Постоянное запоминающее устройство

130 20 25 30 35 40 Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано припостроении электрически программируемых запоминающих устройств (ПЗУ),Целью изобретения, является повышение надежности устройства,На чертеже приведена схема предлагаемого устройства.Устройство содержит матричный накопитель 1, состоящий из словарныхшин (СШ) и разрядных шин (РШ), в местах пересечений которых расположенызапоминающие ячейки, состоящие изи-р-и транзисторов плавких перемычек,дешифратор 2 слов, состоящий из элементов И, построенных на диодныхсборках 3 и 4 и резисторах 5, и формирователей импульсов выборки строки,построенных на тиристорах 6, адресные формирователи 7, дешифратор 8разрядов, селектор 9, выходные усилители 10, формирователь 11 напряженияконтроля, состоящий из и-р-и транзисторов 12, трех диодов 13-15 р-и-ртранзисторов 16 и двух резисторов 17и 18, вход 19 и выход 20 контроля,Формирователь 21 запрета выборки.Устройство работает следующим образом.Для измерения токов утечки матрицына ПЗУ подают напряжение питания режима программирования, при этом всеразрядные шины отключаются от остальной части ПЗУ и ток не долженпротекать ни через какую-либо плавкую перемычку накопителя 1. При подаче на входы адресных формирователей 7 адресного коца, соответствую.щего словарной шине, которая соединена с выходом 20 контроля, на выбранной словарной шине установится уровень напряжения Ч, На невыбранныхсловарных шинах присутствует низкийпотенциал, так как хотя бы один диодиз диодных сборок 4 подключен своимкатодом к одному из выходов адресныхФормирователей, находящемуся в состоянии логического "0",При подаче на вход 19 контроля от внешнего формирователя напряжения разрешающего уровня напряжения включается транзистор 12 и на входе формирователя выборки словарной шины устанавливается низкий потенциал, определяемый цепью смещения из диодов 13-15 и р-и-р транзистора 16. При подаче на контролируемую контактную площадку от внешнего формирователя 5775 2напряжения уровня напряжения Ч, равного напряжению на выбранной словарной шине, в режиме программированиявсе переходы база - эмиттер транзис торов, подключенных к невыбраннымсловарным шинам, находятся под обратным смещением, а тиристор 6 дешифратора слов 2 оказывается выключенным, так как потенциал на его базе,определяемый формирователем 11 напряжения контроля ниже потенциала накатоде тиристора 6, определяемогоуровнем напряжения внешнего формирователя напряжения. В результате, если есть утечка одного из переходовбаза - эмиттер транзисторов накопителя 1, то он легко может быть измеренподключением измерительного прибора между выходом 20 контроля и внешним формирователем напряжения У, Диоды13-15, р-и-р транзистор 16 определяют уровень напряжения, вырабатываемый формирователем 11 напряженияконтроля. Этот уровень должен быть,с одной стороны, достаточно низким,чтобы напряжение между базой и катодом тиристора 6 было меньше гранич"ного напряжения включения база - эмиттерного перехода тиристора 6, а сдругой стороны, достаточно высоким,чтобы предотвратить пробой в цепи:внешний формирователь напряжения,подключенный к выходу 20 контроля,словарная шина - обратно смещенныйпереход база - эмиттер тиристора 6 -Формирователь 11 опорного напряжения,С этой целью и включена в коллектор транзистора 12 цепь смещения,сос"тоящая из диодов 13-15 и р-и-р транзистора 16,Формула изобретения Постоянное запоминающее устройство, содержащее матричный накопитель, дешифратор слов, который состоит из элементов И и формирователей выборки, входы которых соединены с выходами соответствующих элементов И, а выходы соединены со словарными шинами матричного накопителя, дешифратор разрядов, селектор, адресные Формирователи, входы которых являются адресными входами устройства, а выходы соединены с соответствующими входами соответствующих элементов И дешифратора слов и с входами дешифратора разрядов, выходы которого1305/5 Составитель С.Королеведактор И.Шулла Техред В.Кадар ректор М.Лемчи ака одписн итета Сткрытиинаб 4/5 ород, ул. Проектная,.Производствен полиграфическое предприятие,соединены с управляющими входами селектора, информационные входы которого соединены с разрядными шинамиматричного накопителя, усилителисчитывания, входы которых соединены 5с выходами селектора, а выходы являются информационными выходами устройства, формирователь запрета выборки,вход которого является управляющимвходом устройства, а выход соединен 460/51 Тираж 590ВНИИПИ Государственного кпо делам изобретений и 113035, Москва, Ж, Раушск с управляющими входами усилителейсчитывания, о т л и ч а ю щ е е с ятем, что, с целью повышения надежности устройства, в него введен формирователь напряжения контроля, входкоторого является входом контроляустройства, а выход соединен с входом одного из формирователей выборки,выход которого является выходом контроля устройства,