Шедейкис

Номер патента: 1725321

Опубликовано: 07.04.1992

Авторы: Иванов, Шедейкис, Юодвалькис

МПК: H02K 7/10

Метки: защиты, мощного, токовой, транзистора

...шине, базы транзисторов обоих источников тока объе50 55 динены и соединены с базой и коллектором токозадающего транзистора, коллектор которого через токозадающий резистор соединен с общей шиной, эмиттеры транзистора второго источника тока и токо- задающего транзистора предназначены для подключения к коллектору мощного транзистора, а эмиттер транзистора первого источника тока через третий резистор- к коллектору мощного транзистора, при этом другой вывод нагрузочного резистора подключен к общей шине.На чертеже приведена принципиальная схема токовой защиты мощного транзистора.Она содержит два транзистора 2 и 3 одной полярности с коллекторными резисторами 4 и 5, транзистор б противоположной полярности с резистором 7 нагрузки, первый...