Способ получения сульфата цинка или кадмия

Номер патента: 1723513

Опубликовано: 30.03.1992

Авторы: Болдырев, Нефедкин

МПК: G01N 27/48

Метки: органических, потоке, примесей, раствора, содержания, суммарного, электролита

...входом,устройство 17 10 (при повышенной кислотности раствора)выборки-хранения напряжения, выходной или "0", подается на О-вход О-триггера 11,усилитель 18 с цепями коррекции, Источник Триггер 11 запоминает О-расстояние по по 2 генерирует пилообразное напряжение с ложительному фронту сигнала с выхбОыхода. крутизной . = сопзт. Это напряжение по- триггера 1 в момент достижения Г на элек 15 троде 6 при наличии "1" на выходе триггерадается на прямой вход регулирующего уси срабатывает усилитель 12 мощности, колителя 3, на инвертирующий подается торый открывает клапан 13 капельницы ссигнал обратной связи с электрода 7.срав- раствором щелочи или кислоты, Раствор бунения датчика 4. Скорректированное напря- дет капать до тех пор,...

Номер патента: 384443

Опубликовано: 05.12.1977

Авторы: Вилутене, Матулис, Шармайтис

МПК: C23F 9/00

Метки: кадмия, пассивирующего, поверхность, приготовления, раствора, состав, цинка

...соединения используют соединение, выбранноеиэ группы, содержащей борную кислоту,борат магния и полибораты аммония,щелочного металла, бериллия и магния,В качестве солей азотной и сернойкислот используют соли аммония, щелочного метал.а, бериллия, магния,цинка и кадмия.Процесс пассивирования осуществля Оют следующим образом.Приготавливают пассивирующий состав тщательным смешением его компонентов до образования однообразноймассы. Затем )0-120 г полученной массы растворяют в 1 л воды, добавляютгндроокись натрия или серную кислотудо установления рН, равного 1,1-2,5.Изделия с цинковой или кадмиевой поверхностью обрабатывают пассивнрующиМ 6раствором при 15-35 фС в течение 1090 с. Наносить пассивирующий растворна поверхность обрабатываемых...

Номер патента: 1604829

Опубликовано: 07.11.1990

Авторы: Боровитова, Вербицкий, Витковская, Ковальков, Колесникова, Мироненко, Скрипник

МПК: C09K 11/54, C09K 11/64

Метки: активированного, алюминием, кадмия, катодолюминофора, медью, основе, сульфида, цинка

...люминофор имеет следующие характеристики: яркость 101%; седиментационный объем (Чей) 0,48 см /г;згидроемкость (Г) 27 мл/100 г, термостойкость 86%. П р и м е р ы 2 - 6. Аналогичны примеру 1, за исключением количества вводимой соли сернокислого цинка или алюминия, 1604829Результаты испытаний модифицированных образцов люминофоров приведены в таблице.Адгезионные свойства оценивают по времени экспонирования, необходимому для образования на экране кинескопа люминофорных полос шириной 250 мкм.Седиментационный объем и гидроемкость определяют по стандартным методикам.Как видно из представленных в таблице данных, количество ПАВ менее 0,1 мас.ф от соли металла не обеспечивает обработанно, му люминофору по сравнению с известным улучшение...

Номер патента: 120029

Опубликовано: 01.01.1959

Авторы: Божевольнов, Дзиомко, Серебрякова

МПК: G01N 21/75

Метки: кадмия, количественного, цинка

...5: 2 - 0,01 уХп(СЙ)/5 мл испытуемого раствора, что соответствует предельному разбавлению 1: 100 000 000.120029 В интервале рН 8,0 - 8,3 и количестве Уп(С 11) 0,5/5 мл раствора тысяче- кратный избыток следующих ионов (500 у/5 мл) не приводит к гашению флуоресценции их комплексов: Ма, К, ТЬ, Сз, Сг, Р 11, Ва, Яг, 3 Ь+1 е, 11, Се, Ид, Ад. Не приводят к гашению флуоресценции при количествах 50 у/5 мл: Ве, Мо, Мд, КЬ, Ки, Бе, РЬ. При содержании посторонних катионов в количестве 5 у/5 мл приводят к гашению флуоресценции только Со, %, Те.Равные с цинком количества посторонних катионов определению не мешают. Проведению определения не препятствует присутствие даже значительных количеств алюминия, например,в присутствии алюминия в количестве 500...

Номер патента: 681626

Опубликовано: 25.08.1979

Авторы: Вербицкий, Носачев, Силин, Сысоев

МПК: B01J 17/06

Метки: выращивания, кадмия, монокристаллов, халькогенидов, цинка

...(макропоры), а в крупных образцах (длиной более 20 мм) возможны концентрационные выпады примесей падлине.Целью изобретения является улучшение оптического качества монокристаллав5 за счет уменьшения количества и размероепор,Поставленная цель достигается тем, чтаплавление сырья ведут под давлением инертного.газа 10 - 20 атм, а перед кристаллиза 10 цией снижают давление,да величины,соответствующей упругости пара халькогенида в интервале температур Ткр -(Ткр+50 ОС), где Ткр - температуракристаллизации.15 П р и м е р 1. Выращивание монокристаллов сульфида кадмия (СбЗ),Тигель с навеской порошкообразногоСбЯ (500 г) помещают в кристаллизацианную камеру компрессионной печи. Систему20 вакуумируют до давления 10 мм рт.ст. Камеру нагревают до 700 С;...