Магнитный материал на основе иттриевого феррограната
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 234570
Авторы: Аграновска, Котельникова, Трофимова, Шварц
Текст
ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ Союз Советский Социалистический Республик, о в. а Я К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ; чьства Ло ависимое от авт иде Заявлен л, 21 п 2.Х 1.1 117776/22-1),о рисоединением заявк МПК Н Приори Комитет по делам изобретений и открытий лри Совете Министров СССР1,318.134 (088.8 Опу бли Дата оп ано 10.1,1969. злетеньбликования описания 2 Х,Авторыизобретения А, А. Шварц, А. М, Котельникова, А грановская и А. Н. Трофимова аявитель НИТНЬЙ МАТЕРИАЛ НА ОСНОВЕ ИТТРИЕВОГ ФЕРРОГРАНАТА например СаСОь с водои с последующим двойным отжигом при температуре 1100 - 1200 С и, после измельчения и прессования при 1300 - 1440 С в атмосф ре кислорода.5 Предложенный материал на основе иттриевого феррограната имеет небольшие диэлектрические потери дб (1), высокую диэлектрическую постоянную (Е = 1 О), которая резко уменьшается с увеличенп.м частоты и рас тет с увеличением температуры в интервалетемператур от 100 до 400 С, и может применяться для датчиков-преобразователей емкостного типа. к областа на основ относитс матери44 - 45,5 53 - 54,5 киси иттр киси желе или четырехваМп, 811, Т 1 вухвалентногалла Саз+, Со: мет изобретения Магнитныи матер 1 феррограната, отли 20 целью повышения д ной, изменяющейся го поля и температ присадки - соедине четырехвалентного м 25 соотношении компонокиси иттрия окиси железа соединения двухвалентного или четырехвалентного металлаостальное,Данное изобретениеяполучения магнитного ал е иттриевого феррограната.Известен магнитный материал, содержащий окись железа и окись иттрия,Предлагаемый магнитный материал отличается от известного тем, что, с целью повышения диэлектрической постоянной, изменяющейся от частоты электрического поля и температуры, материал на основе иттриевого феррограната содержит, вес, у,; соединения д олентного метМпа,5 - 1,о,Каждая из этих присадок, введенная в отдельности, нарушает электронейтральность кристаллической решетки итзриевого феррограната и вызывает появление в нем разновалентных ионов одного и того же металла, как Гев+ - т ез, т.ез+ - т е-, Мпв+ - Мпз+, Мпз - Мп 4+, Соз - Соз . Появление подобных пар в иттриевом феррогранате обуславливает высокую диэлектрическую постоянную.Предлокенный материал получают перемешиванием стехиометрического количества окиси иттрия, окиси железа и соединения двухвалентного или четырехвалентного металла,ал на основе иттриевого чающий ся тем, что, с иэлектрической постоянот частоты электрическоры, материал содержит ния двухвалентного или еталла при следующем ентов, в вес. ",:44 - 45,5 53 - 54,5
СмотретьЗаявка
1117776
А. А. Шварц, А. М. Котельникова, А. И. Аграновска, А. Н. Трофимова
МПК / Метки
МПК: C04B 35/40, H01F 1/10
Метки: иттриевого, магнитный, материал, основе, феррограната
Опубликовано: 01.01.1969
Код ссылки
<a href="https://patents.su/1-234570-magnitnyjj-material-na-osnove-ittrievogo-ferrogranata.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Магнитный материал на основе иттриевого феррограната</a>
Предыдущий патент: Сплав для наплавки
Следующий патент: Способ изготовления металлокерамических электрических контактов
Случайный патент: Функциональный преобразователь