Формирователь управляющего магнитного поля для накопителя информации на цилиндрических магнитных доменах

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯК ПАТЕНТУ 2 Комитет Российской Федерации по патентам и товарным знакам(71) Научно-исследовательский центр физики итехнологии(54) ФОРМИРОВАТЕЛЬ УПРАВЛЯЮЩЕГОМАГНИТНОГО ПОЛЯ ДЛЯ НАКОПИТЕЛЯ ИНФОРМАЦИИ НА ЦИЛИНДРИЧЕСКИХ МАГНИТНЫХ ДОМЕНАХ(57) Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при конструировании накопителей информации на цилиндрических магнитных доменах Целью изобретения является увеличение надежности накопителя информации путем снижения эллиптичности управляющего поля при одновременном уменьшении энергопотребления Дпя достижения равенства попей катушек индуктивности при равных индуктивностях катушек витки второй катушки размещены между слоями витков первой катушки 1 ил.45 50 55 Изобретение относится к вычислительной технике, предназначено для повышения надежности накопителя информации (НИ) на цилиндрических магнитныхдоменах (ЦМД) и может быть использовано при конструировании НИ на ЦМД,Подавляющее большинство НИ на ЦМД содержат источник управляющего поля (ИУП) в виде катушек индуктивности без сердечника различной конфигурации, между ортогонально расположенными витками которых формиретсу плоское однородное вращающееся магнитное поле,К недостаткам ИУП в виде двух катушек индуктивности без сердечника следует отнести либо низкую эффективность открытых магнитных систем типа плоских катушек, либо нарушение условий одновременного равенства магнитных полей и индуктивностей магнитных систем, выполненных в виде двух соленоидов.Наиболее близким по технической сущности к заявляемому изобретению является ИУП НИ на ЦМД, ИУП выполнен в виде двух двухслойных катушек индуктивности с взаимно ортогональными витками, размещенных на среднем выступе жесткого Ш-образного кристаллодержателя, причем витки второй катушки охватывают первую,Недостатком описанной конструкции ИУП является необходимость искусственного завышения индуктивности внутренней и снижения индуктивности наружной кагушки для достижения их равенства. Искусственное увеличение индуктивности внутренней катушки за счет увеличения длины витков и уменьшения диаметра провода приводит к росту активного сопротивления катушки и, как следствие, к ее перегреву, при этом отношение поля внешней катушки к полю внутренней катушки не удается сделать лучше 0,85 - 0,93. Наличие эллиптичности поля и завышенные потери приводят к снижению надежности НИ.Целью изобретения являегся повышение надежности НИ путем снижения эллиптичности поля при одновременном увеличении эффективности ИУП.Цель достигаетсл тем, чго 1 УП содержит две двухслойных катушки индуктивности с взаимно ортогональными витками, размещенные на среднем выступе жесткого Ш-образного кристаллодержателя, причем витки катушки, ось симметрии которои совпадает с осью симметрии кристаллодержателя, расположены между слоями витков второй катушки,Сопоставительный анализ с прототипом позволяет сделать вывод, что заявляемый ИУП НИ нэ ЦМД отличается тем, что 5 10 15 20 25 30 35 40 витки катушки, ось симметрии которой совпадает с осью симметрии кристаллодержателя, расположены между слоями витков второй катушки,ИУП работает следующим образом.При протекании по катушкам индуктивности токов, близких по форме к синусоидальной, сдвинутых на 90, в объеме, охваченном катушками, возбуждается плоское однородное вращающееся поле, обеспечивающее продвижение ЦМД. Благодаря размещению витков одной иэ катушек между слоями витков другой удается получить равные значения индуктивностей при намотке катушек проводом одинакового диаметра, При равных количествах витков на один миллиметр длины намотки катушек обеспечивается равенство их магнитных полей.Следует заметить, что предложенная конструкция позволяет наматывать слои катушки, охватывающие другую катушку, на станке, используя жесткий кристаллодержатель как каркас катушки. После намотки первого слоя устанавливается вторая катушка, намотанная на разборной оправке, после чего завершается намотка первой катушки, Снижение эллиптичности поля и более высокая эффективность катушек позволяет на 15 уменьшить напряжение питания ИУП, Предложенная конструкция ИУП облегчает проектирование кристаллодержателя. Катушка, ось которой перпендикулярна оси симметрии кристаллодержателя, не может быть меньше, чем длина боковых выступов кристаллодержателя, вдоль которых расположены контактные площадки для монтажа выводов НИ Это вынуждает, ухудшая качество ИУП, неоправданно увеличивать длину витка этой катушки, сокращая при этом количество выводов НИ в ущерб его качеству сопряжения с электронным обрамлением. Использование предложенного технического решения позволяет произвольно увеличивать длину боковых выступов, уменьшая при этом длину среднего выступа, в том числе и за счет стороны, где расположены перемычки между средним и крайними выступами, помещая центр кристалла в центр симметрии кристаллодержателя. Поскольку поле последнего намотанного слоя сказывается наиболее неоднородным, то его целесообразно дополнить витками, размещенными на краях последнего слоя. Число витков в дополнительных обмотках должно быть таким, чтобы длина их намоткисоставляла О,б - 0,9 величины зазора междуслоями последнего слоя,2001449 Составитель А, ВысоцкийТехред М.Моргентал Корректор М. Демчик РедакторЗаказ 3129 Тираж Подписное НПО "Поиск" Роспатента113035, Москва, Ж, Раушская наб 4/5 Производственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул,Гагарина. 101(56) Балбашев А,М. и др. Элементы и устройства на цилиндрических доменах. М.; Радиои связь, 1987, с,441-452,Формула изобретения ФОРМИРОВАТЕЛЬ УПРАВЛЯЮЩЕГО МАГНИТНОГО пОля для нАкОпителя инФОРмАции нА цилиндРических мАГнитных дОменАх, содержащий две двухслойные катушки индуктивности, витки вторОй из которых охватывают первый слой витков первой катушки, при этом катушки индуктивности установлены взаимно ортогонально на Ломов Л.С, Электронная промышленность 1983, М 4, с.16 - 18. среднем выступе жесткого Ш-образного 5 кристалл одержателя, отличающийся тем,что, с целью повышения точности формирования управляющего магнитного поля за счет снижения его эллиптичности, второй слой витков первой катушки индуктивно сти, ось симметрии которой совпадает сосью симметрии кристаллодержателя, охватывает слои витков второй катушки,