Способ электростатической записи изображения на диэлектрическую поверхность

Номер патента: 1254418

Опубликовано: 30.08.1986

Авторы: Кононенко, Макарычев, Сидаравичюс

МПК: G03G 13/00

Метки: диэлектрическим, записи, изображения, носителей, покрытием, скрытого, слоях, униполярных, фотопроводниковых, электростатического

...Ж"35, Раушская наб д, 4/5Производственно-полиграфическое предприятие, г.ужгород, ул.Проектная, 4 Изобретение относится к электрофотографии, в частности к копировальной технике,Цель изобретения - повышение качества скрытого изображения путем,увеличения потенциального контраста,П р и и е р, Для записи скрытогоэлектростатического изображения используют электрофотографический носитель (ЗН), в котором селеновыйслой толщиной 40 мкм с инжектирующим дырки подслоем кристаллическогоселена покрыт диэлектрической плен-кой толщиной 15 мкм. На указанныйЭН осаждают положительный заряд коронирующим зарядным устройством, накоторое подают напряжение 6 кВ, движущееся со скоростью 8 см/с. относительно заряжаемого ЭН, Далее ЭН экспонируют при освещенности...

Номер патента: 392444

Опубликовано: 01.01.1973

Автор: Автор

МПК: G03G 15/08

Метки: изображения, поверхности, проявления, цилиндрической, электростатического

...устройства.Устройство устанавливается в зоне проявления электростатического изображения у электрографического цилиндра 1 и состоит из гибкоо ковшового транспортера 2 с ковшамц 10 8 из магнитного материала, валиков 4, приводящих в движение транспортирующую ленту, магнитной системы б, корпуса устройства проявления б и устройства подпитки 7.Если ковши изготовлены из немагнитного 15 материала, на транспортер можно приклепатьпластинки из ферромагнитного материала.Проявитель из нижней части корпуса устройства ковшовым транспортером поднимается в верхнюю часть устройства, где произьо.20 дится подпитка, и свободно скатывается по поверхности носителя электростатического изображения. В некоторых устройствах для непрерывной ц равномерной подачи...

Номер патента: 506334

Опубликовано: 05.03.1976

Авторы: Алан, Джозеф, Роберт

МПК: G03G 13/10

Метки: изображения, поверхности, проявления, скрытого, электростатического, электрофотографической

...постояиной аремени и скоростью прояВления, состявляет Приблцзтельно От 2 Х 10 о до 10" Ол с.ц. Проявители могут содвпжять Один или несколько жидких носителей, красителей (пигмвнты и краски и диспе".Тирующие вещества). Кроме того, могут быть примвнвны различные апециальнье средства или реагвнты для Выполонения особых фунКций, напримвр добавки для регулирования вязкости или,добавки, которые участвуют в ф(Сировании пигмвнта на бух(аге.Жидкий проявитель с уделыным сопротивлением 1,5 Х 10 о о с и диэлвктрической постоянной 3,20 может состоять из следующцх составляющих: 30 ч, легкого минерального масла (Рга 1(ео 9); 15 ч.Вязкость, в озою очврвдь, зависит от пиг мента, содержащегося в .носителе. При постоянНой концентрации дисперсии...

Номер патента: 849535

Опубликовано: 23.07.1981

Авторы: Могильницкий, Телевной, Чяпас

МПК: H04N 1/30

Метки: записи, изображений, теле-визионных, электростатической

...в,иуль второй счетчик 4, открывает первый выход коммутатора-распределителя 8 и запускает тактовыйгенератор 2 на время длительностистроки, который формирует пачку импульсов, равную количеству элементовизображения в строке. Первый импульс 15тактового генератора 2 нередким фронтом прибавляет единицу к содержимомувторого счетчика 4, которое становится равным одному и поступает на первый вход элемента И 6. Так.как значения счетчиков 3 и 4 равны, блок 5выдает разрешающий сигнал на второйвход элемента И 6, поэтому первыйимпульс тактового генератора 2 поступает на синхронизирующий вход 25триггера 7 и записывает "1" или "0"в зависимости от ИНС на другом входетриггера 7. С триггера 7 информациячерез коммутатор-распределитель 8поступает на...

Номер патента: 1228003

Опубликовано: 30.04.1986

Авторы: Ермолаев, Руднев

МПК: G01N 27/92

Метки: диэлектрических, исследования, образцов, поверхности, полупроводниковых

...обращен к положительной обкладке конденсатора 1.Способ осуществляют следующимобразом,Поверхность пластинки полупроводникового кристалла тщательно очищаютот пыли, жировых пятен и подвергаютполирующему химическому травлению 5 10 15 20 25 30(для арсенида галлия, например, используют свежий травитель состава Н О : Н О ; Н БО в соотношении 1 г 21 : 18) в течение 2-3 мин. На протравленную поверхность наносят раствор нитроцеллюлозового клея (1-2 капгли на 2-2,5 см поверхности) полимеризуют до образования прозрачной тонкой твердой пленки, помещают в поле плоского конденсатора (сторона с нитропленкой обращена к положительной обкладке конденсатора) при напряженности поля 3000-3500 В/см и прилагают усилие изгибания величиной 25- 50 г/мм , Образец...