Формирователь импульсов на мдп-транзисторах

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано для создания запоминающихустройств на МДП-транзисторах.Наиболее близким к предлагаемомуявляется формирователь импульсов наМДП-транзисторах, содержащий выходные усилительные транзисторы, стокпервого из которых является выходомустройства., исток подключен к шине 10нулевого потенциала, затвор - к первой тактовой шине, сток второго выходного усилительного транзистораподключен к шине питающего напряжения, исток - к стоку первого выходного усилительного транзистора, затворподключен к затвору первого входногоусилительного транзистора, к затворуМДП-конденсатора и истоку отсекающего транзистора сток второго20входного усилительного транзисторасоединен с истоком первого входногоусилительного транзистора и стоковойобластью МДП-конденсатора, затвор -с первой тактовой шиной, затвор отсе" 5кающего транзистора подключен к шинепитающего напряжения, сток - ко второй тактовой шине, сток первого входного усилительного транзистора под.ключен к шине питающего напряжения 1.30Известный формирователь импульсовобладает высоким быстродействием ина его выходе формируется полныйуровень плогической единицы", Однакопри работе Формирователя возникаетобратное перераспределение зарядана затворе второго выходного транзистора по цепи: затвор транзистораМДП-конденсатор - первый входной усилительный транзистор - шина питающего 40напряжения. Это приводит к понижениюнапряжения на затворе второго выходного усилительного транзистора, аследовательно, к понижению быстродействия такого формирователя. 45Цель изобретения - повышение быстродействия формирователя импульсовна ИДП-транзисторах за счет устранения обратного перераспределения заря-,да на затворе второго выходного усилительного транзистора,Поставленная цель достигаетсятем, что в формирователь импульсовна МДП-транзисторах, содержащий выходные усилительные транзисторы, стокпервого из которых подключен к истокувторого и является выходом устройства,исток первого выходного усилительного транзистора подключен к шине нулевого потенциала, а затвор соединен с затвором второго входного усилительного транзистора и является одним вхоцом устройства, сток второго выходного усилительного транзистора подключен к шине питания, а затвор соединен с затвором первого входного усилительного транзистора, затвором МДП-конденсатора и истоком отсекающего транзистора, сток второго входного усилительного транзистора соединен с истоком первого вход-. ного усилительного транзистора и стоковой область МДП-конденсатора, затвор отсекающего транзистора подключен :, шине питания, а сток является другим входом устройства, исток второго входного усилительного транзистора подключен к шине нулевого потенциала, введен диод, р-область которого подключена к шине питания, а п-область - к стоку первого входного усилительного транэистора.Введение диода позволяет устранитьпротекание обратного тока через пер-.вый транзистор предварительного каскада к шине питающего напряжения итем самым исключить обратное перераспределение заряда, Это приводитк повышению напряжения на затворевторого выходного транзистора, чтоувеличивает быстродействие формирова-.теля,На Фиг:1 представлена принципиальная схема формирователя импульсовна МДП-транзисторах; на Фиг.2 - временная диаграмма работы Формирователя импульсов.Формирователь импульсов состоитиз первого выходного усилительноготранзистора 1,выходной шины 2, второго выходного усилительного транзистора 3, шины питания 4, первоговходного усилительного транзистора5, МДП-конденсатора 6, отсекающего транзистора 7, второго входного усилительного транзистора8, второй входной шины 9, первойвходной шины 10, диода 1.Формирователь импульсов на 1 Д- транзисторах работает следующим образом.В исходном состоянии до моментавремени г.р Ц- высокое, а ПФнизкое, Транзисторы 8 и 1 открыты,а 5 и 3 - закрыты. На выходе - низкий уровень. С момента времени8 БЯ Ф .г Составитель О.КулаковРедактор К.Волощу . ТехредМ.Надь Корректор Г. Решетн 6 Тираж 575 НИИПИ Государственн по делам изобрете 13035, Москва, ЖЗаказ 326 сное Подпиго комитета СССРий и открытийРаушская наб.,Филиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул. Прое я, ч з 10925 уф, - высокое, осуществляется заряд узла а, емкость МДП-конденсатора приобретает максимальное значение, открываются транзисторы 5 и 3, так как транзисторы 8 и 1 открыты, то в узле Ь и на выходе формирователя сохраняется низкий уровень.С момента времениПф - низкое. Транзисторы 8 и 1 закрываются, и осуществляется быстрый заряд емкос- О ти узла Ь,а благодаря наличию МДП- конденсатора осуществляется подброс напряжения в узле а - на затворах транзисторов 5 и 3. С момента времени с заряд узла Ь закончен, а 15 на выходе 2 формирователя - продолжается так как выходная нагрузочная емкость имеет обычно на порядок большее значение, чем емкость узла Ь. Начинается. перераспределение 2 О 63 4заряда за счет внутренней емкостнойсвязи затвор - канал транзистора 3.Введенный в схему формирователядиод устраняет обратное перераспределение заряда на затворе второговыходного усилительного транзистора3 по цепи: узел а - МДП-конденсаторканал транзистора 5 - шина питающего напряжения. Следовательно, величина напряжения, сформированногона затворе транзистора 3, выше посравнению с величиной напряжения ьаналогичном узле прототипа, а значити быстродействие предлагаемого формирователя вьппе. Таким образом введение в схемуформирователя импульсов на МДП-тран"зисторах диода позволяет повыситьего быстродействие.