Раствор для обработки резистивных материалов

ржаннико 56) Попилов Л. Я.а Т. В. Химические рактирозлектрохимиия поверхносв судострое 1974, с, 52 еские способы травлей деталей и изделийии. Обзор, ЦНИИ "Рум3 генное поа - Ж 1, о тличчто в качестве 54) (5 я т РЕЗИС ствен лито СУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССРО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛ) 1. РАСТВОР ДЛЯ ОБРАБОТКИ ВНЫХ МАТЕРИАЛОВ, преимущедля удаления продуктов фотофической обработки, содержащии кислоту и и ловыи спирт, отличающ я тем, что, с целью повышен ктивности и сохранения высокого качества поверх ности, он в качестве кислоты содержит щавелевую кислоту и дополнитель но - неионогенное поверхностно-акти ное вещество и воду при следующем соотношении компонентов, г/л:1 Цавелевая кислота 80-150 Изопропиловыйспирт 5-50 Неионо вер -оверхностно-активного вещества исользуют ПАВ на основе алкилсульфаов общей формулы КМа.12 Изобретение относится к химической обработке резистивных материалов, в частности для удаления продуктов фотолитографической обработки с резистивных схем и может быть использовано в радиоэлектронной промьппленности.Целью изобретения является повышение эффективности и сохранение высокого качества поверхности.Изобретение может быть проиллюстрировано следующими примерами. Раст. вор готовят последовательным растворением компонентов в воде. Цвет полу.ченного раствора. - прозрачный. Применение в растворе щавелевой кислоты не эатравливает резисторы, переводя неорганическиее продукты фотолитог рафической обработки в растворимое состояние. Изопропиловый спирт иПАВ "Прогресс" способствуют растворению иуцалению веществ органического происхождения еП р и м е р 1. Для удаления "налета" продуктов фотолитографической обработки берут раствор, содержащий компоненты в следукнцих соотношениях, г/л:Кислота щавелевая 80Иэопропиловыйспирт 5Средство "Прогресс" 2В полученный раствор погружают готовые резистивные схемы. Длительность удаления продуктов фотолитографической обработки в таком растворе составляет 30 с. для тонкопленочных реэистивных схем и 8 мин дляофольговых при 18-25 С. Затем схемы промывают горячей, холодной дистиллированной водой и сушат при 110-140 С.Определение полноты снятия "налета" осуществляется визуально под микроскопом МБС, исчезает белесый пятнистый "налет", обнажается блестящая поверхность резисторов. При повторном прогреве "налет" не появляется,П р и м е р 2. Готовят раствор со следующим содержанием ингредиентов, г/л:Кислота щавелевая 115Изопропиловый спирт 27,5Средство "Прогресс" 3,5Длительность снятия продуктов фотолитографической обработки с тонкопленочных резисторов составляет 49071220 с, с фольговых - 5 мин при 1825 С.П р и м е р 3. Готовят раствор,содержащий компоненты в следующей5 концентрации, г/л:Кислота щавелевая 150Изопропиловый спирт 50Средство "Прогресс" 5Длительность снятия продуктов1 О фотолитографической обработки с тонкопленочных резисторов составляет7 с, с фольговых - 3 мин при 1825 С.При уменьшении содержания щаве 15 левой кислоты менее 80 г/л эффективность удаления продуктов фотолитографической обработки уменьшается,так как концентрация ее недостаточна для перевода всех нерастворимых,преимушественно неорганических продуктов, в растворимые.При повышении концентрации щавелевой кислоты более 150 г/л начинается перенасыщение раствора с выпадением твердого кристаллического осадка. При концентрации изопропиловогоспирта менее 5 г/л эффективностьудаления преимущественно органических продуктов фотолитографическойЗО обработки резко уменьшается, более50 г/л - остается на одном и том жеуровне,Замер номиналов всех испытуемыхрезисторов ампервольтметром Р 386 до35 обработки в растворах (класс точности прибора 0,1-0,047),Обработка подложек с налетом продуктов фотолитографической обработки.Обработке подвергают подложки с4 О напыленными тонкопленочными резисторами из нихрома, РСи фольговыерезисторы с реэистивным слоем нихрома в кассетах по 10 штук при 20 С. 45 Сравнительные результаты удаленияв известном и предлагаемом растворахпродуктов фотолитографической обработки с готовых фольговых и тонкопленочных резистивных схем (по 50 шт.)в известном и предлагаемом растворахпредставлены в таблице.В качестве ПАВ может быть использовано ПАВ на основе алкилсульфатовобщей формулы В.-80 Ба, где К - ради 55 калы алкильный (СН) или арильный3 1 спектром действия, например "Альфия" "Ладч" ФРежим обработки Результаты обработки в растворе Составы. Температура 20 С, Время выдержки для тонкопленочных резисторов 20 с,для фольговых 3 мин Наблюдалось увеличение номинала тонкоИзвестный раст. -вор, г/л: Кислота соляная(уд. вес 1,19)700 .Изопропиловыйспирт 300 Температура20 С. Предлагаемый раствор, г/л; На тонкопленочных ифольговых резисторахпродукты фотолитографической обрабо 7 ки снялись полностью безизменения их номинала. Время выдержкидлятонкопленочных резисторов 20 с, для фольговых 3 мнн Кислота щавелевая 115Изопропиловый спирт 27,5 ПАВ "Прогресс" 3,5 Составитель В, ОлейниченкоТехред В.Кадар Корректор М. Демчик Редактор П. Коссей Заказ 4201/27 Тираж 878 ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская наб., д, 4/5Подписное Производственно-полиграфическое предприятие, г. Ужгород, ул. Проектная, 4 Могут быть использованы ПАВ с высокой растворимостью в воде, которые после эффекта удаления продуктов фотолитографической обработки, в свою очередь, бесследно и легко удаляются промывкой, не действуют на номинал резисторов и совместимы с щавелевой кислотой и нзопропиловым спиртом. 249071 4Таким образом, предлагаемый раствор прост в приготовлении,леко регенерируем простым фильтрованием, нетребует сложного оборудования и имеет следующие преимущества по сравнению с известным: повышается эффективность снятия продуктов фотолитографической обработкибез измененияноми -нала резисторов, процесс можновести 1 О групповым методом,повьппается надежность резистивныхсхем засчет исключениявозможности сухого травления резисторов. пленочных резисторовв 2-3 раза. После про-)мывки и сушки остается "налет" продуктовфотолитографическойобработки. Номиналфольговых резисторовувеличивается в 1,52 раза.После промывки и сушки остается налетпродуктов фотолитографической обработки.