Способ отбраковки интегральных схем

СООЗ СОВЕТСНИХСОЦИАЛИСТИЧЕСКИХРЕСПУБЛИК 8015 96., А 5 со кз ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМПРИ ГКНТ СССР ОПИ ИЕ И ЕН РСКОМУ СВИ ЕЛЬСТВУ К-21 электро произво Цель из Бюл, У 4мет и В.А.Казинов 799 (088,8)25-83. Микросхемы инбщие технические усло тандартов, 1983013-83 (Метод - 500 г тегральные, методы ис стандартов, 1983,верности ковки инт тами до вляется к он начальном у ра ктеристи к ной микросх тем,что кон амперной ха лельно соед талле, мето через станд приведена в ыСХЕМ(57) Изобретени осится к микро Изобретение относитсяэлектронике, а именно кинтегральных схем.Цель изобретения - потоверности и уменьшениебраковки микросхем с деф к микророизводст ение дос мени отктами. Ф 4 О Р На фиг. 1 дана схема подключения интегральной схемы к измерителю вольтамперных характеристик; на фиг. 2- примеры подключения выводов интегральной схемы для полупроводниковых структур с различными типами проводимости; на фйг. 3 - примеры вольтамперных характеристик,Известно, что вольт-амперная характеристика прямо смещенного р-и- перехода нелинейна и имеет вид, приведенной на фиг. 3 (поз. 3).На фиг. 1 приняты следующие обоз" нацения: 1 - интегральная схема; 2ТБРАКОВКИ ИНТЕГРАЛЬНЫХ нике, а именно к контролю в дстве интегральных микросхем. обретения, - повышение достои уменьшение времени отбраегральных микросхем с дефек стигается тем, что осущесттроль величины тока на цастке вольт-амперной хаи р-п-перехоиов интегральемы при их прямом смещении и тролируются параметры вольт рактеристики многих паралиненных переходов на крис" дика объединения которых артные выводы микросхемыописании, 3 ил. измеритель вольт-амперных характеристик.1В процессе производства интегральных схем на полупроводниковую пластину, являющуюся основой для формирования структур интегральной схемы, могут попадать различные инородные примеси в виде частиц пыли или остатков химических элементов от предыдущих технологических операций, ведущие к возникновению дефектов. В этом случае вольт-амперная характеристика 4 р-и-переходов имеет на начальном своем участке линейный вид и характеризуется углом 5 наклона, величина которого прямо пропорциональна "загрязненности" р-и-переходов интегральной схемы посторонними примесями, Как правило токи утечки, обусловленные такой "загрязненностью , очень неве.- лики и требуют для их обнаруженияпроведения измерения на пределе чувствительности измерителя вольт-амперных характеристик (режим микротоков).В интегральной микросхеме, имеющей вольт-амперную характеристику 4, в лроцессе ее эксплуатации с течением времени под действием протекающего электрического тока идет процесс деградации структуры р-п-перехода, приводящий к увеличению токов утечки и, в конечном счете, к нарушению работоспособности интегральной схемы. При осуществлении способа для повышения чувствительности и достоверности контролируется вольт-амперная характеристика нескольких р-и- переходов, расположенных по всему кристаллу и соединенных параллельно.Для этого все выводы интегральной схемы необходимо включить по схеме, составленной с учетом следующих правил:каждый вывод интегральной схемы должен быть подключен к "+" или "-" измерителя вольт-амперной характеристики таким образом, чтобы р-и-переход полупроводниковой структуры, входящей. в состав интегральной схемы и соединенный с этим выводом, был смещен в прямом направлении;между "+" и "-" измерителя вольтамперной характеристики должно быть включено как можно большее количество прямо смещенных р-и-переходов полупроводниковых структур .интегральной схемы;между "+" и "-" измерителя вольтамперной характеристики не должны быть вкпючены структуры интегральной схемы, имеющие линейную вольт-ампер" ную характеристику (например, резисторные делители напряжения).После соединения выводов интегральной схемы снимают суммарную вольт-амперную характеристику эквивалентного двухполюсника, получившегося в результате соединения выводов.5При этом о наличии дефектов, в том числе обусловленных "загрязненностью" кристалла, следует судить по 1 сравнению с полученным для заведомо ,исправной и надежной микросхемы величиной тока на начальном участке вольт-амперной характеристики эквивалентного двухполюсника в прямом смещении, Превышение тока на начальном участке вольт-амперной характеристики над величиной эталонной микросхемы свидетельствует о ненадежности испытуемой микросхемы и является критерием отбраковки.формула изобретенияСпособ отбраковки интегральныхсхем, заключающийся в том, что выбирают пары выводов контролируемыхинтегральных схем, между которымисодержатся р-п-переходы, подают навыбранные пары выводов интегральноймикросхемы линейно-возрастающее напряжение и регистрируют заданный 30участок вольт-амперной характеристики, определяют величину информативного параметра, по которому проводятотбраковку дефектных интегральныхсхем, о т л и ч а ю щ и й с я тем,что, с целью повышения достовернос ти и уменьшения времени отбраковки,перед началом отбраковки объединяют 1все выбранные пары выводов,так, чтобы р-и-переходы интегральной схемыбыли включены параллельно, в качест ве заданного участка вольт-ампернойхарактеристики выбирают начальныйучасток вольт-амперной характеристики р-п-перехода, а в качестве информативного параметра выбирают величи ну тока утечки.Составитель В.СтепанкинТехред М.Ходвиич,; Корректор С.йекма Тираж 547комитета по,изобрМосква, Ж, Рау Подписноетениям и открытиям при ГКНТ ССС ская наб., д. (5