Способ нанесения пленок элементов или изотопов
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Текст
Ю ИЗ 051 Класс 480, 1102ссСРОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЙ К ЗАВИСИМОМУ АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУГ. И, Рукман, Я А, Юхвидин и И. А. Калябина СПОСОБ НАНЕСЕНИЯ ПЛЕНОК ЭЛЕМЕНТОВ ИДИ ИЗОТОПОВ Заявлено 28 октября 1955 г. за Ме 7115/455882 в Министерство радиотехническойпромышленности СССРОсновное авт. св. Ме 109057 от 28 октября 1955 г иа имя те; ке липИзобретение относится к области технологии нанесения тонких покрытий.Существует ряд методов получения тонких пленок - испарение наносимого вещества в вакууме, катодное распыление и осаждение нз растворов и другие. Однако получаемые пленки не свободны от посторонних примесей. Предлагаемый метод устраняет указанный недостаток н дает возможность получать пленки, свободные от примесей, а также пленки изотопов,Схема получения тонких пленок но предлагаемому методу показа 11 а на чертеже.В ионной пушке 1 нейтральные молекулы подлежащего нанесеншо вещества ионизируются н формируются в ионный луч. В этом ионном луче, помимо ионов наносимого вещества, имеются также ноны различных примесей. Для выделения нужного луча ионов исходный луч пропускается через магнитный масс-анализатор 2, напряженность магнитного поля которого подбирается таким образом, чтобы через выходную щель анализатора выходил луч ионов наносимого вещества. Для этой нелн преду. смотрен выдвижной коллектор 3, убирающийся после того, как выбрано нужное значение напряженности магнитного поля Выделенный таким образом чистый ионный луч пропускается через систему отклонения 4, например, аналогичную системе отклонения электронного луча в электронно-лучевой трубке, которая разворачивает луч таким образом, что он последовательно во времени многократно пробегает участок поверхности б, предназначенной для покрытия. Нейтрализуясь на поверхности, ионы создают свободную от загрязнений пленку.Описываемь 1 й спо,"об отличается от ионного способа нолучення тонких пленок, описанного в авт. св.М 0 109057, введением в последний метода очистки с помощью магнитного анализатора. Ниже приводится ориенМ 113051тировочный расчет времени, необходимого для получения пленки очень чистого серебра толщиной 0,1 микрона на площади 5 мм)(5 мм:Объем пленки Р=-2,5 10 -смМасса пленки М=р Ь=27 10 - 6 г (плотность пленки считается такой же. как плотность серебра в слитке).Число атомов и равное ему число ионов серебра, образовавших пленку:Я 27 10-"М =- - 66 108 -- 1,5 10" (частиц)(п - масса атома серебра в граммах, равная массе протона, умноженной на атомный вес серебра). Считая, что ионы несут единичный заряд, получается перенесенный ионами заряд, равный:Я=-1,5 10" 1,6 10 - " = 2,5 10-". кулона.Ориентируясь на простой масс-анализатор для элементов средних масс и полагая допустимый ионный ток равным 10 - 6 А, получается время, необходимое для получения пленки, равноеЯ 25 10 ---- = 2,5 104 секунд = 7 часов.г 10-еИз этого примера видно, что при реально осуществимых условиях достижимо практически приемлемое время напыления.Предлагаемый метод может найти широкое применение в ряде отраслей промышленности. Примером может служить использование его в области полупроводниковой электроники.Предмет изобретенияСпособ нанесения пленок элементов или изотопов по авт. св.5 109057, о т л и ч а ю щ и й с я тем, что, с целью селекции осаждаемых в пленку ионов по их массе, ионный луч пропускают через магнитный анализатор, напряженность поля в котором подбирают с таким расчетом, чтобы через выходную щель анализатора могли выйти ионы только наносимого вещества,11305
СмотретьЗаявка
455882, 28.10.1955
Калябина И. А, Рукман Г. И, Юхвидин Я. А
МПК / Метки
МПК: C23C 14/48
Метки: изотопов, нанесения, пленок, элементов
Опубликовано: 01.01.1958
Код ссылки
<a href="https://patents.su/3-113051-sposob-naneseniya-plenok-ehlementov-ili-izotopov.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ нанесения пленок элементов или изотопов</a>
Способ ионно-плазменного нанесения тонких металлических пленок
Номер патента: 1135223
Опубликовано: 27.06.1999
Авторы: Веревкина, Субботин, Табатадзе
МПК: C23C 14/00
Метки: ионно-плазменного, металлических, нанесения, пленок, тонких
Способ ионно-плазменного нанесения тонких металлических пленок преимущественно на полиэтилентерефталатную подложку путем распыления ионами аргона в вакууме материала мишени и осаждения его на движущуюся подложку, отличающийся тем, что, с целью повышения качества пленок за счет улучшения их оптической прозрачности, электропроводности и адгезии к подложке, осаждение ведут при плотности тока разряда 0,8 - 1,2 мА/см2 и скорости осаждения распыляемого материала 0,37 - 2,1 10-7 г/см2 с, при этом скорость движения подложки составляет 1...
Устройство для нанесения тонких пленок в вакууме
Номер патента: 1737930
Опубликовано: 10.04.1998
МПК: C23C 14/32
Метки: вакууме, нанесения, пленок, тонких
Устройство для нанесения тонких пленок в вакууме, содержащее газоразрядную камеру, систему формирования и ускорения потока наносимого материала, импульсный источник питания и подложкодержатель с подложкой, отличающееся тем, что, с целью упрощения конструкции и повышения надежности работы устройства, газоразрядная камера выполнена в виде спирали, охватываемой корпусом из немагнитного материала с профилем сверхзвукового сопла, открытого в сторону подложки, причем начальный участок спирали подключен к импульсному генератору источника питания, а конец спирали, размещенный у открытой части сопла, заземлен.
Способ нанесения тонких пленок
Номер патента: 188256
Опубликовано: 01.01.1966
МПК: C23C 14/26
Метки: нанесения, пленок, тонких
...Х.1966. Бюллетень2 ТОНКИХ ПЛ ПО АНЕС сионе математического расчета для ктдельного случая. Предмет изобретения 5 Способ нанесения тонких пленок испарения в вакууме и термического о ния молекулярного пучка испаряемого ства, отличающийся тем, что, с целью пия слоя с заданным распределение 0 щины на поверхности любой формы и мии испаряемого вещества, отражени формацию молекулярного пучка про при помощи вогнутого отражателя.и дзвод Известны различные способы нанесенитонких пленок путем испарения в вакууметермического отражения молекулярного пучка испаряемого вещества. Предлагаемый способ позволяет получать покрытие с заданным распределением толщины на поверхности любой формы и заключается в том, что отражение и деформацию молекулярного...
Устройство для нанесения тонких пленок
Номер патента: 563826
Опубликовано: 05.03.1978
Авторы: Осипов, Саблев, Ступак
МПК: C23C 15/00
Метки: нанесения, пленок, тонких
...на фиг. 2 конфигурация магнитных полей в камеУстройство длпленок работаетНапыляемые изваются на крышкумакрочастиц от кпрямолинейно, неПитание соленоидется от разных иВоздух из вакчивается до давл10 мм рт,ст. Черется ток, создающ50-200 Э, достаткатодного пятна 5 р 72) Авторы изобретения л,п. я нанесения тонкихследующим образом.делия 9 устанавли 2 так, чтобы потокатода 4, движущийсямог попасть на них,ов б и 7 осуществлясточников,уумной камеры 1 откаения порядкаез соленоид б усий магнитноеочное для удерна торце катодЧерез соленоид 7 пропускается ток, создающий магнитное поле 20-50 Э. На камеру 1 подается напряжение 40-80 В относительно катода 4, на крышку 2-30 В. При этих параметрах конфигурация магнитных полей имеет 5 вид, показанный...
Способ вакуумного нанесения тонких пленок
Номер патента: 1708919
Опубликовано: 30.01.1992
Авторы: Закутаев, Исаков, Ремнев
МПК: C23C 14/46
Метки: вакуумного, нанесения, пленок, тонких
..., тонких пленок, При этом подложку можно размещать на небольшом расстоянии от мишени, что в свою очередь сокращает время осаждения и увеличивает скорость осаждения пленки. Нижний пре" дел плотности мо 4 ности пучка определяется как необходимый для испарения 35 мишени на глубину пробега ионов, ниже которого снижается эффективность плаз" мообразования, и соответственйо качество пленок.Для того, цтобы уменьшить потери энергии за счет теплопроводности необходимо, цтобы длина пробега ионов 1 е,была больше или сравнима с расстоянием, на которое распространяется тепловая волна за время действия импульса йц, так как:ф1 о г (ф("Й) (1) 19,"ЪП р и м е р. Для распыления использовали мишени из кадмия и меди..В таблице приведены рассчитанные...
Предыдущий патент: Исполнительный орган угольного комбайна челнокового действия
Следующий патент: Способ определения предела прочности на сдвиг консистентных смазок и других пластических материалов и прибор для осуществления способа
Случайный патент: Способ определения сроков схватывания быстротвердеюших цементно-песчаных и бетонных смесей