентиля 3.2 и резистора 4.4 первой ступени подключены к выводам источника 1 зарядного напряжения через зарядные резисторы 4.1, 4.2, параллельно управляемому коммутатору 5,6 и накопительному конденсатору 2,6 подключен разрядный резистор 4.13.Устройство для заряда емкостного накопителя работает следующим образом,Накопительные конденсаторы 2.1, 2.6 через резисторы 4.1-4.2 заряжаютсл от источника зарядного...

Номер патента: 1780110

Опубликовано: 07.12.1992

Авторы: Блинов, Дзюба, Парфенов

МПК: G11B 15/46

Метки: ленте, магнитной, накопителя, приводом, старт-стопного

...б и преобразователя 7 частота-напряжение, сумматор 8, два коммутатора 9 и 10, два интегратора 11 и 12, блок 13 управления, формирующий и усиливающий сигнал ошибки, широтно-импульсный модулятор 14, на один из входов которого поступает опорная частота Ролорн=42 кГц с выхода блока 15 команд,5 10 15 20 25 30 35 40 45 который вырабатывает управляю.:.цие сигналы "движение назад", "ускорение", "пуск", "торможение", "натяжение МЛ (магнитной ленты)", узел 16 сравнения, узел 17 подтормаживания, узел 18 распределения частот, третий коммутатор 19, э также две цепочки, первая из когорых выполнена в виде последовательно соединенных первого счетчика 20, первого одновибратора 23 и ЯС-цепи 25, а вторая - в виде последовательно соеди. ненных...

Номер патента: 1780150

Опубликовано: 07.12.1992

Авторы: Никитин, Шарабыров

МПК: H03K 3/53

Метки: емкостного, зарядки, накопителя

...по Гпод 2, поскольку на вторую входную шину сумматора 10 поступэот инверсные сигналы, и Фактически выполняется операция вычитания кода задержки из кода базового адреса,10 15 20 Таким образом, перемещаясь в поле ячеек ОЗУ, базовый адрес Аб прсизводиг активизацио одной из них в момент прихода импульсое нэ инфармационнье шины величина которой в каждом цикле раосты устройства Формируется счетчикам 8 кодо задержки по тактам задакщего генератора 1 при наличии на его входе 2 сигнала с датчика 4 потребляемого тока (фиг, 2 а, 2 б),30 Сдвиг между импульсами дешифратсра 13 составляет величину Т/2 п, где Т - период рабочей частоты транзисторных преобразовательных модулей (фиг, 2 в), С появлением импульсов нэ выходах дешифратора 13 соотеетству 1 ощие...

Номер патента: 1780151

Опубликовано: 07.12.1992

Авторы: Карпов, Мифтахов, Никитин, Шарабыров

МПК: H03K 3/53

Метки: емкостного, зарядки, накопителя

...выходом преобразовательного модуля, упоавллющий вход ключа 17 через резистор 19 и мостовой выпрямитель 20 подключен к выводам дополнительной обмотки 21 трансформатора.Устройство работает следующим обра 55 5 10 15 20 25 30 ф) 5 40 45 Устройство содержит и основных преобразовательных модулей 1.11,п и М резервных преобразовательных модулей 2.12.К однополярные силовые входы которых соединены с одним из выходных зажимов источника питания 3, ко второму зажиму которого через датчик потребляемого тока 4 подключены силовые входы преобразовательныхх модулей другой полярности, выходы основных и резервных модулей через свои мостовые выпрямители 5.15.п и 6.16,1 соединены последовательно-согласно и подключены к обкладкам емкостного накопителя 7,...

Номер патента: 727023

Опубликовано: 23.02.1993

Авторы: Минков, Соломоненко

МПК: G11C 11/409, G11C 7/00

Метки: динамического, записи, запоминающих, информации, накопителя, однотранзисторных, считывания, элементах

...столбец 5 матрицы15памяти (накопителя), усилители 6 считывания, буферный усилитель 7, шины8 ввода-вывода, ключи 9 выборки, дешифратор 10 строк, дешифратор 11столбцов и транзисторы 12 предзарядд числовых шин,Управляющие сигналы СЕ, Ф 1, Ф 2 иФ 3 вырабатываются схемой управлениякристалла ЗУ (на чертежах не показана).Перед обращением (интервал времени до момента ) все шины 1 через .открытые транзисторы 12 подключены копорному напряжению Евеличина которого выбрана средней между уровнями"0 и "1. В это время ключевые транзисторы элементов 1 закрыты, а усилители считывания 6 находятся в неак 25тивном состоянии, так как они отклюцены от общей шины и их нагрузочныетранзисторы закрыты (Ф 2 = О) . В момент временитранзисторы 12 закрываются, и...

Номер патента: 1805535

Опубликовано: 30.03.1993

Авторы: Жулев, Пантелеев

МПК: H02M 7/02

Метки: емкостного, заряда, накопителя, энергии

...через выпрями. 1 ели 5 и 6 и ппямосещенные диоды 8 и 9.суммируются в накопительном конденсаторе 10.По мере роста напряжения на накопительном конденсаторе 10 доля реактивной энергии колебательного контура 3 падает до нуля в момент, когдаОы =02= О 6 8 (1) где О - приведенное напряжение накопительного конденсатора;Ов - йапряжение источника питания 11; Ог - напряжение вторичной обмотки трансформатора 4, приведенное к первичной обмотке;0 - добротность колебательногоС- контура 3В этот момент схема управления 12 вырабатывает положительный импульс, поступающий. на управляющий электрод тиристора 7, при этом диоды 8 и 9 оказываются под обратным напряжением и ток через них прекращается, а выпрямители 5 и 6 оказываются последовательно согласно...

Номер патента: 1822853

Опубликовано: 23.06.1993

Авторы: Вострухов, Гиль, Тараканов, Толпин

МПК: B21C 1/32, B65G 59/12

Метки: внизу, длинномерных, имеющего, накопителя, окно, пакета, разборки, разгрузочное, цилиндрических

...(фиг. 3), Затем колебательным движец 1 емк пакету правого рычага 3 следующее изделие укладывают параллельно окну 5 (Фиг. 5),Б пакете осталось шесть изделий. 11 а Слсдующем этапе совер вают колебательное движение к пакету левого рычага 2 иперемещают к окну 5 или к центру накопителя 1) правый рцчаг 3, уплотняя изделия впакете и укладывая параллельно окну Одноизделие фиг. 6), Изделие под собствеццьц 1 35весом падает в окно 5, а левый оычаг 2совершает колебательное перемещение Отпакета и одновременное перемещение егок пакету (фиг, 7). Колебательным перемещением к пакету правого рыча)а 3 осуществляЮт Укладх)г ОДНОГО ИЗ ЯТИ ИЗДЕЛИЙ ПаРдЛЛЕЛЬНО Паэу 1 фИГ. 8) И Вцдаи Г ИЗДЕЛИЕ В ОКНО5 (фиг, 9),Затем колеб)ательць 1 движением к пакету рычага...

Номер патента: 2001448

Опубликовано: 15.10.1993

Авторы: Грушин, Цаплин

МПК: G11C 11/14

Метки: доменах, информации, магнитных, магнитопровод, накопителя, цилиндрических

...функцийэкрана этот же участок определяет помехозащищенность НИ от внешнего магнитногополя, направленного согласно или встречнос полем смещения. Следует заметить, чтодаже идеально выполненный М хуже всегоэкранирует НИ именно от этого наиболееопасного поля. Таким образом, сварной шовв этой конструкции приводит к нестабильности свойств М при серийном производстве,а также к забраковке после сварки годныхНИ, Описанная конструкция в настоящеевремя не применяется.Целью изобретения является повышение зкранирующей способности М от внешних магнитных полей.Поставленная цель достигается тем, чтоМ для НИ на ЦМД содержит замкнутый короб с пазами, выполненный из двух деталейодинаковой формы иэ листового пермаллоя,причем детали короба состыкованы по...

Номер патента: 2001449

Опубликовано: 15.10.1993

Автор: Цаплин

МПК: G11C 11/14, G11C 5/04

Метки: доменах, информации, магнитного, магнитных, накопителя, поля, управляющего, формирователь, цилиндрических

...совпадает с осью симметрии кристаллодержателя, расположены между слоями витков второй катушки,Сопоставительный анализ с прототипом позволяет сделать вывод, что заявляемый ИУП НИ нэ ЦМД отличается тем, что 5 10 15 20 25 30 35 40 витки катушки, ось симметрии которой совпадает с осью симметрии кристаллодержателя, расположены между слоями витков второй катушки,ИУП работает следующим образом.При протекании по катушкам индуктивности токов, близких по форме к синусоидальной, сдвинутых на 90, в объеме, охваченном катушками, возбуждается плоское однородное вращающееся поле, обеспечивающее продвижение ЦМД. Благодаря размещению витков одной иэ катушек между слоями витков другой удается получить равные значения индуктивностей при намотке...

Номер патента: 2004043

Опубликовано: 30.11.1993

Авторы: Кусков, Кускова

МПК: H02J 3/28

Метки: накопителя, отвода, сверхпроводящего, энергии

...сверхпроводимости на участках И и АД с необходимой частотой,В результате при сохранении без изменения направления тока в основном контуФормула изобретения СПОСОБ ОТВОДА ЭНЕРГИИ ИЗ СВЕРХПРОВОДЯЩЕГО НАКОПИТЕЛЯ ЭНЕРГИИ, в котором отвод энергии на нагрузку осуществляется в момент прерывания основного сверхпроводящего контура прерывателем сверхпроводимости через ре накопителя, например АБВГ и АБВД - впараллельном, происходит изменение направления тока на общем участке шунтирующих перемычек ГД, т.е. послекратковременного срабатывания (прерывания и восстановления сверхпроводимости)прерывателя К 1 ток идет по пути АБВГДА ипараллельно - по АБВДА, а после срабатывания прерывателя К 2 ток идет по пути АБ"0 ВДГА и параллельно - по АБВГА. При...

Номер патента: 1344119

Опубликовано: 30.12.1994

Автор: Колкер

МПК: G11C 11/40

Метки: запоминающего, матричного, накопителя, постоянного, устройства

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МАТРИЧНОГО НАКОПИТЕЛЯ ДЛЯ ПОСТОЯННОГО ЗАПОМИНАЮЩЕГО УСТРОЙСТВА, заключающийся в нанесении на полупроводниковую подложку первого маскирующего слоя из окиси кремния и нитрида кремния с отверстиями, легировании полупроводниковой подложки примесью первого типа проводимости, нанесении первого диэлектрического слоя, удалении первого маскирующего слоя, нанесении второго диэлектрического слоя с отверстиями, легировании полупроводниковой подложки примесью второго типа проводимости, нанесении третьего диэлектричского слоя толщиной 50 - 200 , нанесении областей первого слоя поликристаллического кремния, образующих плавающие затворы, травлении третьего и второго...

Номер патента: 1785400

Опубликовано: 20.01.1995

Авторы: Балтаханов, Жерлыгин

МПК: H02G 15/02

Метки: емкостного, кабельный, коллектор, накопителя, энергии

КАБЕЛЬНЫЙ КОЛЛЕКТОР ЕМКОСТНОГО НАКОПИТЕЛЯ ЭНЕРГИИ, содержащий две имеющие параллельные поверхности токоведущие шины, отделенные друг от друга слоем изоляции, в первой из которых выполнены параллельные глухие пазы, направленные к участкам присоединения нагрузки, а вторая выполнена в виде отдельных секций, уложенных в основаниях пазов первой шины и прижатых к ней узлом стягивания через разделяющий слой изоляции изоляционными блоками с продольными сквозными каналами, через которые перпендикулярно основанию пазов пропущены внутренние жилы коаксиальных кабелей, электрически соединенные с второй шиной, а их наружные жилы электрически соединены с первой шиной, отличающийся тем, что, с целью повышения эффективности кабельного коллектора путем...

Номер патента: 1403967

Опубликовано: 27.01.2000

Авторы: Бан, Кац, Пустынников, Хорьков

МПК: H03K 3/53

Метки: автономное, емкостного, зарядное, накопителя

Автономное зарядное устройство емкостного накопителя, содержащее трансформатор с первичной и вторичной обмотками, причем вторичная обмотка через выпрямитель подключена к обкладкам конденсатора, высокочастотный синхронный генератор с тремя статорными обмотками, блок управления, отличающееся тем, что, с целью повышения мощности заряда емкостного накопителя при одновременном снижении габаритов и массы, в него введены первый и второй тиристоры, управляющие входы которых подключены соответственно к первым и вторым выходам блока управления, причем первый вывод первичной обмотки трансформатора соединен с катодом первого тиристора, анод которого соединен через две последовательно соединенные первую...

Номер патента: 1718670

Опубликовано: 27.04.2005

Авторы: Дубровин, Ендовицкий, Пучнин, Федотов

МПК: G11B 27/36

Метки: дисках, магнитных, накопителя

Устройство контроля для накопителя на магнитных дисках, содержащее блок анализа данных чтения и блок перебора магнитных головок, отличающееся тем, что, с целью повышения надежности накопителя за счет исключения повреждений магнитных головок и магнитных дисков, в него введены цифровой коммутатор перебора магнитных головок, триггер аварийного вытягивания магнитных головок и блок задания режима работы, а блок анализа данных чтения выполнен в виде детектора магнитных головок, выход которого соединен первым входом двухпорогового компаратора, второй и третий вход которого подключен к двум выходам источника опорных напряжений, причем вход управления двухпорогового компаратора и цифрового...

Номер патента: 1840408

Опубликовано: 20.11.2006

Авторы: Богницкий, Ефимов, Иванов, Козлов, Ларичева, Фомин, Чижевский

МПК: H01M 4/86

Метки: накопителя, электрической, электрод, энергии

Электрод накопителя электрической энергии, содержащий токоотвод с последовательно размещенными на нем контактным и активным слоями, отличающийся тем, что, с целью снижения контактного сопротивления, отношение толщины контактного слоя к толщине активного слоя выбрано в пределах 1÷4-1÷100.