Элемент памяти

(56) Бобек Э. и Деллские магнитные доме ехническии инстит Торре. Цилиндричеы, МЭнергия, 1977,2.ам же, с, 165-167. ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМПРИ ГКНТ СССР ПИСАНИЕ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬ Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при создании энергозависимых магнитных запоминающих устройств с произвольной выборкой на цилиндрических магнитных доменах (ЦМД),Цель изобретения -оперативное считывание хранимой информации.На фиг, 1 представлена топология предлагаемого запоминающего элемента; на фиг, 2 - тонкая магнитная пленка,Предлагаемый запоминающий элемент содержит тонкую магнитную пленку 1, восьмиобразную магнитостатическую ловушку 2, цилиндрический магнитный домен 3, координатные шины 4 и 5 записи, полупроводниковую пластину 6, исток 7, первую 8 и вторую 9 пары полевых транзисторов, сток 10, затвор 11, омический контакт 12 первого транзистора первой пары, сток 13. затвор 14, омический контакт 15 второго транзистора первой пары, сток 16, затвор 17, омический контакт 18 первого транзистора второй пары, сток 19, затвор 20, омический контакт 21 второго транзистора второй па(54) ЭЛЕМЕНТ ПАМЯТИ(57) Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при создании энергонезависимых магнитных запоминающих устройств с произвольной выборкой на цилиндрических магнитныхдоменах (ЦМД), Цель изобретения - оперативное считывание хранимой информации. Элемент памяти содержит тонкую магнитную пленку, восьмиобразную магнитостатическую ловушку, ЦМД, координатные шины записи, полупроводниковую пластину, две, пары полевых транзисторов, входы и выходы элемента. 2 ил. ры, первый информационный выход 22, второй информационный выход 23.Запоминающий элемент работает следующим образомПредположим, что в полевых транзисторах элемента памяти носителями заряда в канал х являются электроны и что на полупроводниковую пластину не действует магнитное поле. Тогда при подаче положительного относительно истока напряжения на стоки транзисторов установятся для идеально симметричной структуры одинаковые токи в выходных цепях 22 и 23, Причем поскольку омические контакты расположены симметрично относительно контактов, разность потенциалов между ними равна нулю. Напряжение между затворами и истоком определяется падением напряжения под действием тока стока на участке между омическим контактом и истоком. Равенство токов не нарушится и при действии постоянного магнитного поля, поскольку наблюдаемая разность стоковых токов одной пары транзисторов компенсируется разностью токов в другой паре транзисто1624524 нитными доменами с расположенными на ней восьмиобразной магнитостатической ловушкой и двумя координатными шинами 5 10 15 20 25 30 35 40 записи, отличающийся тем,что,с целью оперативного считывания хранимой информации, на тонкую магнитную пленку нанесена полупроводниковая пластина, в которой над центром магнитостатической ловушки выполнен общий исток расположенных в пределах магнитостатической ловушки четырех полевых транзисторов, первая и вторая пара этих транзисторов расположены зеркально в симметрич относительно истока, сток первого транзисто- ра первой пары транзисторов расположен напротив стока первого транзистора второй пары транзисторов, оба стока расположены на одинаковом расстоянии от общего истока, соединены электрически и образуют первый информационный выход элемента памяти, сток второго транзистора первой пары транзисторов расположен напротив стока втооого транзистора второй пары транзисторов, оба стока расположены на одинаковом расстоянии от общего истока, соединены электрически и образуют второй информационный выход элемента памяти, первый и второй транзисторы каждой пары транзисторов расположены в непосредственной близости друг от друга, причем их встроенные каналы смыкаются, образуя общий канал, на боковых сторонах которого на равном расстоянии от истока симметрично относительно общего канала расположен первый и второй омические контакты, причем первый контакт первой пары соединен с вторым контактом второй пары, второй контакт первой пары транзисторов соединен с затвором первого транзистора первой пары и первого транзистора второй пары транзисторов, а первый контакт второй пары транзисторов соединен с затворами второго транзистора первой пары и второго транзистора второй пары транзисторов,.г д на вон ппениу агни Составитель В.Гордоноваедактор М.Келемеш Техред М,Моргентал Корректор Л.Б роизводственно-издательский комбинат "П нт", г. Ужгород, ул,Гагарина, 1 э 194 Тираж ПодписноеВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКН 113035, Москва, Ж, Раушская наб., 4/5