Патенты с меткой «мощного»

Номер патента: 1671871

Опубликовано: 23.08.1991

Авторы: Егоров, Калинин, Квон, Рыжков, Шахматов

МПК: E21D 11/00

Метки: выработки, мощного, охраны, пласта, подготовительной, разработке

...смежного столба. Охранное сооружение может быть представлено в виде деревянных стоек, посадочной крепи, костров, литых полос с окнами, кустовой крепи и т.д, 4 ил. стойки 5, посадочную крепь 6, в ное пространство 7 стойки 8 усилСпособ осуществляется следу разом. ри разработке мощноо до 5 м пологого или наклонного угольного пласта на полную мощность в один слой вентиляционный штрек 1 сохраняют после прохода лавы 2 для повторного использования при отработке смежного столба. Для этого в вентиляционном штреке 1 большой высоты, равной мощности пласта, на уровне почвы со стороны отрабатываемого столба 3 делают угольный уступ 4. на котором возводят охранное сооружение в виде деревянных стоек 5 и посадочной крепи 6, Охранное сооружение может...

Номер патента: 1691523

Опубликовано: 15.11.1991

Авторы: Горб, Парфенов, Соловьев

МПК: E21C 41/22

Метки: верхнего, мощного, отработки, пласта, слоя

...п ром-сти и м.б. использовано при разработке. мощных складчатыхвыбросоопасных, например, карналитовыхпластов подземным способом. Цель изобреага складки. При этом вер- къ отрабатывается определен-р ледуя за кровлей пласта и ым углом, что позволяет ходное высокопроизводивание для бурения шпуров ф ой горной массы.На фиг. 1, 2 приняты Обозначения: подготовительная выработка (транспортныйштрек) 1, выемочная камера 2 пласта 3, максимально допустимый угол наклона почвыкамеры амакс 5Способ осуществляется в следующейпоследовательности. В пределах верхнегослоя проводят транспортный штрек 1, откоторого начинают отработку камер 2.Камеры 2 располагак)т в направлении, 10совпадающем или близком к осевой поверхности складок. Отработку камер 2...

Номер патента: 1691812

Опубликовано: 15.11.1991

Авторы: Королев, Меснянкин

МПК: G02B 27/48

Метки: излучения, изоляции, импульса, лазерного, мощного, оптическое

...с )пав,;,:Г(а(; ( ПТИЧЕСКЗЙ Ос( (С ус;р(р 11,.1г С 1,. ":1 ) ,ТЕвс.з Лзлу.ение отрахае . .и;,:,;. -.- лИЕНт, . СЛИ В Ка Ч З, т В З,(;1, 1-.,:ИСП(РЛЬЗ(ЕТС. ЯЧЕИ(д,В (,Г(,1 Ра В т Г г;:ф гП Р О ХОД а П 10К а С -, г((-, Г " И .1 а,:В гчивается на 45, Р, с.ту,.:;, (;с(ч, - , че-Втьзолкаваяизлуч 8 ние из Г 1 лс скоп: 111 из " 3(-, . Зг(Рвится1 аля 1 Ризва , ( : (с, о,1: ,(рИЗУЧЕН(Л(Р ПОПВГ(ат 1 "ИсггД(я рабочеГО сиг.13,3; ГВ а с(мом ", обрат нол( на (113 1(:1(ля.;. рт Фг(81.и".Зто игнал бесг(ре,( (т,р,;1 .ЗВГВОР, Па 1 адаЕТ .(Б)1.(: " ЗР8(.1, .3х(14 т 880 тГ)а)кается сг(1 а;,; - , -1велении а( репрОходит )иниюадзр(, 4 : -т,. р тс 18 п(рахада элем зна3 аб );- , ь:-,;,:-(л-нии плоскость гсл.; 1:;.)(л .:;(с.,;1 0И,".ЛУЧ 8 НИЯ ПОВЕР 1 УГЗ (.,...

Номер патента: 1693647

Опубликовано: 23.11.1991

Авторы: Грайфер, Шлегель

МПК: H01F 27/28

Метки: винтовая, мощного, обмотка, трансформатора

...по мере удаления витков от середины обмотки к ее торцам, Таким образом, имеют место перемещения витков относительно друг друга по направлению винтвой линии намотки и закручивания половины обмотки относительно ее середины, В таком случае каждую половину обмотки можно приближенно рассматривать как брус кольцевого поперечного сечения, жестко защемленный одним концом и нагруженный скручивающими моментами Мв и Мн Н - высота обмотки. Заменим эпюру моментов Мв и Мн по фиг.2 упрощенной (фиг,З), а обмотку (фиг,2) - стержнем (фиг,З),Такая замена основывается на незначительности угловых перемещений точек обмотки с осевыми координатами от середины до -- йви от середины до Н/2 Н2пн, т.е. обмотка представляется состоящей из трех зон фиг.2), из которых...

Номер патента: 1705569

Опубликовано: 15.01.1992

Автор: Рыжков

МПК: E21C 41/18

Метки: крутого, мощного, наклонными, пласта, разработки, слоями, угольного

...угля осуществляется по желобам и углеспускным скважинам 5, Вентиляционную струю направляют через ближайший к груди забой пневмобаллон 9 и полость 17, образованную между угольным и закладочным массивом. При вскрытии флангового ската 18 в нем устанавливают крепь, а комбайн 6 возвращают к центральному скату 4, где при помощи орта 19 производят его маневр с целью перегона в другое крыло поля.Полосу 16 готовят к закладке, для этого в пневмобаллонах 9 снимают давление и опускают на почву полосы 16 с таким расчетом, чтобы верхняя часть пневмобаллонов 9 осталась в полостях 17, Пневмобаллоны 9 крепят с помощью деревянных или полимерных анкеров 10 к почве полосы 16 и создают в пневмобаллонах 9 давление сжатым воздухом, На анкера, которыл...

Номер патента: 1712608

Опубликовано: 15.02.1992

Авторы: Косилов, Студенов

МПК: E21C 41/18

Метки: крутого, мощного, пласта, разработки, угольного

...литой твердеющей закладки в Кузбассе показывает, что растекание ее по выработкам с углами наклона . 3-5 (что соответствует уклону 0,05-0,07) происходит на.расстоянии не более 150-200 м, В связи с тем, что в предлагаемом способе длина очистного блошка по простиранию составляет 300-400 м, наклонная выработка проводится ломаной для того, чтобы крылья блока не были более 150 - 200 м и было выполнено условие гарантированного заполнения слоевого выемочного штрека литой твердеющей закладкой,Угол наклонной выработки не может быть более 15-20 из условия предельно допустимого угла передвижения существующих в настоящее время в угольной промышленности СССР самоходных выемочных комбайнов. На фиг, 1 представлена схема вскрытияи подготовки мощного...

Номер патента: 1725321

Опубликовано: 07.04.1992

Авторы: Иванов, Шедейкис, Юодвалькис

МПК: H02K 7/10

Метки: защиты, мощного, токовой, транзистора

...шине, базы транзисторов обоих источников тока объе50 55 динены и соединены с базой и коллектором токозадающего транзистора, коллектор которого через токозадающий резистор соединен с общей шиной, эмиттеры транзистора второго источника тока и токо- задающего транзистора предназначены для подключения к коллектору мощного транзистора, а эмиттер транзистора первого источника тока через третий резистор- к коллектору мощного транзистора, при этом другой вывод нагрузочного резистора подключен к общей шине.На чертеже приведена принципиальная схема токовой защиты мощного транзистора.Она содержит два транзистора 2 и 3 одной полярности с коллекторными резисторами 4 и 5, транзистор б противоположной полярности с резистором 7 нагрузки, первый...

Номер патента: 1737567

Опубликовано: 30.05.1992

Авторы: Альтман, Горлова, Кандов, Каплан, Лившиц, Митин

МПК: H01L 21/26

Метки: мощного, полупроводникового, прибора, сборки

...потоком электроновМэВ и дозой (2-20),10 ф 4 см ,устанавливают и закрепляют кольцо нторце основания, заливают в цилиндрдо верхнего торца кольца эпоксидныйкомпаунд и осуществляют термообработку, Использование способа позволяет изготавливать приборы без аномальных характеристик,него торца кольца эпоксидныи компаунд и осуществляют термообработку.Экспериментально установлено, цто при облучении кольца потоком электронов с энергией 4-6 МэВ и дозой (2-20)10 ф см снимается или значительно уменьшается электрострикционный эФФект.П р и м е рСпособ опробовали при сборке полупроводникового диода КД 213, представляющего собой мощную сковородку толщиной 1,0 мм и диаметром 14 мм, стенка которой имела толщину 1,8 мм и высоту 2,0 мм. В нее вставляли и...

Номер патента: 1752959

Опубликовано: 07.08.1992

Авторы: Агарков, Боронов, Карпов, Кокоулин, Маслов, Томашевский

МПК: E21C 41/18

Метки: возведения, гибкого, мощного, отработке, перекрытия, пласта, слоями, угольного

...дугообразного щелевого забоя ведется отработка горизонтального слоя 5 с настилом на его почве гибкого перекрытия и соединением его со сплошным гибким перекрытием 11, смонтированным у кровли пласта 1 в верхнем подэтаже. С отставанием в 10-15 м от дугообразного щелевого забоя ведется отработка нижележащего подэтажа в верхнем слое и т.д. Отработка второго (нижнего) слоя ведется последовательно свеоху вниз из слоевых штреков 4, например, подэтажным обрушением. Отработка монтажного слоя 6 дугообразным щелевым забоем по простиранию пласта высотой 0,2-0,4 м производится канатнойпилой 7 с приводом ее в движение лебедками 8 и 9, Отбитый уголь из дугообразногощелевого забоя самотеком поступает на5 скребковый конвейер 10, которым доставляется к...

Номер патента: 1428149

Опубликовано: 30.08.1992

Авторы: Макогон, Сердюков

МПК: H01S 3/10

Метки: генерации, излучения, лазерного, мощного

...к максимальному значению,,блок управления 9 модулятором добротности 2, например ГВИ), вырабатывает напряжение ( Ъ 8,9 кВ), подаваемое на модулятор добротности 2, например ИДЭ/, и происходит первыйэтап включения добротности. Генера"ция в лазере начинается. Часть излучения выводится через зеркало 6 и из"меряется Фотоэлементом 7, сигнал скоторого усиливается усилителем 8 иподается на модулятор добротности .2,Таким образом реализуется измене 40ние добротности в зависимости от интенсивности излучения. Параметры цепиобратной связи подобраны так, чтобыобратная связь успевала отрабатыватьизменения интенсивности излучения и45. обеспечивала разность между коэФфициентом усиления активной среды и ко"э 4 фициентом потерь резонатора, непревышающую 4...

Номер патента: 1788257

Опубликовано: 15.01.1993

Авторы: Агарков, Алексеева, Кшуманев, Фукс

МПК: E21C 41/18

Метки: антиклинальной, мощного, пласта, разработки, складки, угольного

...толщу угля под гиб-ким перекрытием в замковой части перед его выемкой подрезают вертикальными врубовыми щелями, которые проводят между выемочными штреками, пройденными у кровли и почвы пласта в граничных зонах замковой части с крыльями, а выемку угля ведут одновременно с верхних и нижних штреков, начиная от врубовых щелей с опережением со стороны верхних штреков. 3 ил,между выемочными штреками 1, 7 и 2, 8 и произвОдят выемку угля гидроотбзйкой одновременно с верхних 1, 2 и нижних 7, 8 выемочнь 1 х штреков, Гидроотбойка производится от врубовых щелей, начиная с зоны 1 с выемочных штреков 1, 2, а зоны И с выемочных штреков 7, 8, т. е, с опережением выемки угля в верхней части тол- щи, находящейся под гибким перекрытием...

Номер патента: 1789691

Опубликовано: 23.01.1993

Авторы: Бирюков, Новиков, Савченко, Саламатин

МПК: E21C 41/18, E21F 5/00

Метки: мощного, пласта, разработки, слоевой, угольного

...3 вдоль нее устанавливают деревянный органный ряд 4 или возводятдругие альтернативные средства охраны (деревянные костры, чураковая стенка, породная полоса или полоса из твердеющих материалов). Проветривание выемочного участка - прямоточное, Свежая струя воздуха поступает с откэточного штрекэ через квершлаг в конвейерный бремсберг 2, омывает лаву 1 и через вентиляционный бремсберг 3 выходит нэ вентиляционный штрек, За лавой из вентиляционной выработки 3 проводят в массиве угля нижнего слоя пласта камеры 4, на расстоянии одной отдругой не менее ширины зоны опорного давления, В камере 4 монтируют буровой станок и производят бурение опережающих очистной забой разгрузочных скважин 4 диаметром 80 - 300 м по нижнему слою пласта. В связи...

Номер патента: 1800028

Опубликовано: 07.03.1993

Автор: Рыжков

МПК: E21C 41/18

Метки: закладкой, мощного, пласта, пологого, разработки, твердеющей

...горнымугля смежной почник предыдущей го отвала, а после роизводят извлеоженного отвала, и сводовую формуцеликом при от 1800028отбойки угольной стенки шириной 0,5-0,7 м формирование угольных отвалов 7 возле угольной стенки и 8 в месте косовичника предыдущей полосы, т,е. двухскатный от. вал, Перед возведение отвалов 7 и 8 под 5 ними укладывают перфорированные трубопроводы 9.Затем на концах полосы 5 устанавливают перемычки 10 и в полосу 5 подают литую твердеющую закладку. После набора проч ности закладки угольный отвал 7, находящийся на контакте с угольной стенкой следующей полосы, извлекают путем вымывания через перфорированный трубопровод 9. 15Подача воды в перфорированный трубопровод 9 производится со стороны выработки Ж, Вымытый...

Номер патента: 1665828

Опубликовано: 30.11.1994

Авторы: Бессмертных, Евменев, Киселев, Марченко, Симонов, Шемарина

МПК: H01J 1/20

Метки: катодно-подогревательный, кольцевой, мощного, узел, эвп

...горизонтальной полки керна 1 по радиусу без перекосов, Таким образом, эмиттирующая поверхность при нагреве лежит в заданной плоскости,В камере, образованной керном 1 и экраном 3, размещен подогреватель 4, Керн 1 присоединяется держателем 5 к фланцу б. К этому фланцу могут быть прикреплены такФормула изобретенияКОЛ ЬЦЕ ВОЙ КАТОДН О-ПОДО ГР Е ВАТЕЛЬНЫЙ УЗЕЛ МОЩНОГО ЭВП, содержащий керн катода с эмиссионным веществом, экран, изолированный подогреватель, размещенный между керном и экраном, соединенными между соже детали электронной пушки прибора, например, формирующие электронный пучокэлектроды,Были опробованы узлы с кольцевой5 змиттирующей поверхностью диаметром140 мм и шириной кольца 5 мм. Кольцо всечении имело форму уголка 6 х б мм...

Номер патента: 1755675

Опубликовано: 27.06.1995

Авторы: Григорьев, Желудков, Петросян

МПК: H01J 23/06

Метки: мощного, о-типа, пушка, свч-прибора, электронная

ЭЛЕКТРОННАЯ ПУШКА МОЩНОГО СВЧ-ПРИБОРА О-ТИПА, содержащая катод, теневую и управляющую сетки и анод, отличающаяся тем, что, с целью повышения долговечности прибора и снижения модулирующего напряжения, толщина управляющей сетки dу.с (мм) выбрана из следующего выражения:2 dт.с < dу.с < 4 (dт.с + dк-т.с),где dт.с толщина теневой сетки, мм;dк-т.с расстояние между теневой сеткой и катодом, мм.

Номер патента: 1827143

Опубликовано: 27.06.1996

Авторы: Кондрашов, Мурзин

МПК: H01L 21/331

Метки: кремниевого, мощного, транзистора

Способ изготовления мощного кремниевого транзистора, включающий предварительную диффузию базовой примеси р-типа проводимости в базовую область кремниевой n-n+-структуры на глубину h, предварительную диффузию эмиттерной примеси n-типа проводимости в базовую область с формированием эмиттерной области n+-типа проводимости, совместную разгонку базовой и эмиттерной примесей, в результате которой получают транзисторную n+-p-n-n-структуру с шириной активной базы Wакт, глубиной базовой области Н и глубиной эмиттерной области L, отличающийся тем, что, с целью повышения воспроизводимости параметров транзистора, предварительную диффузию базовой примеси проводят в течение 1-40 ч при 1100-1250°С на глубину...

Номер патента: 1828719

Опубликовано: 27.06.1996

Авторы: Кондрашов, Мурзин

МПК: H01L 21/331

Метки: кремниевого, мощного, транзистора

1. Способ изготовления мощного кремниевого транзистора, включающий создание в высокоомном слое кремниевой n-n+-структуры эмиттерной области, легированной примесью первого типа проводимости, имеющей атомный радиус, больший или меньший атомного радиуса кремния, создание базовой области, легированной примесью второго типа проводимости, одновременную разгонку эмиттерной и базовой примесей, легирование эмиттерной области на глубину h компенсирующей примесью, имеющей атомный радиус, соответственно меньший или больший атомного радиуса примеси первого типа эмиттерной области, подлегирование базовой области примесью второго типа проводимости, отличающийся тем, что, с целью уменьшения числа высокотемпературных процессов, создание базовой...

Номер патента: 1828720

Опубликовано: 27.06.1996

Авторы: Кондрашов, Мурзин

МПК: H01L 21/331

Метки: кремниевого, мощного, транзистора

1. Способ изготовления мощного кремниевого транзистора, включающий предварительную диффузию примеси р-типа проводимости в базовую область кремниевой n-n+-структуры, предварительную диффузию примеси n-типа проводимости в эмиттерную область и дальнейшую совместную разгонку базовой и эмиттерной примесей, отличающийся тем, что, с целью разрушения кластерных областей в объеме полупроводниковой структуры, предварительную диффузию примеси n-типа проводимости в эмиттер проводят при 800-1100oC, а совместную разгонку базовой и эмиттерной примесей проводят при температуре, выбираемой из интервала 1100-1250°С из условия обеспечения степени легирования эмиттерной области Ns<3