Канал для продвижения цилиндрических магнитных доменов

Союз Советских Социалистических РеспубликОП ИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВ ЕТИЛЬСТВУ(22) Заявлено 170879 (21) 2814104/18-24 О 11 С 11/14 с присоединением заявки Мо(23) Приоритет Государственный комитет СССР но делам изобретений н открытий(088.8) Дата опубликования описания 15.11.81) Заявитель ДЛЯ ПРОДВИЖЕНИЯ ЦИЛИНДРИЧЕСКИ МАГНИТНЫХ ДОМЕНОВ(54) питания, что уцию;Цель изобретения - упрощение каала для продвижения ЦМД.Поставленная цель достигается тем,что отверстия в токопроводящих слояхвыполнены в Форме выпуклых многоугольников, например шестиугольников,причем проекции смежных отверстий,расположенных в разных токопроводящих слоях, на магнитоодноосную пленку совмещены по одной из граней выпуклых многоугольников,На фиг. 1 схематически показанканал для продвижения ЦМД, общийвид; на фиг. 2 - принцип перемещена фиг. 3 - продвижениеале в одну сторону; нато же, в противоположнуюна Фиг. 5 - взаимное расе отверстий при движениизличных направлениях.для продвижения ЦМД (фиг.1)расположенную на немагнитной1 магнитоодноосную пленкусенной на нее пленкой 3 дна. На пленке 3 расположенокопроводящий слой 4, отот второго токопроводяще 5 слоем диэлектрика б. К 5 ния ЦМД;ЦМД в канфиг. 4сторону;положеныЦМД в ра.Каналсодержитподложке2 с нанеэлектрикпервый тделенный30 го слоя Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при построении запоминающихустройств на цилиндрических магнитных доменах (ЦМД).Известны каналы для продвиженияЦМД, построенные в виде периодическирасположенных магнитопленочных аппликаций на доменосодержащем материале и функционирующие во внешнемвращающемся в плоскости аппликациймагнитном поле 1.Однако быстродействие таких каналов ограничено возможностью создания быстропеременного магнитного поля. Кроме того, источник магнитногополя потребляет много энергии, а изготовление такого канала требует высокой точности иэ-за малости размеров аппликаций,Наиболее близким к изобретениюявляется канал для продвижения ЦМД,содержащий магнитоодноосную пленку,на которой расположены токопроводящие слои с отверстиями, разделенныеизолирующим слоем и подключенные кисточникам импульсов тока (2),Недостатком известного канала дляпродвижения ЦИД является необходимость тщательной развязки.источников сложняет его конструк 881856первому токопроводящему слою 4 подключен источник импульсов тока 7, ако второму токопроводящему слою 5источник импульсов тока 8. В токопроводящих слоях 4 и 5 выполненыотверстия 9 в форме шестиугольников,Цифрами 1-Ч 1 обозначены позиции,занимаемые ЦЯД в канале.Канал для продвижения ЦМД функционирует следующим образом.В основу работы устройства положено взаимодействие ЦМД 10, существующих в магнитоодноосной пленке 2,с локальными магнитными полями, создаваемыми вблизи отверстий 9, проте"кающими по слоям 4 и 5 токами 1 иот источников 7 и 8. Это взаимодействие показано на фиг. 2.Для примера рассмотрим один слой4. Ток 1 от источника 7 распределяется между отверстиями 9 на потокикак показано на фиг. 2. При этом в 2 Опространстве отверстий образуютсялокальные магнитные поля, направленные в зависимости от направления тока 1 . Если считать, что ЦМД имеетнамагниченность, направленную вверх, 2то магнитные поля в отверстиях спра"ва от потока З имеют противоположноек ЦМД направление, а в отверстияхслева - совпадающее. Магнитное поле,совпадающее по направлению с ЦМД,притягивает его, а противоположноеотталкивает, На фиг, 2 в левой частипоказано, как расположены силовыелинии локальных магнитных полей; вправой части знаком ф+ф помеченапритягивающая сторона отверстия, азнаком " в -отталкивающая. На Фиг,Зи 4 приняты те же обозначения. Из"менение направления тока вызываетизменения места расположения растягивающих и отталкивающих полюсов, 40Продвижение ЦМД вызывается притяжением к полюсу ф+, и., следовательно, перемещением притягивающего полюса.Если задается ток 1 в слой 5,то н =тверстии образуются притягивающие полюсы. Пусть ЦМД 10 зафиксирован в позиции 1 отверстия 9,а ЦМД 101 - в позиции Ч (Фиг. За),Позиции 1 и Ч идентичны по отноше"нию к отверстиям 9(на Фиг. 3-5 отверстия 9 слоя 5 показаны сплошными линиями, а отверстия 9 слоя 4показаны пунктирными линиями и эаштрихованы). После включения токавключается ток 1(в слой 4), притягивающие полюса образуются также уотверстия 9 слоя 4 (Фиг. Зб),ЦМД 10и 10, соответственно, растягиваютсяи зайимают позиции 11 и Ч 1,Когда ток 1 протекает в обратном Щнаправлении (Фиг. Зв) ЦМД 104 и 10переходят к соседним притягивающийполюсам в позиции 111 и Ч 11 (позиция Ч 11 находится за пределамифиг. Зв) . После этого при пропуска- д нии тока 1 (Фиг. Зг) ЦМД 10, переходит в позицию 1 Ч. Если снова пропустить ток 1 в направлении, как показано на фиг. За, то ЦМД 10, окажется в позиции Ч, т.е. там, где был раньше ЦМД 10 . Таким образом, при последовательности токов, соответствующей фиг. За,б,в,г, ЦМД перемещается от одного отверстия к другому. На фиг. Зг тонкой линией со стрелкой показано направление продвижения ЦМД 11, точки на этой линиисоответствуют месту фиксации ЦМД припротекании токов. Если изменить порядок чередованияотверстий 9 и 94, как показано на фиг. 4 (по отношению к фиг. 3), то изменяется направление движения ЦМД при той же последовательности токови 1 р, Пусть ток 18 протекает так,как показано на фиг. 4 а, тогда ЦМД 10, и 10 фиксируются у притягивающих по-люсов отверстий 9 слоя 5 в позициях 1 и Ч. После этого ток 17 пропускается так, как показано на фиг. 46, ЦМД 10 и 10 переходят в позиции 11 и Ч 1 соответственно, на отверстиях 94 слоя 4. Последующее протекание тока 1, как показано на фиг. 4 в, вызывает перемещение ЦМД 10в позицию 111, ЦМД 101 уходит за пределы фигуры. Далее,при протекании тока 17,как показано на фиг. 4 г, ЦМД 10 переходит в позицию 1 Ч. Если после этого пропустить ток 1, как показано на Фиг. 4 а, то ЦМД 10 переходит в поэицию Ч, где ранее был ЦМД 10. Таким образом, при указанной последовательности токов движение ЦМД на Фиг. 4 противоположно движению ЦМД на Фиг.З. Тонкой линией со стрелкой 12 на Фиг. 4 г показано направление движения ЦМД.Изменяя последовательность включения токов, можно получить продвижение ЦМД поперек расположения отверстий 94 и 9в слоях 4 и 5,Изменяя взаимное расположение отверстий 94 и 9 в слоях 4 и 5 можно получить изменение направления движения ЦМД при одной последовательности токов в слояхНа фиг, 5 показано, какое взаимное расположение отверстиЯ 9 и 9 у дает чередование направлений движения ЦМД в соседних треках 11, 12 , 11 1, 121 при неизменной последовательности чередования токов.Использование изобретения позволяет повысить тактовую частоту работы канала продвижения ЦМД до частот в несколько мегагерц, что существенно улучшит системные параметры устройств на ЦМД, увеличит быстродействие, уменьшит времена задержки и доступа и т.д.формула изобретенияКанал для продвижения цилиндрических магнитных доменов, содержащиймагнитоодноосную пленку, на которойрасположены токопроводящие слои с отверстиями, разделенные изолирующимслоем и подключенные к источникамимпульсов тока, о т л и ч а ю щ и йс я тем, что, с целью упрощения канала для продвижения цилиндрическихмагнитных доменов, отверстия в токопроводящих слоях выполнены в формевыпуклых многоугольников, напримершестиугольников, причем проекции смежных отверстий, расположенных в разных токопроводящих слоях, на магнитоодноосную пленку совмещены по одной из граней выпуклых многоугольников.Источники информации,принятые во внимание при экспертизе1. Авторское свидетельство СССРР 640347, кл. 0 11 С 11/14, 1977.2, А 1 Р Сопй. Ргос., 1974, 9 24р. 550 (прототип).881856НИИПИ Заказ 9985ираа 648 Подписи Филиал ППП "Патент", г,Ужгород,ул.Проектна