Схема дифференциального усилителя

ОП ИСАНИЕИЗОБРЕТЕНИЯК АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союз СоветсиыкСоцывлыстыческыиРеспублик и 1919047(31)ЧРНОЗГЛ 00695 (831 ГДРОпубликоваио 07.0 ч,82.Бюллетень 13 Ваударстюиый ивиитет ь. ССР аа деии им 1 ретеиий и втирытий(53) УДК 621,375, .024(088.8) Дата опубликования опнсанив 07.01.82 ИностранецГанс-Юрген Преуше (ГДР)(72) Автор изобретения Иностранное предприятие(71) Заявитель 15) СХЕМА ДИФФЕРЕНЦИАЛЬНОГО УСИЛИТЕЛЯ Изобретение касается схемы диффе. ренциального усилителя, используемой в области электроники в качестве дифФеренциального усилителя или компараторд,Известная схема дифференциального усилителя, содержащая экспандор-схемы, выполненные на транзисторах и мноэмиттерных транзисторах, требует два питающих напряжения.Цель изобретения - создание диф 10 Ференциального усилителя, требующего одно питающее напряжение.Поставленная цель достигается путем соединения одного или несколь ких эмиттеров многоэмиттерного тран 1 З зистора первой экспандор-схемы соответственно с одним или несколькими эмиттерами многоэмиттерного транзистора второй экспандор-схемы и подключения к коллектору транзистораЮ первой экспандор-схемы.На чертеже показана схема дифференциального усилителя; реализован ная на экспандор-схемах с четырьмя входами.Экспандор-схема содержит транзисторы 1 и 2,многоэмиттерные транзисторы 3 и 1 и резисторы 5 и 6, причем резисторы 5 и 6 соединены с выводом источника 7 питающего напряжения и с базами многоэмиттерных транзисторов 3 и 4, коллекторы которых связаны с базами транзисторов 1 и 2.Один или несколько эмиттеров 9 и 11 одного многоэмиттерного транзистора 3 соединены соответственно с одним или несколькими эмиттерами 10 и 12 другого многоэмиттерного транзистора ч, Точка их соединения связана с коллектором первого транзистора 1, а клемма 8, соединенная с коллектором второго транзистора 2, является выходом.На клеммы 13 и 1 ч подается напряжение управления для эмиттеров тран. зисторов 1 и 2. Предположим, чунапряжение управления на клемме 13 для эмиттера первого транзистора более отрицательно, чем напряжение управления на второй клемме 4. От положительной клеммы источника 7 пи-тающего напряжения течет ток через резистор 5 и через проводящий переход коллектор-база (диод) многоэмиттерного транзистора 3 в базу первого транзистора 1, а это делает его пе О реход коллектор-эмиттер проводимым,Таким образом, ток течет теперь через проводящий база - эмиттер-переход (эмиттер 9 ) многоэмиттерного транзистора 3, при этом образуется одинаковое напряжение на коллекторе транзистора 1, на эмиттере 9 и на базе транзистора 1, На втором многоэмиттерном транзисторе 4 имеются такие же соотношения, причем подведенный через резистор 6 в базу ток тоже течет через коллектор первого транзистора 1, При этом образуется одина-, ковое напряжение на базах второго 2 и первого 1 транзисторов. Второй у транзистор все-таки заперт из-за раз ности входного напряжения на клеммах 13 и 14,С уменьшением разности напря жения во втором транзисторе 2 начинает течь базовый ток и увеличенный на коэффициент усиления по току коллекторный ток, При одинаковых напряжениях управления на клеммах 13 и 4 коллекторные токи в обоих транзисторах 1 и 2 тоже одинаковы.Коллекторный ток второго транзистора нарастает дальше, если. напряжение управления на клемме 13 больше чем на клемме 14. Благодаря расположению обоих транизисторов 1 и 2 на одной полупроводниковой пластинке происходит одновременное нагревание обоих так, что получается компенсация температурных влияний. Неиспользованные выводы эмиттера 11 и 12 можно применять в качестве считывающихвходов, причем через эмиттер 11 первого многоэмиттерного транзистора 3можно открыть второй транзистор 2,а через эмиттер 12 второго многоэмиттерного транзистора 4, полностьюзакрыть,В предлагаемой схеме дифференциального усилителя применяются уже имеющиеся логические схемы и она работает только с одним питающим напряжением, причем достаточно рабочее напряжение, обычно применяемое для схем с транзисторно-транзисторной логикой, Кроме того, схема быстродействующая,формула изобретенияСхема дифференциального усилителя, содержащая первую и вторую экспандорсхемы, выполненные каждая на транзисторе, многоэмиттерном транзисторе и резисторе, один вывод которого соединен с источником питания, другой вывод - с базой многоэмиттерного транзистора, коллектор которого соединен с базой транзистора, при этом эмиттеры транзисторов и многоэмиттерных транзисторов являются входами, а коллектор транзистора второй экспандор-схемы является выходом, о тл и ч а ю щ а я с я тем, что один или несколько эмиттеров многоэмиттерного транзистора первой экспандор-схе" мы соединены соответственно с одним или несколькими эмиттерами многоэмиттерного транзистора второй экспандорсхемы и подключены к коллектору транзистора первой экспандорсМемы919047Составитель Н.Дубровская Редактор Л.Пчелинская Техред Т.Иатоцка Корректор Н,Стец Заказ 2159/37 Тираж 954. Подписное ВНИИПИ Государственного комитета СССРпо делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская наб. д. 4/5 Филиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул. Проектная, 4