Патенты с меткой «кристаллизующегося»

Номер патента: 148787

Опубликовано: 01.01.1962

Авторы: Круглый, Левензон, Нимой, Хаин, Чижевский, Шур

МПК: B01D 1/26

Метки: кристаллизующегося, раствора, упаривания

...в качестве теплоносителя используют частично упаренный раствор, циркулирующий в системе, что приводит, как показано расчетами авторов, к увеличению количества упариваемой воды в 4 раза по сравнению с известным способом, по которому упаривание такого большого количества воды вообще невозможно.По предлагаемому способу могут упариваться также некристаллизующоеся растворы,Сущность предлагаемого способа поясняется его технологической схемой, представленной на чертеже.Исходный раствор смешивают в баке смешения 1 с частично упаренным раствором и затем центробежным насосом 2,подают в поверх. ностные конденсаторы 3 вакуум-испарителей (4-1) - (4-1 Х), где подогревают вторичными парами, используя их тепло. Затем раствор дополни. тельно...

Номер патента: 399306

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Журавлев, Клипов, Майоров, Маслов, Михайлов, Молчанов, Орлов, Пермитин, Трухин, Хрипков, Шелепов

МПК: B22D 27/02

Метки: кристаллизующегося, металла

...иллюстрируется чертежом.В изложницу 1 или кристаллизатор) 1 помещают электроды 2 и 3, причем электроды 2 помещают в слой флюса 4, а электрод 3 - в нижнюю часть изложницы. Вокруг прибыли устанавливают соленоид 5. Через металл пропускают постоянный электрический ток, про водимый через электрод 2. Одновременновключают ток в соленоид, который создает магнитное поле в расплавленном металле.Взаимодействие магнитного поля с током, проходящим через металл, приводит к образова нию усилий, создающих перемешивание металла, в результате которого происходит измельчение микроструктуры, наиболее активное удаление газов, цеметаллических включений и выравнивание химического состава по 15 всей массе слитка. Одновременно с перемешиванием металла...

Номер патента: 526443

Опубликовано: 30.08.1976

Авторы: Голованов, Горынин, Клипов, Орлов, Пермитин, Сенопальников, Трухин, Хрипков

МПК: B22D 27/02

Метки: кристаллизующегося, металла

...изложницы.Вокруг прибыли устанаьливают соленоид 5.Через металл гропуска 10 т постояннып электрический ток, подводимый через нижнюю 10 токопроводящую часть электрода 3 и электрода 4. Одновременно включают ток в соленоид 5, который создает магнитное поле в расплавленном металле. Взаимодействие электрического поля тока, проходящего через ме талл, с магнитным полем соленоида 5 создает усилия, обеспечиваОщис интенсивное псрсмешивание металла в пз.Ожницс. Одноврсменно осуществляют обогрев прибыльной части слитка за счет выделения в шлаковой вап нс, при прохождении через псе тока, джоулсва тепла.Регулируя силу тока, пропускаемого черезметалл, и напряженность магнитного соленоида 5, обеспечивают скорость д 25 пи 5. металла, исключа 10 щую его...

Номер патента: 261660

Опубликовано: 05.12.1977

Авторы: Евтеев, Кон, Манохин, Поляков, Соколов

МПК: B22D 11/124

Метки: кристаллизующегося, непрерывного, слитка, теплоотвода

...Наличие указанных секций позволяет уменьшить теплоотвод от поверхности кристаллнзующегося слитка и регулнровать процесс охлаждения слитка в пределах,0 исключающих появление трещин и осевой пэристости. ста я регулированияующегося слитка,ионных по высотеохватывающихЭкраны контамият от него на невиде секц экранов,ериметру.или отсто ое устройствэкран выполохлажденикнии акранитка в местах отличается те ен с алектроп слитка некр расположень аибольшего те зоб мул иия тво для регу еспечивает устранение межкристал щин и рассредоточение осевой слитка. да от кристаллиаующегслитка, представляквцееэкран, охватывающий слотличающееслью устранения межкрии рассредоточения осевэкран выполнен с алектррасположением секций ив местах наибольшего те тически...

Номер патента: 597494

Опубликовано: 15.03.1978

Авторы: Бабурин, Гецелев, Каверин, Трахтенберг, Черепок, Якубович

МПК: B22D 11/00

Метки: кристаллизующегося, металла

...электродом. 1 бП р и м е р, Наустановкедлянепрерывной разливки в электромагнитный кристаллиэатор отливают слиток из сплава АМГразмером 300 х 1300 мм при следующих технологических параметрах: скорость Ю литья 85 ммlмин; температура расплава 710 С напряжение питания электромагнитоного кристаллизвтора 90 В; температураоохлаждающей воды 20 С; расход охлаждающей воры 11 кг/с; максимальная глуби- И на лунки 295 мм.Погруженный электрод устанавливают по оси литья; второй электрод приводят в контакт со слитком на расстоянии 320 мм от уровня зеркала жидкого металла в луй- ЗО ке. Далее осуществляют двв типа испытаний,1. При заданном расходе охлвдителя 12,5 кг/с пропускают постоянный электрический ток от твердой фазы к рвсплвву. При этом...

Номер патента: 636056

Опубликовано: 05.12.1978

Авторы: Вихляев, Клипов, Пахучий, Трухин

МПК: B22D 27/02

Метки: кристаллизующегося, металла, электромагнитной

...металл получают развитие в плоскостях верхней и нижней кромок соленоида, где 40 искривление силовых линий,максимально, неизбежным следствием увеличения высоты соленоида является нарушением однонаправленности движения металла по высоте слитка и, в частности, на 46 границе раздела металл-флюс в сторону прибыли, способствующей выносу ликватов и флюса в прибыльную часть слитка.Как показали расчеты и результаты ,физического моделирования, по избежа ние нарушения однонаправленности движения металла по винтовой конусообразной спирали с непрерывно расширяющимся радиусом траектории от донной части слитка к прибыли, высота сойдноида ,я не должна превышать одной четвертой Высоты столба жидкого металла в форме,Общий вид предлагаемого...

Номер патента: 671918

Опубликовано: 05.07.1979

Авторы: Гусенков, Евтеев, Соколов, Тарасенко

МПК: B22D 11/124

Метки: кристаллизующегося, непрерывного, слитка, теплоотвода

...слитка с сечением 0,082 х 0,082 м, температура в зоне вторичного охлаждения должна быть не ниже 1150 С. Теоре-. тическое исследование этого вопроса, проведенное по указаннойвыде метоке показало, что для того, чтобы в зоне вторичного охлаждения под918Устройство работает следующим образом.При входе слитка в экран последний начинает разогреваться. По истечении б мин наступает стационарныйрежим теплоотвода,Предлагаемое устройство просто вэксплУатации, имеет малую инерционность, т.е. становится работоспособным почти одновременно с началом разливки стбли, ненуждается в дополнительных источниках энергии для своейработы, т.е. экойомично И удобно вэксплуатаций .Применение устройства устранитмежкристаллические трещины, снизитосевую пористость...

Номер патента: 719803

Опубликовано: 05.03.1980

Авторы: Балуев, Горынин, Ключарев, Орлов, Пермитин, Сенопальников, Соболев, Трухин

МПК: B22D 27/00

Метки: кристаллизующегося, металла

...производят только для более эффективного использования электроэнергии. Это не влияет на физико-химическую однородность кристаллизующегося металла.Цель изобретения - повышение физико- химической однородности металла.Цель достигается тем, что в жидкую фазу кристаллизующегося металла вводят расплав Армко-железа, в количестве 0,5 - 3 вес а индукцию магнитного поля поддерживают в пределах 0,01 - 0,1 при плотности тока 0,001 - 0,06 Л/мм.Предлагаемый способ обработки кристаллизующегося металла поясняется чертежом.Способ осуществляют следующим образом. В изложницу 1 или кристаллизатор заливают металл, например сталь. После заливки на поверхности металла наводят шлаковую ванну 2, в которую нагружают не- расходуемый электрод 3. Электрод 4...

Номер патента: 789592

Опубликовано: 23.12.1980

Авторы: Груздев, Дубодин, Ключарев, Лискин, Орлов, Пермитин, Сенопальников, Соболев, Трухин, Шелепов

МПК: C21C 7/10

Метки: внепечной, кристаллизующегося, металла

...вакуумирование металла в струе. Металл дегазируется. После перелива металла крышку 3 отводят от вакуум- камеры 2. Механизмом 11 балку 17 с электродом 16 и дозьрующим устройством устанавливают так, что ось электрода 16 совмещается с осью изложницы. Шлак питателем дозирующего устройства 18 из бункера 19 через выходной патрубок 20 подается на зеркало металла в приэлектродную зону и частично расплавляется. На электроды 16 и 8 подают напряжения. Механизмом10 электрод 16 погружают в шлак и расплавляют полностью его. Включают соленоид 6, магнитное поле которого, взаимодействуя. с током, проходящим через шлак-металл,вьгзывает перемешивание металла, что приводит к повышению физико-химической однородности кристаллизугощегося металла как по высоте,...

Номер патента: 971572

Опубликовано: 07.11.1982

Авторы: Верховский, Грачев, Кобзарь, Смирнов

МПК: B22D 27/02

Метки: кристаллизующегося, сплава, ультразвуком

...45В этот период течения расплава междукристаллами он не испытывает особыхзатруднений иэ-за высокой пористостии,малого гидравлического сопротивления скелета отливки. Поэтому для ин- .50тенсификации фильтрации достаточнонебольших давлений, создаваемых ульразвуковыми колебаниями 0;7-7 Вт/смВ процессе кристаллизации из-за возрастания количества твердой фазы, 55увеличения неровностей на поверхности кристаллов, образования и переплетения дендритных ветвей второго,третьего и более высоких порядков. уменьшается пористость и резко возрастает гидравлическое сопротивление скелета отливки. В связи с этим значительно затрудняется фильтрацнонное питание затвердевающей отливки, и в конце периода затвердевания для пропитки пор расплавом необходимы...

Номер патента: 1016059

Опубликовано: 07.05.1983

Авторы: Бондарев, Ильин, Ковалев, Тольский, Ханов, Шевелев

МПК: B22D 27/02

Метки: кристаллизующегося, металла, электромагнитной

...нее соленоидом, в которую помещены электроды, один из которыхпомещен в нижнюю часть изложницы,а второй - в прибьцъной полости изложницы 1,Однако в данном устройстве электромагнитная обработка расплава начинаетвестись топько после заполнения изложницы металлом. На практике при получении отливок валков кристаллизациярабочего слоя валка происходит за2,5 - 3,5 мин. а заполнение изложницы металлом за 0,5 мин,что составляет 1520% времени кристаллизации,Цель иэобретекия - увеличение глубины отбеленного слоя и его равномерности распределения по высоте отливки,Поставпенная цель достигается тем,что ъ устройстве содержащем размещен-ную внутри соленоида литейную формуиз нескольких частей и два токоподводящих электрода, первый ия...

Номер патента: 1088870

Опубликовано: 30.04.1984

Авторы: Болдырев, Пугачев, Стофато, Тутов, Ханин, Хорохорина

МПК: B22D 11/124

Метки: кристаллизующегося, непрерывного, слитка, теплоотвода

...в основномизлучением, и интенсивность теплоотвода меньше, чем в кристаллнзаторе. В результате происходит разогрев поверхностных слоев слитка засчет еще незатвердевшей с"рдцевины.Так,например, температура поверхности середины граней чугунного слитка квадратного или прямоугольногосечения повышается до 1050 С. Поэтому прн непрерывном литье чугунав случае образования отбела в поверхностных слоях слитка вследствие интенсивного охлаждения его в кристаплизаторе, наблюдается явление самообжига чугана, т.е, самопроизвольный распад цемента при температуреовыше 900 С под действием внутреннеготепла слитка, Однако температурана ребрах слитка квадратного илипрямоугольного сечения вследствие тороцевого эффекта как правило ниже 900 Сили очень быстро...

Номер патента: 1437134

Опубликовано: 15.11.1988

Авторы: Абрамов, Гринберг, Гуськов, Житник, Зинченко, Кондратюк, Людковский, Парий, Самсонов

МПК: B22D 11/00, B22D 27/20

Метки: кристаллизующегося, металлического, расплава

...ектцая, 4 Изобретение относится к металлур-гии и может быть использовано при цепрерывном литье заготовок,Целью изобретения является повыше 5цие качества получаемых заготовок иэффективности использования энергииколебаний,П р и м е р, Вводят колебания вжидкую Фазу слитка при непрерывномлитье подшипниковой стали. Используютволновод из стали У 13 диаметром 12 мм,возбуждаемым начастоте 18 кГц. Амплитуду колебаний волновода измеряютс помощью индукционного датчика смещений, Длина волны изгибцых колебанийволновода равна 60 кг, время егоплавления в жидкой фазе - около 25 с.Максимальной степени расстройкиколебательной системы соответствуетамплитуда колебаний волцоводаоколо5 мкм, Изменением скорости подачи волловода на 0,04 м/миц увеличивают...

Номер патента: 1726408

Опубликовано: 15.04.1992

Авторы: Дубовик, Ивченко, Иотковская, Непомнящий, Поколенко, Райхел

МПК: C03C 10/00

Метки: высокопрочного, кристаллизующегося, основе, стекла

...важное значение поэтому имеет нахождение такого режима кристаллизации (ситаллизации) стекла, который с одной стороны обеспечивал бы минимально возможный для данного материала уровень структурной дефектности, а с другой - сохранение высокой диффузионной способности обменивающихся при упрочнении ионов (при этом исходный уровень прочности, определяемый поверхностными дефектами, снимаемыми и блокируемыми при последующем упрочнении, не имеет значения). Обоим перечисленным требованиям удовлетворяют режимы кристаллизации, обеспечивающие появление максимального числа центров кристаллизации, Независимо от вида упрочняемого материала (ситаллизующегося стекла), алгоритм нахождения параметров указанных режимов кристаллизации...