Способ переноса заряда

Н СССР Г Г Тепегцн Г Г Тепегин овы физинц М Науна,ипзЬэг Рр )З"(зобретен 1 е относитсч н 141 ч 1 р 1 чентронине и ччэ нет бьчты 11 по 1 чьзовано дпч преэбраэов,энцч световын с 1 гнапов в чзрчдовые панеты, а тз 1 не дпч раненцч 11 н,правленной передачи 1 нфоргчацю представпенной эрч 401 ы 14 ч панетаг 11 чДпч управпенцч прчбораг гц с эарчдопой Р;вчзью (ПЗС) Рчсп 1 пьа//ютсч обыно пернчодцчесн це поспедоватепьностц та 1 товы ы импупьсов напрч/ненцч цмеющц гин;рониэцрованную временную дцаграмму Основным способом фун ционцрованич танц ПЗС чвпчетсч передача по апиэованного зарчда путем цэмененич:эпентрцчес 1 и потенццапов на управпчющц эпентродарешети фоточувс 1 вцтепьны эпе че 11 тов ПЗС(,(эвестен тан 1 Р способ упрзвпенцч перенэсогч аарчда пр 1 ч второ ч дчен ретные фотодече торы реш/ т 1, иеют Р 1 нгггьо 11 етапп 1.1 чесни эпе 1 тродов с по сш 1:ю 1 оторы Опп 11=гэч и 1 фо) ",1 ич траОфоргач("1 1),).твоЩВ // о б(57) Испопьэованце в минроэпентронине дпч преобраэованич световы сигналов в ЗОРЧДОВЫЕ ПаНЕтЫ а та 4 Е ДПЧ н РаНЕНЦЧ И направпенной передачи информаццц, представпенной арчдовымц панетэми Сущность иаобретениэ дпч созданич вознчэ ности неэпен.тродного управпенич зарчдовьищ паетами бефцнсации попосы частот и ,дерн.ен накоппеннче и перенос зарчда осуществпчют с помощью пе 1/тромагнитного нчзпучен 11 ч, которое создает на повер:ности попупроводнина д 11 попь 14 ый спой в рез//Пьтате ре 1 онанснай фотоцонизацг 11 ч адгорбированнын частцц ровапась в эпентрцчесн це сигналы, пропорццонапьные интенсивности регистрируемого цнфранрэсного цзпученич В результате тенопопччесого воздечсгвнчч на базовый попупроводнин Овыч рчсг пи, нчспопьзуег 1 ыл .4 пч цэготовпенич фоточувствцтепьной решети прц приреппении н нечу системы эпе тродОв в негч Обраэуетгч мно.нество и 1 еющ периодичесий аран тер статцчеснц неоднородностей что приводит н неоднородносгчм процессов фото- и термогенерацци а та 4 езрактеристцн пе редачц носцтепей зарчда Эт 1 фаторы су щественно 1 эграннччнчв 1 от эффентцвно"ть регистрации изобра+ении посредством ПЗг прц Р 1 апысцгнапа и н 1 чз 1 и уровнч ОГВЕЩЕНН ОСТРБппее простТй способ ппанэрной ге нп погци 11 эготавпенцч ПЗС 11 чеет этоте недостатон обусповпенный напцчием перцодичес и с гатцчес инеоднородно1765582 Составитель Г ТелегинТе ред М Уоргентал 1 орректор П Герешц Редактор А Бер ааз 4379 Тирам, Подписное БН 17 ИПИ Государственногоомитета па изобретенияц оть рытичм при П НТ СС( Р 113035 Москва, 1-35, Раушс ап наб, 45 Производственно-издатепьс ии комбинат "Патент", г У . город, ул Гагарина01 сти Возбу+дение атомов натрия в состояние ЗР производится резонансным пазернымиэлу енцемсдпинойвопны Х =589 нм Электроны с ваэбу:кденны атомов натрия туннелируют в зону проводимости кремния, вблцзц поверхности которого вследствие этого абразуетсч дипапьный слой и працсадцт накаппенце носителей заряда При перемещении области резонансного абпученцч по монаспаю адсорГэированньг агамав натрия праискадит перенос заряда вблизи поверкнасти кремниевого образца па требуемой траектории и в требуемой последовательностии, регулируемыпосредством резонансны, облучателейПри изабраени энергетически уровней дпч упрощения не у аэаны возмо:кные сдвиги и ушцренич уровней атомов натрия, а та е изгибы зан кремния, поскольку ии, наличие не менчет аснавнога эффектароме того, возмущения уровней адчасгцц обычна велики в случае ик осаждения на повернасти металлов, тогда как при осаждении на папупроводникак возмущения уровней сравнительно невелики из-эа понигкенцч концентрации свободньгк электроновДлч сазданцч приемни а инфракрасного излучения ма+но внедрить в кремний примесь с уровнем Е, совпадающим с основным состоянием адчастиц Инфракрасное излучение переводит электроны из вапентной зоны на уровень примеси, откуда они туннепируюг в основное сОстОяние ада тома 35,атарое затем освобоэдаетсч резонансным излучением Попучаетсй дву ступенчатый переод через 35-ЗР в зону проводимости Такой перегд возможен и в сэмом полупроводниковом образце Од наа использование адсарбираванного моноспач позволяет осуществлять накоплениЕ и перенос зарчда с помощью резонансного излучения 15 Э о рмула изобретенияСпособ переноса заряда, заключающийся в перемещении покализованньг ззрчдовы к паетав вдоль поверкности палуправаднцковаго образца путем после- ГО довательного ланального изменения поверхностного потенциала, а т и и ч а ю щ и Й с я тег чга, с целью расширения диапазона частот переноса, дополнительно на поверкность полупроводникового образца наносят 25 манаслай адсорбированны частиц, а поапьное изменение поверхностного патен.циала осуществляют путем сканирования патер насти пучком электромагнитного излучения, частотаатарага равна частоте фо О тацонизации здсорбированннл частиц