Смеситель

СОЮЗ СОВЕТСНИХСОЦИАЛИСТИЧЕСНИХРЕСПУБЛИН ЯО 122495850 4 Н 03 .в 7/12 ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯническии ончаренко ин Л,М. Радиониковых при - М.; Связь,тво СССР12, 1979,(54) СМЕСИТЕЛЬ (51) Изобретение отн технике и может быть преобразователях час ных и других радиоте сится к радиоиспользовано воты радиоприемнических устОСУДАРСТ 8 ЕННЫЙ НОМИТЕТ СССР О ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТНРЫТИ К АВТОРСКОМ,Ф СВИДЕТЕЛЬСТВ(56) Калихман С.Г. и Левприемники на полупроводборах, теория и расчет.1979 с. 189.Авторское свидетельсУ 657583, кл, Н 03 0 7/ ройств. Увеличивается подавление сигнала гетеродина и коэффициент преобразования, Устройство содержит транзисторы (Т) 1-4, резисторы 5 и 11,конденсаторы 6 и 8, резистивные делители напряжения 7 и 13, источник питания 9 и входной трансформатор (ВТ)10. Входной сигнал с контура, образованного первичной обмоткой ВТ 10,последовательно усиливается Т 3, выполняющим функцию предварительногокаскада усиления сигнальной частоты,затем Т 1, выполняющим функцию смесителя частот сигнала и гетеродина, иТ 2, выполняющим Функцию усилителяпромежуточной частоты, причем Т 1 иТ 2 работают на преобразованной частоте, Цель достигается введениемВТ 10. 1 ил,10 15 25 40 45 50 55 Изобретение относится к радиотехнике и может быть использовано в преобразователях частоты радиоприемных и других радиотехнических устройствах.Цель изобретения - увеличение подавления сигнала гетеродина и коэффи. циента преобразования.На чертеже приведена электричес" кая принципиальная схема предложенного смесителя.Смеситель содержит первый 1, второй 2, третий 3 и четвертый 4 транзисторы, первый резистор 5, первый конденсатор б, резистивный делитель 7 напряжения, второй конденсатор 8 источник 9 питания, входной трансформатор 10, второй резистор 11, нагрузку 12, третий и четвертый резисторы, образующие резистивный делител:ь 13 напряжения.Смеситель работает следующим образом.Входной сигнал с контура, образованного первичной обмоткой входного трансформатора 10, через вторичную обмотку и второй конденсатор 8 прикладывается между базой и эмиттером третьего транзистора 3, который образует предварительный каскад усиления входного напряжения с частотой сигнала, Усиленный сигнал снимается с участка коллектор - эмиттер транзистора 3 и через последовательно соединенные первый 6 и второй 8 конденсаторы подается между базой и эмиттером первого транзистора 1. Таким образом, предварительный каскад усиления сигнальной частоты на транзисторе 3 является каскадом с разделенной нагрузкой, причем общим зажимом между входом и выходом является эмиттер транзистора 3, поэтому он обра-. зует схему с общим эмиттером (ОЭ). Резистор 5 является эмиттерной нагрузкой третьего транзистора 3, а резистивный делитель 7 напряжения служит для установки его режима по постоянному току.1 Первый транзистор 1 выполняет функцию смесителя частот сигнала и гетеродина, причем для входного напряжения с частотой. сигнала он включен по схеме с ОЭ. Это объясняется тем, что входной сигнал подается между эмиттером и базой транзистора 1, а преобразованный сигнал снимается с его эмиттера, т.е. общим электродом между входом и выходом является эмит. тер транзистора 1.Сигнал гетеродина через разделительный конденсатор 14 подается на базу транзистора 4, имеюшего другую структуру по отношению к транзистору 1, и включенного в коллекторную цепь транзистора 1. Таким образом, транзистор 4 выполняет роль динамической нагрузки, установленной в коллекторной цепи транзистора 1, причем сопротивление этой нагрузки изменяется с частотой гетеродина 1, , Пригет минимальном сопротивлении динамической нагрузки, соответствующей отрицательной полуволне гетеродинного сигнала, коэффициент усиления первого транзистора 1 максимален, а при максимальном сопротивлении динамической нагрузки, соответствующей положительной полуволне гетеродинного сигнала, коэффициент усиления минимален, так как часть усиленного сигнала выделяется на динамической нагрузке, а на выходе, т.е. на эмиттере первого транзистора 1, усиленный сигнал уменьшается. Таким образом, коэффициент передачи первого транзистора 1 для входного сигнала изменяется с частотой гетеродина 1 ет, т.е, транзистор 1 выполняет функцию смесителя частот, в результате чего на его выходе образуются сигналы комбинационных частот, в том числе промежуточной частоты 1сет +си Следует подчеркнуть, что амплитуда гетеродинного напряжения подбирается таким образом, чтобы изменение динамического сопротивления дополнительного транзистора 4 не приводило к . насыщению транзистора 1 и к изменению режимов по току транзисторов 1-3. В этом случае просачивание сигнала гетеродина в цепь базы и эмиттера транзистора 1 определяется только величиной внутренней обратной связи через проходную емкость транзистора 1, которая у высокочастотных транзисторов достаточно мала, поэтому просачивание сигнала гетеродина незначительно, Резистор 11 служит для подачи смещения на базу транзистора 1, а резистивный делитель 13 напряжения для установки рабочей точки транзистора 4. Сигналы комбинационных частот, образованные на выходе первого транзистора 1 подаются на эмиттер второ1224958 Формула изобретения Составитель А.МеньшиковаРедактор Л.Пчелинская Техред К.Бонкало Корректор О.Луговая Заказ 1962/56 Тираж 816 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская наб д, 4/5Производственно-полиграфическое предприятие, г. Ужгород, ул. Проектная, 4 го транзистора 2, который представляет собой усилитель промежуточнойчастоты, включенный по схеме с общейбазой (ОБ). В коллекторную цепь второго транзистора 2 включена выходнаянагрузка 12, выполненная в виде 1 0контура. С коллектора транзистора 2сигнал промежуточной частоты черезразделительный конденсатор 15 подает.ся на выход смесителяТаким образом, в предлагаемом смесителе входной сигнал последовательно усиливается третьим 3, первым 1 и вторым 2 транзисторами, причем первым 1 и вторым 2 транзисторами на преобразованной частоте, В предлагаемом смесителе коэффициент преобразования достигает нескольких десятков, а выходное сопротивление определяется выходным сопротивлением второго транзистора 2, включенного по схеме с ОБ, поэтому на несколько порядков больше, чем в прототипе. Смеситель, содержащий первый и второй транзисторы, включенные по дифференциальной схеме, база первого транзистора подключена к одному выводу первого конденсатора, источник эмиттерного тока, выполненный на третьем транзисторе, коллектор которого подключен к объединенным эмиттерам первого и второго транзисторов, эмиттер через первый резистор подключен к первой шине источника питания, а база - к отводу резистивногоделителя напряжения, включенного меж,ду первой шиной источника питания иобщей шиной, второй конденсатор, одним выводом подключенный к эмиттерутретьего транзистора, при этом коллектор второго транзистора через нагрузку подключен к второй шине источ ника питания, причем первый, второйи третий транзисторы имеют однуструктуру, а также четвертый транзистор, имеющий другую структуру, коллектор четвертого транзистора соеди нен с коллектором первого транзистора, а эмиттер - с второй шиной источника питания, о т л и ч а ю щ и й -с я тем, что, с целью увеличенияподавления сигнала гетеродина и коэф фициента преобразования, в неговведен входной трансформатор, выводы первичной обмотки которого являются сигнальными входами смесителя,а выводы вторичной обмотки подключе ны к объединенным другим выводам первого и второго конденсаторов и базетретьего транзистора соответственно,при этом база первого транзисторачерез второй резистор подключена к З 0 общей шине, а база второго транзистора подключена к общей шине непосредственно, база четвертого транзистора является входом сигнала гетеродина, через третий резистор подключена к второй шине источника питания, а через четвертый резистор кобщей шине.