Химический реактор

Номер патента: 726984

Опубликовано: 27.11.1995

Авторы: Березкин, Бочков, Горшунов, Лейтина

МПК: G01N 30/90

Метки: анализа

1. УСТРОЙСТВО ДЛЯ АНАЛИЗА, содержащее корпус, в котором на держателе закреплен образец, источник радиационно-теплового потока, штуцер для ввода радиационно-теплового потока в корпусе и штуцер для вывода реакционных газов из корпуса, отличающееся тем, что, с целью детектирования многокомпонентных тонкослойных хроматограмм, корпус выполнен в виде разъемного патрубка с системой охлаждения и нагрева и снабжен камерой переменного объема, соединенной с ним посредством переходного штуцера, причем держатель образца установлен с возможностью перемещения внутри корпуса.2. Устройство по п. 1, отличающееся тем, что камера переменного объема выполнена в виде патрубка с поршнем и приспособлением для регулирования перемещения поршня.

Номер патента: 1047381

Опубликовано: 07.10.1983

Авторы: Бохдан, Ежы

МПК: B23K 11/10

Метки: интегральных, контактным, площадкам, полупроводниковых, приварки, проволоки, схем, элементов

...проволоки 1.Недостатками данного способа являются относительно большая продолжительность процесса сварки и ограниченная его производительность.Цель изобретения - повышение производительности,Поставленная цель достигается тем чтб согласно способу приварки проволоки к контактным площадкам полупроводниковыхэлементов и интегральных схем; заключающемуся в прижатии инструмента с проволокой или с проволокой с шариком к подогреваемой контактной площадке с последующим деформированием шарика или проволоки, перед деформированием по проволоке или шарику ударяют инструментом с массой 0,5-5 г со скоростью 5-20 см/с, - а деформирование проволоки осуществляют в течение 5-30 мс, 30При этом в процессе деформирования инструментом производят поперечныа...

Номер патента: 1239660

Опубликовано: 23.06.1986

Авторы: Терпигорев, Шаронов

МПК: G01R 31/303

Метки: гибридных, интегральных, пассивных, схем, элементов

...величины кода в компараторе 11. На четвертом выходе программатора 2 выдается сигнал "1", еслиизмеряемая величина в ГИС 10 должнабыть больше величины, устанавливаемой на компараторе,11, и выдаетсясигнал 0 , если измеряемая в еличин а в ГИС 1 0 должна быть меньше величины, устанавливаемой в компар атоР е 1 1 ,В соответствии с кодом на первом выходе программатора 2 дешифратором 5 включаются необходимые контакты 7-2 первого коммутатора выводов, В соответствии с кодом на втором выходе программатора 2 дешифратором 6 включаются необходимые контакты 8-2 второго коммутатора выводов В соответствии с сигналами на пятом выходе программатора 2 включается необходимый диапазон измерения3 1239660 4 посредством включения определенных контактов 9-2...

Номер патента: 1331364

Опубликовано: 20.06.2012

Авторы: Васильев, Пухов, Румак, Хатько

МПК: H01L 21/283

Метки: интегральных, металлизации, схем, элементов

Способ изготовления элементов металлизации интегральных схем, включающий нанесение на полупроводниковую подложку со сформированными активными слоями слоя металлизации методом магнетронного распыления в две стадии в едином цикле в среде аргона при давлении 1·10 -2 - 1·10-1 Па: на первой - нанесение тонкого слоя металлизации, на второй - нанесение слоя металлизации до требуемой толщины, формирование рисунка элементов металлизации с помощью фотолитографии, отличающийся тем, что, с целью повышения качества элементов металлизации при одновременном увеличении выхода годных приборов на операции фотолитографии, на первой стадии слой металлизации наносят при...

Номер патента: 1829792

Опубликовано: 10.10.1996

Авторы: Довнар, Красницкий, Наливайко, Родин, Смаль, Турцевич

МПК: H01L 21/82

Метки: интегральных, конденсатора, накопительного, обкладки, памяти, схем, элемента

...поверхностей пластины; на фиг.4 - то же после нанесения дополнительного проводящего слоя 4; на фиг,5 - то же после удаления безмасочным анизотропным плазменным травлением участков дополнительного проводящего слоя с горизонтачьных поверхностей пластины; на фиг,6 - то же после удаления избирательным травлением оставшихся пристеночных участков разделительного диэлектрического слоя.П р и м е р. На полупроводниковую пластину 1 КДБ 12 со сформированным на ней углублением 2 х 2 мкм, глубиной 2 мкм, угол наклона стенок относительно поверхности 87 - 90, методом 1.РСЧР нанесли проводящий слой 2 из легированного в процессе роста фосфором поликристаллического кремния толщиной 0,1 + 0,01 мкм и методом проекционной фотолитографии на установке ЭМА...