Способ получения негативных изображений в слое резиста

) 4 С 03 1 7/26 ОМИТЕТОТКРЫТИЯ ГОСУДАРСТВЕННЫПО ИЗОБРЕТЕНИЯМПРИ ГКНТ СССР ОБРЕТЕН ОПИСАН ПАТЕНТУ(31) (32) (33) (46) и 28 па диаз на пове формиру защищаю цнонахности о: тся маска ая эти уч т Вранкен)Б ГАТИ В Н 1 ХСТА 02 (088 тУЧЕНИЯ СЛОЕ РВ ции сухого трав ри этом толв и нии оперплазме.иэображеной исхо( лемецтовцчески ра ия получают ирак ной толщине рези та, атков пр тся к обласжет быть исе от но ники и формиро методом необлученных учас олностью. В резу спроизводимость и удалениеисходитшается в т тате повыоцесса,нии рисунотолитограол ьз ов ано ов микрос мы зоб они фии щен ак ляется упроен елью м ние его разреоспроизводимосселективной овыш сса проц спо особх. обн осн и шающти. з. 4 ь Ж эти учас и сухо бементов и ически ра я рези частков и при этом повыш ть процес ть экспонирован нием кремния це аа вле и ющеи облучен в глазгрузии и дц рьируется в зави единения кремния мостот вида го конце 72) Бруно РоВЕ)53) 621.382.054) СПОСОБ)Б ПООБРАЖЕНИЙ В57) Изобретени микроэлектр Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано при формировании рисунков микросхем методом фотолитографии,Целью изобретения являетсяупрощение процесса, повышение егоразрешающей способности и воспроизводимости,Предлагаемый способ основан населективной диффузии соединений кремния в облученные при экспонированииультрафиолетовым или видимым излучением участки слоя резиста, содержащего смолу со светочувствительным соединением типа диазохинона, врезультате чего ца поверхности облученных участков формируется маска и диффузии соединений ;ретч в о чецные при эксороаутр фиолетовым или пгьзуче.и слои ревиста, содержащего смолу светочувствительным соединением в результате чего лучсццых участков из окиси кремния,астки при проведе родолжительность эк бработки соединение сказывается на результф-лы. окиси кремния, эащищающки при проведении операпроявления в плазме,Толщина полученных э ражеция получается прак ной исходной толщине сл а удаление необлученных исходит полностью,ся воспроизводимосткак продолжительноси обработки соедине сказывается на результата Толщина маски, з ные участки при тра определяется закона:У 1 П 1 ч т т и ц.11 дт)т 111)1 и 11 дт тч с.1 т Дав лни.Обрдбтткд слоя резцет 1 пдрд.и сое- И)1 1 И 51 К РС Ниц Цт)Р И 1 СЯ ПРИ Т ЕГ 1 иератур, котопдч гтыбирдется в дидпд- З тцс МЕжу ТСПц рд урой ИСП;трЕцця СОСДИЦЕЦИЯ КРЕМЦЦЯ Ц ТЕГПЕРДтУРО)1 ТС.Стт.1 ЧЕСКО ГО Л 1:тт,Ет)5 т 15 ИО 11 ГОН рсзиста, т.е, вт,трпдпдэоце от -20 доо . б 150 :, цредцоч 1 т.п 1 о от 60;о 140 0 11 рОЛОжцтЕП ,цЕ 1 О р;ба т Кц СО Един- ЦЦЕ К 5 ЕМЦЦЯ ЦЕ 1;тпТИЧЦД, ОЦ;1 .05 КС; изменяться от нескольких секунд доч ц 1 ттз;тттИ.г 1 т. т,1 т 1"т Гптц3 не 51 цю 1111 тти. .11 ",Ь 1.1:.т)е - тового излучсшя Гсно реупцродть О 20 В З ДРИИМС)ЕТ) Т С.тки;1 тй ТОо 11 вакууме. Пр И ИЕОПХОИМО Тц ИОЧОШЕ 1 ИЕ иэпучешя слоем речисты можно увегш чить путем введепя в пего соотнет 35 СтРУНтШИХ 1 РДСИтЕПй, КОТОРЫЕ ПОГЛОщдют излучение с длиной волны, исПОПЬЗт ЕМОИ дт 5 тн т. ОШтрОГСция (100600 нм) . Поо ггтг г.) т ун)ттд 5 концентрация ГдКОГО Кр;т ИТця ОГ рдШИ)тдСТэкспозициютаит;о; верхнем слое ре -40 зистд, Изобретение 1 лпюстрируется примеРай,1 то ВСЕХ П)И МС Г дХ ВЕПИЧИИЬ ИРИН Е д 5 ДЕЦЦЫЕ ЦО ЭЦЕРГШ УП.ТРД 1 тцоЕТОВОГО излучения, оцредпеиз црц И:цце волны в 400 цм.П р и м е р 1, 1 срежиевые подложки, покрытые термиче.кой окисью кремния толшццоц около 120 нм, обрабатывают гексаметлдисилдэдном в качестве активаторд дггезии,Для свето уцстнитеп)ной смолы испопьзунтт продукт частичной эстерифи 55 кдции хпорида б-лидзо,6-дигидро-оксо - 1 - цдфтсцицсулт)ниа с продукт 5наци цст 1 ии р-третутил 1 тенол 1 и т 01)Г.111 ьцсц.,. Пттлтсццсн) сГ 0 цы .дски, потуч 1 тм 11 ц 1 тб:у;ецтых тт 1 ДСТКДХ С)10, РС 1 11 С.ТД )Цтэт тЯ Мтт. СТ ар тцрот)дтьс.т от 10 до 1 )О 1,1 ж/СГ цоерхцос.ти е.поя при Изрепин цд дпцЕ то:НЫ 00 и, 25Обрботка спея резистд парами сое- Д)ЦЕЦИЯ КРЕМШЯ МСт,НЕТ ПРОВОДИТЬСЯЦЕ ТОЛЬКО ПОЕЦЕ ЭКСЦОЦИРОВДЦР 51 СПОЯ т цо и в процесс.е экспонирования. После обработки Г 05 нцо удалить избыток 30 соединения кре. ця исдреИм в:у рдствттянтт в с Гтс и растворителей, со;1.:рждгей 80 7, 2-зтоксиэтано- Л ), О РЕ,"-. 1 ц тлд ц 1 О ВЕСУ ацЕ- гдтд бутипд ц я топу ептя 257:-ного р,свсрд.11,тпътсц 1 етй 11;1 т цор цтцосят путем сс црифуцртв;шия нд кремциеные под:Яки при скорости вращения 3000 об/мин, Б РС:)У:1 татЕ Ц; Кажт,т ЛО 5 ЛОжКЕ ПОЛУнтг с:ОР смо)111.т:шццои 1,7 мкГ 1Покрытые таки образом подожки обр сб дтьш дют к)ц екПоццой печиСтри 90 Г течс ццс 30 )ц. Затем цх цодьс ргдот экс.цошровдцио ультрафиолетовым излучением через маску с .1":5 ью тццово 1 оборудовдшя ультра 1 ти)ЛЕТООГО ц).ттутС ия Е дЛИИОй ВОЛ ы 350 - 440 нм, пр эт тг энергия изпу - тС Шя ргвттд 60 Гт,151/ Мг".кскшцроР;цш пт,гОжк) Обрабатыдют 11 р ц:1 гк д.етитциси.аздцдбПрц 90 Р тттЕцте 4 МИН. 11 оспс. цроят:1 ешя реактивными понгми к;слоропд цд экспониронанцых участках получаот цег;ттицые изображСЦИ 51 т ПРЕДСт ДВЛЯОЩИЕ ВЕРТИКДЛЬНЫЕ боковые стенки. Толщина изображений практически ранца цдчдльной толщине слой смолы, осажденной цд каждую подложку.Г р и м е р 2. Ход операций ана:Оцчец примеру 1, цо используют светоч; вс:т)зительнуо смолу, образованную смесью 100 г новопака крезолформдльдегида проньш.генцого качества и 25 г продукта конденсации 3 моль хлорцда 6 диазо,6-дцгидро-оксо - цдфтапицсупфсццлд с 1 моль 2,3,4- тригидроксибецзст 1 тецоц,. .)ту смесь рдстворяот в 250 г смеси растворителей, содержащей 80 вес.Х 2-этоксиэтднола, 10 нес.л. ксилстлд и 10 вес.Ж дцетата бутипд. Толщина полученного слоя смолы 1,ч мкм. После предварительной термообработки подложку подвергают экспонировашцо ультрафиолетовым светом чере.) маску при энергии излучения 70 ГДж/сГ , д затем обрабатывают н парах гексаметилдисилазана в течение 30 миц при 65 О. После проявления получают негативные иэображения с остточной толщиной 1,2 мкм т.е, 867. Иачдльцой толщины слоя нзцесецной смолы.П р и и е р 3. Уод операций аналогичен примеру 1, огц,)со светочувствительную с мопу получают частичнойэ стерифик дни ей нов ол якд крез о. г-гьормальцегидя промгпплеьцгого качества с хлоридом-б-дидзо,6-дигидро-оксо - цдфталинсуч Аоциггд, Полу гг ццые 25 г смолы растворяют в 00 г дцетятя 25 ЭТОКЕГТГЛЯ) ГГЛГгига СЛОЯ С,ОГг) ЦД подложке 1,5 мкм, ТОсе тер.гсобработки подложку экспонируют в уггырдфцодецной смо;гы.П р и м е р 4, Уод оггердциг аналогичен примеру 1, однако исгользуют светочувствительную смолу, образованную продуктом частичной эстерцфикации хлорида б-диазо,6-дигидро-оксо-няфталинсульфонила с поли (р-вицилфенолом), здтем 25 г смолы растворяют в 00 г ацетатд 2-этоксиэтила. То;пцина слоя полученной смолы 1,7 мкм. После термообработки смолу экспонируют ультрафиолетовыми лучами через маску при энергии излучеция 85 мДж/см , зчтем обрабатывают в парах гексаметилдисилазана в течение 3 мин при 125 С, Полученные после проявления негативные изображения имеют вертикальные боковые стенки, остаточная толщина равна 1,65 мкм, что составляет 977 начальной толщины 20 30 слоя смолы,П р и м в р 5. Уод операций диалогичен примеру 1 за исключением того,что светочувствительную смолу заменяют смолой, полученной при частичнойэстерификяции продукта конденсациир-Н-пропилфенола и формальдегида схлоридом б-диазо,6-дигидро-оксо 1-нафталинсульфонила. Полученные 4530 г смолы растворяют в 100 г 4-метил 2-пентанона. Толщина слоя смолы2,3 мкм. После термообработки смолуэкспонируют ультрафиолетовым излучением через маску при энергии излучения85 мДж/см , затем обрабатывают в те 2чение 8 мин при 115 С парами гексаметилдисилазана.Проявление выявляет негативныеизображения с высоким разрешением ли 5нии шириной 0,45 мкм при расстояниимежду ними 0,85 мкм при вертикальныхбоковых стенках. Остаточная толщинаравна 2,5 мкм, что составляет прилетовых лучах через маску гри энергии излучения 85 ггПж/сг, зятем обрдбдтывдют парями гексаметцлдисцлаздцао,в течение0 мин при 80 Г. После проявления получают цегятицые изображения остаточной толццгцой 1,4 мкм, 15 т.е. 937, начальной толщины слоя осажмерно 94 ,),е,ц и;); г и . е;.:)Севцогг слоя ) ,и:ц.П р и " е р б,оп ",:.рдгггй;гц;)- Гггец гргг"ег)у 1, Рпц,)гге "ог э), ют светчу)етг)и е 1 ггу) смог", Обр)тгдц цую ггродуктс м гдстичг-.-. ежиЫ. д - цггг хлг)1 тц г, 6 - гц;)зг - э,б - .цгг гг,:)р- 5- ОКСО - 1 - Ц,ГР)Т ЧГЦЕ,ГГ (ЯЧГ;.Л Е ГР;Г" Г - то; Кецпенссцгии крг е)гг, и егг ,ч де -ггп Пг)лучецгв:е 25 г е;г)чг р;Оторя - ют 100 г бге (2- тггег тгч) - эфггрд. Толциц;г слоя е.к):ы 1, и и, Песле теэ.о об р дб От ке) г) э ееОпру.) у).ц ьтрдфгголетог.гц лучаЯремдск, црц энергии иэ:учения 90 и,:/с. , здтем в те гение 8 гигг обр,б,.т,г т прис125 Г парями ге,с. еггглц цггдчдцд, После роя.гения цоуцди т цг г дтивные изобрджепгя вы ого о р.эг). , цця с вертггк;гльцьгггг бокогымгг степкац цри ос.тдточцой толщцце 1,6 мг;", гто состдвляет 947 начальной толгцгц осажценного слоя смогы,П р и м е р 7. Ход операции аналогичен примеру 1, опцяко испол зуют светочувствцте:гьцую смочу, обрдэовацную смесью 3 г 1 огц- (1-иничкдрбдзола) и 20 г продуктд частичной эстеригикации хлоридд б-дидзо,6-дигидро-оксо-натяппсу)льгьонилд с продуктами конденсации 1-цдтоля и бенэапьдегида. Смесь растворяют в 1 ОО гбис(2-метоксиэтцл)эфира. Точгцина полученного слоя смолы равна 1,8 мкм. После термообработки в течение 45 с подложки, нагретой до 95 С, слой экспонируют ультрафиолетовыми лучами через маску при энергии излучения115 мДж/см , затем в течение 10 мин обрабатывают при 120 С парами гексаметилдисилязана, После проявления получают негативные изображения с высоким разрешением, обладающие вертикальными боковыми стенками при остаточной толщине 1,65 мкм, что составляет 927. от начальной толщины осажденного слоя смолы,П р и м е р 8. Ход операций аналогичен примеру 1, однако используют светочувствительную смолу, образованную смесью 10 г полистирола и20 г продукта частичной эстерификации хлорида б-диазо,6-дигидро- оксо-нафталинсульфонилд с продуктом конденсации р-этилфенолд и формдльдегида, Смесь растворяют в 100 г циклогексацоца. Полу)я)т слой толщиной 1,8 мкм, который пое.ге црокали 1498400.1 у 1,;.1 Ср; т (че 1 ня 110 5,тт /(.м Г Етыв,цят ц 1:р;х всс ше 1 О и РОЯ(Л( ЦИ(1 О.ЕУ 1Рджцця с выКГ ЕтИ ВЕРтнК,Е т 1 Т ) 11101 т т ;1111 П т МерО 857. (т и, Е О 15 20 40 45 50 55 т Улттт),д и(еетеии к;т прицер и шлу -3;11( и слт.1 обрд РЕ",( 1 И.(Х. ОР С И. Е Д и;.цры 100 С. Посте (Еттт цегдтивцые изобпдтрещецием, с бо:я Степками и осй 1,5 мкм, т.е. при, 1111 о 1 ТО.ПЦЦЕ:1 ОС(ж НЕЕЛОГО СЛО 1 С;т(т.т т,П р и ( г р . У т;.т опердцй дцд.огичец прим ру 1, (тдик( ееспогьзуют сн ет(чув стците:1,ную смолу, пс луч ецвцую ч асти 1 цой э Гт(1 дтл дпце 1 к(01 и,:,(Е - ц(1;тзо - 5, т-дЕрт -5-оксо- ц т т(тЛ 111(УЛ 1(т 111;,1 т 1,(т:т У,"П Е Д -цш о,"плфецт. т (тт(тт,:.1 дт) Ее(1, .э -ТЕ 30 Г ТО( ( 1 т П :. Гт 1)ятц100ЕИЕ:ОГСК( дц(тц(Е. ТО.т; 1; Е(ту -чспного слоя 1,9 в(м, Пс с 1 рока)швдш 1 я в течение 45 с при 95 С ца цдгетой цтцте (.Лой опесргдют э 1;сцоцировдц;ю ультрдфио:еетопыми лучами25 еерсэ мдску пр эцергш об.учеция 50 етж/см, та гем в тгчецие 1 О мицобрдбатывдют при 125 С парами гексаметилдисилдздцд, Пос:Ее проявления нов лучдют цегдтитцне иэображения с высоким разрепецием, обладающие вертикальными бсковыми сгецками, остдто- цдя толщина 1,7 мкм, что состдвляет примерно 90. Латальпе тотии осаж,пенного слоя смолы,П р и м е р 1 О, Уоц операцийдедлогичеее римеру 1, однако истользуют светочувствительную смолу, полутеццую чдстичцой эстеридтикдцпей соцолимерд р-вишлфецила и р-хлорсгирола с хлорицом 6-диазо,6-цигидро-оксо- -падт алии сул ьдтоп ил д. Здте; 25 г смолы растворяют в 100 г 5-мстил-гексацоеа. Получецныи слой смолы имеет толщину 1,7 мкм, После термообрдботки слой экспонируют улеттрддиоетоеыеи лучами через мдску при энергии иэлучеетшя 85 м 11 ж/см, затем в течение 10 миц цри 125 С обрабатывают парами гексаметилдисилаэдцд, Посгле :роявления получают цегдтивцые изображения с высоким разрешением, обладдющие вертикальными боковыми стенками, остагочцдя толщина 1,6 мкм, что составляет 94 ь ндчальной толщецы осажденного слоя смолы.П р и м е р 11. Б цдццом примере ПаКдэдНО, 11 О цп(фЕрЕтцпдцця О 6.учсцых и (соблучецных участков светоЕув с т в ге: .ной смолы при эк споцировдпц псслепцсй светом обусловлена искл е:1 еле цо увеечешем степениттиду.тел соециеее 15 кр(.мция в облу ЕЦЛ 1(т УЧДСТКЕ СМОЛЫ. 1 те(. ге (. Те в цднцом примере по;ддцо, что соедшецие кремния про- ЛИКЛСТ тЕ ГЛубжЕ В ОГц,тЕЕЕтЕ уцдст- ".Е(.и Гт(ЛЕЕ трцхтацыцдЕЕдя Епргия ультрафиолетового из:Еучеция,1(ркеиевье п)ц)оже(и с термической окесь( кремция толщиной прцмерцо 1200 А обрабатывают гексаметилциси- .15 ЗДЦО В КаЧЕСтВЕ ат(тцаатОРД ДЦГЕ- з 1 ц, В качеств. свето 1 увствитель ця смолы и(.пользуют процукт частичной эстерификдцш хлорипд 6-цидэо;,6-игидро - 5-ксо-цддттдлешсульд о -нила с ероцукгом коццецсапии р - трет - бутилфенолд и формальцегица. Здтс. 25 г смо:1 ы растворяют в 100 г циклогссдцоцд, Полу 1 ееивЙ раствор нцо сят цеетридтугировдеием цд подложки цтя получения слоя светочувствительной смолы толщиной 1,5 мкм.1 олученцые таким образом поцлое(- ки термообрдбатывают в течение 45 с при 95 С на па ретой иите. ЗатемОцх подвергают действию ультрафиолетоцого излучеция, причем к каждойподложке прикладывают различцую энергио, соответствецно 0,13, 25,38 и50 мДж/си,Затем экспоцировацные полложкиобрабатывают в течение 10 миц при25 С в парах гексдметилписилдзана,Получешеые таким образом подложкиподвергают электронной спектроскопииАц 8 ег,Расеыле 1 ие ионов аргонд нд слойрезистд со скоростью 3 нм/мен цозволяет опрецелить распределецие по глубице относительной концентрации кремния в слое. С этой целью измеряют интецсивцость пика кремния в зависимости от времени распыления. Обцдружецо . что концентрация кремния достигает некоторого значения в зависимости от количества приложенной энергии. После некоторого времени распыления ицтенсивность пика кремния резко пецдет и пик в конце концов исчезает.Было подтвержцеео, что это времяявляется функцией эцергии ультрафиолетового изучее 11 Я. Для величин энергии 0,13,25,38 и 50 мж/см пикикремния исчездют примерно через 5,20,60,110 и 60 мцц,Одцовремеццо готовят аналогичныеполпожки для получения цзобрджешгй5в слое путем проведения такой же обработки с последующим трдвлеш(е. ре -активными иоцами кислорода вместовыполнения спектроскопии Лцяег. Докдэдцо. что энер ця иэчучеш(я выбранцая цз диапазона между 13 и25 мДж/см, достаточна для ггу -енияхороших изобрджеций. С учетом скорости распыления, равной 3 нм/мин,можно сделать вывод, что глубина проникновения соединения кремния н слойрезиста около 100 цм в достаточнойстепени замедляет скорость травленияпри полном удалении необлученныхучастков. Этот вывод хорошо согласуется с остаточными велцчицдми толщццот 90 до 957., полученными согласнопредлагаемому способу,Анализ с помоиью электронцой спектроскопии Асцег показал, что диффузия 25соединения кремния в резцст практически цитожца, когда резист не подвергается облучению ультрафиолетом(энергия излучения равна нулю), Вместе с тем анализ показдл, что с увеличением количества энергии происходит более глубокое проникновениесоединения кремния в слой резиста,тогда как концентрация фиксированного кремния не зависит от количества35приложенной энергии. Понять это явление можно при допущении, что трансформация слоя смолы под влияниемизлучения модифицирует ее проницаемость и делает возможной селективную 40диффузию соединения кремния в ее облученные участки.формула изобретения451. Способ получения негативных изображений в слое резиста, включающий нанесение на подложку слоя позитивного ревиста, его экспонирование актиничным излучением через мас 50 ку, обработку слоя в парах соединения кремния, содержащего силильну)( группу, и проявление путем плазменного травления необлученных участков слоя, о т л и ч д ю щ и й с я тем,55 что, с целью упрощенИя процесса, повышения его разрешающей способности и воспроизводимости, в качестве позитивного резцстд используют смесь фЕ цО 1, Г( П 111 МЕ 1;С,П,с П ц(1 С 1, Д ГЛИЦ ЕЦ 1 1 К Т 1 ЦЧР(1 (С Ц 1 Ч при эксишпр(в;цц(1 ( црдвт в лидд - з оп е 100- ( О и 1.2. Способ пи. 1, с т: и 1,1 н( - щ ц й с я тем, что д 1,1 охноц вы - б и р д ю т ц 3 Г р у и цы, ( м (. т с 1 яз(е Й 11 3диаз о, 6 - ли гидро-о к со-на ъг дппсу 1 ф(скис 1 огы, 6 - ;п;1 - 5,6 - п 1(др(в 5-с(кс о-цдфт;(зпц-с у:1 (1(кпс (о гы,3-дцдЗ О,4-ПГидро - 4 - ОК:О - 1 - цдфтдлицсу:1 фокцс:от 1, 4 - и 1,1 о - 3,- д ид - ро - 3 ок- цк г(пц(.( (к 1.отн, 3 - дидзо - 3,4 - ;п и;р(-4 - оксо - 1 - бецзо:в су:ьфокисло гы, соответствун(шцх кар - боцовых к 1.от, х прц 1 одых цсмесей и к,2 це 1 .ср цдвух укд -эдццых содццеций3. Способ по ц.1, о т л ц ч д ю - щ ц й с я тем, что Фецолшый полимер выбирают цз группы, состоящей цз продуктов коцлг цс;ци 1 Фе пол д цлц ц;1(т 1 ла, илц их прозодцых, з дмещенцыхв цикле алкильцьи или дрильным радикалом, илц атомом гдпогена с али 1 дтическим или ароматическим альдегиДОМ, ЗДМЕЩЕНЦЫМ ИЛИ НЕ ЗНЕЦЕЫНЫЛатомом гдлогеца, поливпцилфецолов,фенольцая группа которых может бытьзамеценд длкцльцым цли дрильцым рддикалом, или атомом галогецд, соцолимеров вицилдецолд с этиленненасы - щенцыми соединениями, смесей указанных полимеров между собой или с другими ароматическими полимерамиСпособ по пп.1 - 3, о т л и ч дю щ ц й с я тем, что в с:ой резистдвводят краситель.5. Способ по пп.1-4, о т л и ч дю щ и й с я тем, что соединениекремния, содержащее силцльцук группу, выбирают из следуюцих соединенийтетрахлорсилан, триметилхлорсилац, диметилдихлорсилан, мети;трихлорсилац, триметилбромсилдн, триметилйодсилан, трифенилхлорсцлдц, гексаметилдисилазан, гептдметилдц цлдздц, гексафенилдисилазан, 1, 3-бис- (хлорметил) - 1,1,3,3-тетраметилдцсил;здн, 1(1-триметилсилилимидазол, 1(1-тр)метилсилилацетамид, К-тринетг(силилдиметцлдмиц, 1(1-триметилсилилдиэтил)ни 1, гексдметилсиландиамин, г, 0-бцс-(триэтипсцлил) -(ацетимид,11,Ч -бис-(тримегцлсилил)-мо(чевина, 1(1,И -дцфецил(1- (трнетилсилил)- ( мочевина и смесь цо крайней мере из двух указанных соединений.1498400 12 6. Способ соединеция кремния составляет стцескопькцх секунд до с дцого часа. кщий с я тки гноя резиста в парах Составитель О. Павлова Техред Л.Олийнык 1 едактор Л. Веселовская Корректор ",1. 1 ароши Заказ 4465/59 Тираж 411 ПодписноеВ 11 ИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035, Москва, Ж, Раушская наб д. 4/5 Производственно-издательский комбинат "Патент", г,ужгород, ул. агарина,101 резиста в и осуществляют7. Способ ю щ и й с я ность обрабо пои 6, отличо тем, ч то обработку слоя рах соединения кремния црц 60-150 оСпо цц.1 - 7, о т л и ч а тем, что продолжитель 58, Способ по п,й, о т и и ч а юш и й с я тем, что продолжительностьобработки слоя резиста сосзавляет1-45 миц.