Способ определения рекомбинационных постоянных полупроводников

Номер патента: 146882

Авторы: Дубровский, Петрусевич, Субашиев

ZIP архив

Текст

Жв 14 б 882 Класс 211 11 о СССР ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИдсТЕЛЬСТВУ Подписная группа Л У/ В. А. Петрусевич, В. К. Субашиев и Г, Б ДубровскийСПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ РЕКОМБИНАЦИОННЫХПОСТОЯ Н НЫХ ПОЛ УПРОВОДН ИКОВ Заявлено 27 января 1960 г. за Ла 652341126 в Комитет ио делам изобретений и открытий при Совете 1 Чгпигетрон СССРОпубликовано в Бюллетене изобретений М 9 за 1962 г. г-, и:геег линейный характер, 3 По наклону прямой -1поверхносНог рекомбинации;1 находят величину скорос-.;.5, а по отрезкам. Отсекаемым нрм 1 Известные способы определения рекомбинационных постоянных полупроводниковых материалов по кривой спектрального распределения фоточувствительности требуют проведения громоздких вычислений и не дают возможности одновременно определить поверхностную рекомбинацию и диффузионную длину.Описываемый способ дает возможность существенно упростить проце"с и одновременно определить поверхностную рекомбинацню н диффузионную длину, которые находят чисто графическим путем по экспериментально снятым кривым спектрального распределения фоточувстви;ельности в области сильного поглощения. Для определения рекомби;1 ационных постоянных вентильных фотоэлементов измеряот спсктраль Ое распределение фототока короткого загыкагггя и грег 1)нгески находят значения рекомбинационных постоянных.Лля пояснения описываемого способа на чертеже приведены дпе кривыс спектрального распределения фоточувствительности, с - ятые 11 ля двух значений скорости поверхностной рекоггбинацтги.В области сильного поглощения зависимость относительной фот 1 ;гроводимости, т, е. Отношения фотогроводихОст 1 .-. к, чггслу квантов. надаОших на еди 11 ц повер хиос 11 11, прозодн 11 кового зг 1 тернала вЬ-.1 свк Уот величины, ооратной коэффицчгчту погасНенг) Кл/г, рй - 77, Ь,Л - к - по осям координа ОПРР ЛЕЛЯЮт ЛгнффУЗИОНдля толстых образцов ну".о длину 1, из формулы: 1,=77 7 77 г г"иили У. : , - -, -- для тонких образцов, где 67 777,; 77, и 77 р77,Ь, Ь,Ъ,- гЬоорре.ки, о зг каемыр прямой - - 7 1 - .-1 по Осям координат. а И -р,й, т,К еолшина образцаС цель 7 о определения рекомбинационных постоянных вентильных т 7 отоэ,р 7 ементов, плоскость р-л перехода которых параллельна освешаеМой ПОБЕРХНОСТН, ИЗМЕРЯ)ОТ С 77 ЕКТРаЛЪНОЕ РаСПРЕДЕЛЕНИЕ фототг;ьа КО; откого замыкания для двух значений 5, обрабатывая поверхность фо.Оэдсзгента гак, 7 гобы изменить 5, не меняя других параметров, и аналогичным путем графически находят рекомбинационные постоянные 7 нффуЗИОННуЮ длниу НЕОСНОВНЫХ НОСИтЕЛЕй В ВЕРХНЕМ СЛОЕ 1 И гЛу =пну залегания р - 7 г перехода р по формуламг.77 г Ь, 776,Предмет изобретения Ь. ния, Огносительная фотопроводимость, а К - коэффициент поглоще находят величину скорости поверхностной рекомбинации. а по7ОТРейзка и. Ог секаемым пРЯмОй / 7ПО ОсЯм кООРДин 01Л",и . йпределяют диффузионную длинуК2 Способ по и 1, отличающийся тем, что, с целью определения рекомбинационных постоянных вентильных фотоэлементов, измеряют спектральное распределение фототока короткого замыкания и графически находят значения рекомбинационных постоянных. 1 Способ Определения рекомбинационных постоянных полупроводников по кривой спектрального распределения фоточувствительности, о тл и ч а ю щ и й с я тем, что, с целью упрощения способа и одновре менного определения поверхностной рекомбинации и диффузионной длины, вычерчивают в относительных единицах экспериментально сня рыс кривые спектрального распределения фоточувствительности в об77 1 ,неги ионного ногинпении и пп ннкяону прямой, - 7 1 - 1,гнеяр146882Ггг гУСоставитель описания А. И. ХохловРедактор Н. С. Кутафина Техред 4. А. Камышникова Корректор Г. Мосолова Подп. к печ. 9.Хг. Формат бум. 70 Х 081 а Объем 0,26 изд. л Зак. 6055 Тираж 1 Цена 4 коп. ЦБТИ Комитета но делам изобретений и открытии при Совете Министров ГГГР Москва, Центр, М. Черкасский пер., д. 2/6. Типография БТИ Москва Петповка Я

Смотреть

Заявка

652341, 27.01.1960

Дубровский Г. Б, Петрусевич Б. А, Субашиев В. К

МПК / Метки

МПК: G01N 21/25

Метки: полупроводников, постоянных, рекомбинационных

Опубликовано: 01.01.1962

Код ссылки

<a href="https://patents.su/3-146882-sposob-opredeleniya-rekombinacionnykh-postoyannykh-poluprovodnikov.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ определения рекомбинационных постоянных полупроводников</a>

Похожие патенты