Решетчатый ствол

Номер патента: 1057594

Опубликовано: 30.11.1983

Автор: Клинов

МПК: E01B 1/00

Метки: железнодорожный, зоне, искусственному, примыкания, путь, сооружению

...непрочен инецодговечен, так как нвбдюцаются разрушения бетона основания пути,Цепь иаобретенняповышение стабидьиости и.цодговечности пути. 25Указанная цель цостнгается тем,что в жедезноцорожном пути в зонепримыкания к искусственному соорузению, содержащем посдецоватедьно распо.доненные и состыкованные участок же- ЗОдезноцорожного пути, удсиенный на же дезобетонное основание искусственногосоорузения, н участок жедезноцорожногопути, примыкающий к искусственному соо 1рузению и удоненный на земдяное поффпотно с баддвстным Основанием и сборными зедезобетонными блоками, имекзцими геометрические и зесткостнцепараметры, уменьшвкзциеся в направдении От искусственнОго соорузенияе стык 40укаэанных участков пути установлен назедезобетонное основание...

Номер патента: 1293263

Опубликовано: 28.02.1987

Авторы: Гасанов, Клинов

МПК: E01B 2/00

Метки: железнодорожного, зоне, искусственному, нижнее, примыкания, пути, сооружению, строение

...к нему грунтовое основание 2 и вертикальный связующий виброгасящий слой 3 между ними, который служит гасителем вибраций и предупреждает появление трещин по контакту 2 О грунта с бетоном. Слой 3 расположен поперек пути на всей ширине основной площадки земляного полотна. Он может быть выполнен из полимербитум ной мастики БИТЗП, представляющей собой сплав битума строительного БН(85 - 90 вес.%) и терм оэластопласта ДСТ(10 - 15/,), Слой 3 заливается в шов между монолитным безбалластным основанием 1 и грунтовым основанием 2 в горячем состоянии при 100 - 120 С, остывает в течение 1 ч и после ЗО этого готов для выполнения своих функций, которые заключаются в обеспечении их неразрывного соединения в процессе длительной эксплуатации пути.Кроме...

Номер патента: 13595

Опубликовано: 31.03.1930

Автор: Штейнмюллер

МПК: F23B 1/18

Метки: колосниковой, наклонной, решеткой, топка

...удалена.Вьцпеоппсанная топка с наклонной колосниковой решеткой годна для высокой производительности до тех пор, пока нижнее дутье под решетку происходит не под слитком высоким давлением. Но практика стремится к тому, чтооы повысить произ водительность сгорания при помощи увеличения подвода воздуха, т. е. прп помощи повышения давления ния него дутья, чем усиливается увдекание летучей золы, которую необходимо ооезвредить, так как иначе понизится полезная работа колоснпковой решетки и, кроме того, при осаждении летучей золы на стенках й,1 меры смешения и горения, могут возникнуть значительные , неисправности в действии топки и повреждения упомянутой камеры. Так как осаждение летучей золы происходит лишь при переходе известных пределов...

Номер патента: 505776

Опубликовано: 05.03.1976

Авторы: Кармилов, Туллер

МПК: E04B 1/58

Метки: поясов, решетки, соединения, узел, фермы, элементами

...поясов фермы с элемента- чающий болт и соединительичающийся тем, что, с металлоемкости фермы, соали одного элемента решет- виде двутавров, переходя. римыкания их к поясу в вающие пояс полками, а соали других элементов - из те примыкания их к поясу оские листы, охватывающие одным д сниз Изобретение относится к области строительтва и может быть использовано в металлиеских сборно-разборных одноболтовых фермах.Известен узел соединения поясов фермы с 5 элементами решетки, включающий болт и соединительные детали, причем трубчатые элементы решетки сплющены на концах, примыкающих к поясу фермы.Недостатком известного еского 10 решения является большая мякость фермы.Целью изобретения является снижение металлоемкости фермы.Поставленная цель...

Номер патента: 737822

Опубликовано: 30.05.1980

Авторы: Булах, Миронов, Тонконогов

МПК: G01N 27/24

Метки: активации, активационных, вида, времени, дефектов, диэлектриков, количества, кристаллической, объектов, полупроводников, реализации, релаксации, решетки, энергии

....к изменению 0тока ТСД; позволяя тем самым опреде- .лить параметры дефектов.Цель изобретения достигается двухкратным, измерением тока ТСД. Первоеизмерение тока ТСД проводят в поля-. 65риэованном до насыщения, свободном от напряжений веществе, нагреваемом с постоянной скоростью. При этом ток увеличивается, достигает максимума и спадает, причем каждый вид дефектон характеризуется своей температурой максимума. Повторное измерение тока проводят, подвергнув исследуемый материал механическому сжатию, что выэынает сдвиг максимума тока в сторону более высоких температур, В отличйе от грототипа параметры дефектов определяют ло напряжению сжатия -О температурам максимумов Т и Т тока ТСД соответстненно ненапряжеиного и сжатого материала...