Способ получения рисунка на пленкеалюминия

ОП ИСАНИЕИЗОБРЕТЕН ИЯК АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союз СоветскихСоциалистическихРеспубтвик(23) П риоритет по делам изобретений и открытий(53) УД К 621. 382 е .002(0888) Дата опубликования описания 10.06.81 72) Автор изобретен и В.Д.Яровой 1) Заявитель(54) СПОСО ЕНИЯ РИСУНКА НА ПЛЕНКЕИНИЯ Изобретение относится к электронлучения рисунческом трав вестен способ п а именно к технолог ои техни ка, основанныи на химилении алюминия 11.Однако химическое травление обес- печивает получение элементов с минимальными размерами более 2 мк, тогда как существует необходимостх полчать рисунок с размерами элементов порядка микрона.Наиболее близким техническим решением к предлагаемому является способ получения рисунка на пленке алюминия, включающий вакуумное напыление алюминия на подложку, фотолитографию и сухое травление пленки алюминия по созданной фотолитографией маске из фоторезиста;. 21производства и может быть лектронныхспользованоизации полу и устройст оро при формироводнировании металковых приборверхностных. на поолнах ( кустически В качестве мет ии полупро- изготовлени водниковых приборов длявстречно-штыревых электродразователей на поверхностньческих волнах в настоящеешироко используются пленки преоб- акусти- емя люминия,15 еского рисунка ествляется выеделенных учафотолитограо авл ение п 20дставляет для полу- бенно при вестных метсуществуеттем, что пода покрыта н нок. Получение топологив пленке алюминия осущтравливанием в ней опстков, сформированныхфией.Наибольшую проблемтравление пленок алюмчения мелкого рисунказначительных толщинах евое и плазмохимическое ерспективнее. других из" дов травления. Однако граничение, вызванное ерхность алюминия всегстественным слоем окиси834805 120 50 Формула изобретения Окись алюминия имеет коэффициенты травления и распыления на .поря" док ниже, чем у алюминия. Наличие труднорастворимой окисной пленки вызывает необходимость использовать для маскирования толстые слои фоторезиста, на которых невозможно точно получать малые размеры элементов рисунка при фотолитографии, так как вносятся ограничения по разрешающей способности.Разница в скоростях травления делает процесс неравномерным, что снижает качество травления. Кроме того, наличие окисной пленки значительно удлиняет время травления, т.е. делает процесс менее производительным.Цель изобретения - повышение разрешающей способности процесса и снижение его трудоемкости,Поставленная цель достигается тем,что в способе получения рисунка напленке алюминия, включающем вакуумное напыление алюминия на подложку,фотолитографию и сухое травлениепленки, после вакуумного напыленияалюминия на его поверхность наносятв одном технологическом цикле защитный слой металла с коэффициентомраспыления более высоким, чем у алюминия, например, железо. Достижение поставленной цели становится возможным в результате того, что напыление защитного металла на поверхность алюминия в одном технологическом цикле, т.е. в вакууме, защищает алюминий от окисления, а то, что коэффициент распыления металла защитного слоя выше, чем у алюминия, повышает производительность 4 ри дальнейшем травлении, позволяет использовать тонкие слои фоторезиста при фотолитографии, т.е. повысйть разрешение, а также делает процесс травления более равномерным.е П р и м е р. В одном технологическом цикле на установке термического испарения производят напыление слоя алюминия толщиной 0,25 мк ио защитного слоя железа толщиной 75 А на партию из 20 пластин, Затем наносят слой фоторезиста, устойчивого к ионному травлению (ФП), толщиной 0,7 мкм и проводят ионно-лучевое травление в режимеУскоряющее напряжение, кВ 3 Рабочее давле ние А, торр 2 10Ток пучка ионов,мА5 Скорость травления, нм/с 0,6Уход размеров элементов относительно заданных фотошаблонов составляет 0,2 мкм. После травления на по 10 верхности остается слой фоторезиста 0,25 мкм, структуры под ним неповреждены.В результате получен качественныйрисунок на пленке алюминия с разме 15 рами элементов 1,2+0,2 мкм на всейпартии.Дпя сравнения в таких же условияхпроводят ионно-лучевое травление пленки алюминия без защитного слоя метал 20 ла,Скорость травления составляет вэтом случае 0,5 нм/с.Уход размеров элементов относительно фотошаблона составляет 0,6 мкм.25 В результате травления получаютрисунок на пленке алюминия сразмерами элементов 1,6+0,2 мкм, кроме того, на поверхности совсем неостается фоторезиста (0,1 мкм), чтоприводит к повышению дефектности и разрушению структур. Таким образом, использование предлагаемого изобретения по сравнениюс известными способами позволяетполучить качественный рисунок с незначительным уходом размеров, повысить разрешающую способность процесса (получают элементы с минимальными размерами - 1,1 мкм вместо 1,6 мкмпо известному способу); повысить производительность процесса примернона 203.При необходимости врзможно удаление фоторезиста в одном технологическом цикле с последующим стравливанием защитной пленки. Способ получения рисунка на пленкеалюминия, включающий вакуумное на;55пыление алюминия на подложку, фотолитографию и сухое травление пленки, о т л и ч а ю щ и й с я тем,что, с целью повышения разрешающей способности процесса и сниже834805 ния его трудоемкости, после вакуумногонапыления алюминия на его поверхность наносят в одном технологическом цикле защитный слой металлас коэффициентом распыления болеевысоким, чем у алюминия, например,железо,Ь Источники информации,принятые во внимание при экспертизе 1."Ьо 11 д 5 йайе йесбпо 1 оду". 1978, В 4, ч. 21. р. 117-121. 2. Патент Японии У 52-93640,кл, С 23 Г 1/00, опублик. 06.08.77Заказ 4114 81 Тираж 784 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5 Филиал ППППатент , г. Ужгород, ул. Проектная, 4