Тензодатчик

Номер патента: 1758511

Опубликовано: 30.08.1992

Авторы: Драгомерецкий, Кива, Ковалюк, Середюк

МПК: G01N 11/00

Метки: деформации, индия, исследовании, качестве, кристалла, полупроводникового, применение, селенида, слоистого, смеси, твердеющей, тензодатчика

...бетонной смеси в процессе непрерывного и неразрушающего контроля путем применения слоистого полупроводникового кристалла 1 пЯе. В ходе исследований получена временная зависимость сопротивления электрическому току моноселенида индия помещенного в бетонную массу, При этом высокая чувствительность при разделении фаэ замерзания и схватывания твердеющих смесей достигается за счет использования эффекта, возникающего в результате объемных деформаций ЧЭ, Поскольку, а отличие от прототипа, где сущность способа контроля заключалась в использовании классического тензоэффектг. для моноселенида индия,погруженного в твердеющую массу. существенным является всестороннее сжатие, чувствительность к которому в псе достигаег значений -10 Па что на...

Номер патента: 7227

Опубликовано: 31.12.1928

Автор: Шюффтан

МПК: G03B 15/02

Метки: виде, двух, картины, кинематографических, нескольких, одной, снимков, сцен, фотографических, цельной, частичных

...обектива. Всякое изменение установки обектива связано с изменением угла картины. Когда зеркало 6 установлено очень близко от камеры, то переходная зона столь широка, что пзменение угла картины не требует перемещения зеркала, Если же зеркало 6 установлено на большем расстоянии, то его приходится передвигать, в зависимости от установок обектива, таким образом, чтобы вырез 8 в зеркале всегда согласовался с частичными стенами. Эти положения зеркала отмечаются на шкале соответственно установкам обектива или обективов.Случается также, что частичные сцены не могут быть выполнены в желаемом масштабе, или же они должны появляться набольшем или меньшем расстоянии. В этом случае в поле зрения частичнь 1 х сцен (фиг. 5) между ними и зеркалом...

Номер патента: 143586

Опубликовано: 01.01.1961

Авторы: Гаврикова, Гук, Павленко, Петрова

МПК: G01B 7/16

Метки: виде, выводов, металла, напиленного, слоя, тензодатчиков, чувствительным, элементом

...перекрывает контактные слои только в пределах полоски лака.Слои серебра и висмута покрывают жидким лаком ВЛи просушивают при комнатной температуре. После этого к медной фольге прива ривают контактной сваркой проволочные выводы, а ост авшу 1 ося часть лицевой стороны, включая место сварки и выводы, покрывают лаком.С обратной стороны также наносят лак на участке от границы лаковой пленк на лицевой сорое в сторону места сварки и до края фольги. После просушки при комнатной температуре лак полимериз ют.1Ф14358 б - 2 -Не покрытыЙ 1 лаком ":уасток фольги, н;1 ход 1 шиЙся под раб 01 еи частью датчика, вварФВетивают в водном растворе хлорного железа, благодаря чемуэлектрический контакт между выводами становится вэзможен только через "...

Номер патента: 23836

Опубликовано: 31.10.1931

Автор: Токарев

МПК: F41C 31/00

Метки: вращающейся, ним, одно, около, оси, протиркой, рукояткой, свободно, составляющей, целое, шомпол, шомпола

...разрез рукоятки шомпола; фиг. 4 - шомпол, помещенный внутри цевья; фиг. 5 - продольный разрез рукоятки, соединенный с шомполом.Устройство предлагаемого шомпола состоит в следующем, Вместо протирки, один конец шомпола имеет винтовую канавку 1 и поперечное отверстие 2, служащее для удержания ветоши. Другой конец шомпола, имеющий конусообразную головку 3, снабжен кольцом 4; образующим при соединении с головкой 3 шарообразное окончание 3. Стержень шомпола 5 пропущен через канал рукоятки б, а шарообразное окончание 3 головни 3 входит в канал 7 рукоятки б, во внутреннюю полость которой встащей с ним одно целое, и св си шомпола рукояткой. влена пружина 8, закрепленная попереч - ной чекой 9. Утонченная часть рукоятки б снабжена прорезью 11,...

Номер патента: 466662

Опубликовано: 05.04.1975

Авторы: Жак, Рене

МПК: A61K 31/545, C07D 501/08, C07D 501/22

Метки: аминодезацетоксицефалоспорановой, виде, кислоты, них, одного, производных, смеси, трансизомеров, цис

...концентрируют досуха в вакууме, растворяют остаточек в 100 мл эфира и 20 м,г воды, декантируют,водный слой, к органическому слою прибавляют 10 я.г воды л 20 мл 1 н. соляной кислоты, перемешивают, декантируют и экстрагируют водные слои 5 10 15 20 25 30 35 40 эфиром. Объединенные эфирные слои сушат над сернок 1 слым натрием, отсасывают, упаривают досуха, растворяют остаток в 100 ял цзопропилового эфира,и 20 лгл метанола, прибавляют 4,5 юг 4 н, раствора пидроокиси лцтия, перемешивают, прибавляют 20 мл воды и декантируют. Метанольно-воьдный слой,падки сляют уксусной кислотой, экстр агир уют эфирный слой метанолом и водой, объсдцпенные метанольно-,водяные слои цодкисляют, удаляют метанол в вакууме, экстрагируют остаток хлороформом, сушат...